-
公开(公告)号：CN1165583A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN96191112.3
申请日：1996-08-20
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575
摘要： GaAs系等III-V族化合物半导体具有满足要求特性的欧姆电极的欧姆电极形成用叠层体及该欧姆电极。在n+型GaAs等III-V族化合物半导体衬底上，用溅射法等等依次形成非单晶In0.7Ga0.3As之类的非单晶半导体层，Ni之类的金属薄膜，WN之类的氮化金属薄膜以及W之类的高熔点金属薄膜，再用剥离等等构图以形成欧姆电极形成用叠层体，然后，用RTA法，在500～600℃，例如在550℃下进行1秒钟的热处理，使之形成欧姆电极。
-
公开(公告)号：CN1602551A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03801738.5
申请日：2003-07-02
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0012 , H01L51/005 , H01L51/0068 , H01L51/0075 , H01L51/0094 , H01L51/0095 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y10S977/89 , Y10S977/936 , Y10S977/938
摘要： 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4′－联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。
-
公开(公告)号：CN1107339C
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN96191112.3
申请日：1996-08-20
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575
摘要： GaAs系等III-V族化合物半导体具有满足要求特性的欧姆电极的欧姆电极形成用叠层体及该欧姆电极。在n+型GaAs等III-V族化合物半导体衬底上，用溅射法等等依次形成非单晶In0.7Ga0.3As之类的非单晶半导体层，Ni之类的金属薄膜，WN之类的氮化金属薄膜以及W之类的高熔点金属薄膜，再用剥离等等构图以形成欧姆电极形成用叠层体，然后，用RTA法，在500～600℃，例如在550℃下进行1秒钟的热处理，使之形成欧姆电极。
-
公开(公告)号：CN100440534C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03801738.5
申请日：2003-07-02
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0012 , H01L51/005 , H01L51/0068 , H01L51/0075 , H01L51/0094 , H01L51/0095 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0595 , Y10S977/89 , Y10S977/936 , Y10S977/938
摘要： 一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Au，或半导体组成的微粒(8)和有机半导体分子(9)如4，4 ＇-联苯二硫酚通过在该有机半导体分子(9)两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒(8)内的导电路径和在有机半导体分子(9)内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率(在该分子的轴向上)，例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.022 秒)
