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    制造绝缘体上硅结构的工艺
    4.
    发明公开
    制造绝缘体上硅结构的工艺 有权

    公开(公告)号：CN103035562A

    公开(公告)日：2013-04-10

    申请号：CN201210322180.6

    申请日：2012-09-03

    申请人： 索泰克公司

    发明人： C·大卫 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/06

    摘要： 本发明涉及一种制造绝缘体上硅结构的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）设置供体衬底（31）和支撑衬底（1），所述衬底中只有一个被所述氧化物层（2）覆盖；（b）在所述供体衬底（31）中形成弱区（32）；（c）等离子体激活所述氧化物层（2）；（d）在部分真空中，将所述供体衬底（31）粘结于所述支撑衬底（1）；（e）在350℃或更低的温度下，实现粘结增强退火，从而造成所述供体衬底（31）沿着所述弱区（32）劈裂；以及（f）在超过900℃的温度下执行热处理-以超过10℃/s的升温速率实现从步骤（e）的温度到步骤（f）的温度的转变。

    改进的用于衬底的脆化的注入的方法
    5.
    发明授权
    改进的用于衬底的脆化的注入的方法 有权

    公开(公告)号：CN104205300B

    公开(公告)日：2017-11-14

    申请号：CN201380015733.6

    申请日：2013-03-14

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 纳迪娅·本默罕默德 ,  C·大卫 ,  C·里加尔

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259

    摘要： 本发明涉及一种用于将离子或原子核素注入到由半导体材料制成的一批衬底中的方法，其中：‑由半导体材料制成的各个衬底被定位于批处理注入机的相应支架上，各个衬底包括在其表面上的电绝缘体的薄层，以及‑一剂至少一个离子或原子核素通过所述衬底的绝缘体层注入至所述衬底的整个表面之上，以在各个衬底内形成脆化区，并且以在脆化区结合在绝缘体的所述薄层与所述衬底的所述脆化区之间的半导体材料的薄层，所述注入方法其特征在于，在所述方法期间，衬底被定位于其上的各个支架相对于与所述核素的注入的方向正交的平面具有至少两个单独的倾角，以便于改进所述核素在所述衬底中的注入深度。本发明还涉及通过所述注入方法的实施方式所获得的绝缘体上半导体型的结构。

    改进的用于衬底的脆化的注入的方法
    7.
    发明公开
    改进的用于衬底的脆化的注入的方法 有权

    公开(公告)号：CN104205300A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201380015733.6

    申请日：2013-03-14

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 纳迪娅·本默罕默德 ,  C·大卫 ,  C·里加尔

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259

    摘要： 本发明涉及一种用于将离子或原子核素注入到由半导体材料制成的一批衬底中的方法，其中：-由半导体材料制成的各个衬底被定位于批处理注入机的相应支架上，各个衬底包括在其表面上的电绝缘体的薄层，以及-一剂至少一个离子或原子核素通过所述衬底的绝缘体层注入至所述衬底的整个表面之上，以在各个衬底内形成脆化区，并且以在脆化区结合在绝缘体的所述薄层与所述衬底的所述脆化区之间的半导体材料的薄层，所述注入方法其特征在于，在所述方法期间，衬底被定位于其上的各个支架相对于与所述核素的注入的方向正交的平面具有至少两个单独的倾角，以便于改进所述核素在所述衬底中的注入深度。本发明还涉及通过所述注入方法的实施方式所获得的绝缘体上半导体型的结构。

    用于平滑结构体表面的方法
    8.
    发明授权
    用于平滑结构体表面的方法 有权

    公开(公告)号：CN107039269B

    公开(公告)日：2021-10-29

    申请号：CN201710023799.X

    申请日：2017-01-13

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  奥列格·科农丘克 ,  C·大卫

    IPC分类号： H01L21/324

    摘要： 本发明涉及包括在热处理期间使绝缘体上硅结构体的表面暴露于惰性或还原性气体流和高温的使所述绝缘体上硅结构体平滑的方法，所述方法包括：在第一温度和由第一流速限定的第一气体流下的第一热处理步骤；值得注意的是，所述方法包括：在低于第一温度的第二温度和由低于第一流速的第二流速限定的第二气体流下的第二热处理步骤。

    用于从单晶衬底转移层的方法
    9.
    发明授权
    用于从单晶衬底转移层的方法 有权

    公开(公告)号：CN106409692B

    公开(公告)日：2019-02-05

    申请号：CN201610357371.4

    申请日：2016-05-26

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 卢多维克·埃卡尔诺 ,  尼古拉斯·达瓦尔 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  F·博迪特 ,  C·大卫 ,  I·格林

    IPC分类号： H01L21/50

    摘要： 用于从单晶衬底转移层的方法。本发明涉及一种用于将层(11)从称为施主衬底(1)的单晶衬底转移至受主衬底(2)上的方法，该方法包括以下步骤：提供所述单晶施主衬底(1)，所述衬底具有在晶体的第一方向上定向的凹口和限定将被转移层(11)的弱区域(10)；将单晶施主衬底(1)接合至受主衬底(2)上，相对于将被转移的层(11)与弱区域(10)相反的施主衬底的主表面(12)位于接合界面处；沿着弱区域(10)分离施主衬底(1)，所述方法特征在于，施主衬底(1)在接合至受主衬底(2)的主表面(12)上具有基本上在晶体的不同于所述第一方向的第二方向上延伸的原子台阶的阵列。

    制造绝缘体上硅结构的工艺
    10.
    发明授权
    制造绝缘体上硅结构的工艺 有权

    公开(公告)号：CN103035562B

    公开(公告)日：2016-12-21

    申请号：CN201210322180.6

    申请日：2012-09-03

    申请人： 索泰克公司

    发明人： C·大卫 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/06

    摘要： 本发明涉及一种制造绝缘体上硅结构的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）设置供体衬底31）和支撑衬底（1），所述衬底中只有一个被所述氧化物层（2）覆盖（；b）在所述供体衬底（31）中形成弱区（32）；（c）等离子体激活所述氧化物层2）（；d）在部分真空中，将所述供体衬底（31）粘结于所述支撑衬底（1）；（e）在350℃或更低的温度下，实现粘结增强退火，从而造成所述供体衬底（31）沿着所述弱区（32）劈裂；以及（f）在超过900℃的温度下执行热处理-以超过10℃/s的升温速率实现从步骤（e）的温度到步骤（f）的温度的转变。