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公开(公告)号：CN119984578A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411578878.3
申请日：2024-11-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种微电子机械压力传感器(1)，其具有：衬底(2)，带有在其上布置的层系统(3)；借助于至少一个悬挂结构(4)悬挑式紧固在层系统(3)上的传感器结构(5)，带有第一膜结构(6)和第二膜结构(7)，在它们之间构造空穴区域(8)，布置在空穴区域中的第一测量电极(9)紧固在第一膜结构(6)上且布置在空穴区域中的第二测量电极(10)紧固在第二膜结构(7)上，第一和第二测量电极在空穴区域中形成测量电容；通过层系统(3)的至少一个帽结构层形成的帽结构(11)，传感器结构悬挑式布置在压力测量室中；以及至少一个压力进入通道(13)，用于连接压力测量室和压力传感器的环境(14)。一种用于制造微电子机械压力传感器的方法。
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公开(公告)号：CN120024866A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411671749.9
申请日：2024-11-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于对在单晶硅半导体基底中形成的空腔中无支撑地布置的硅结构进行应力补偿的方法，该方法包括下列步骤：在所述单晶硅半导体基底中通过所述硅半导体基底的跨越空腔的单晶硅半导体层形成空腔，如此形成多晶硅半导体层，使得其直接在所述单晶硅半导体层上至少区段地布置，通过对跨越所述空腔的单晶硅半导体层和/或对所述多晶硅半导体层进行结构化，形成至少一个无支撑的、在所述空腔的区域中布置并且经由至少一个附接结构与围绕所述空腔的硅半导体基底连接的硅结构。本发明还涉及一种半导体元件以及一种传感器。
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公开(公告)号：CN106660781A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580023728.9
申请日：2015-04-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B7/0067 , B81B2201/042 , G02B7/1821 , G02B26/101 , G02B27/0006
Abstract: 本发明涉及一种用于微镜芯片(12a，12b)的装配体(10)，该装配体部分围绕内空腔(18)，其中，所述装配体(10，40)在两个彼此背离地指向的侧(10a，10b)上包括至少各一个部分外壁(20，22)，其中，所述装配体(10，40)具有至少一个第一外部开口(24a)和第二外部开口(24b)，使得穿过所述第一部分外壁(20)入射的光束(26)通过第一微镜芯片(12a)能偏转到第二微镜芯片(12b)上，并且通过第二微镜芯片(12b)能偏转穿过所述第二部分外壁(22)，在该第一外部开口上能安装第一微镜芯片(12a)，在该第二外部开口上能安装第一微镜芯片(12b)。本发明同样涉及一种镜像装置。本发明还涉及一种用于镜像装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN106660781B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580023728.9
申请日：2015-04-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B7/0067 , B81B2201/042 , G02B7/1821 , G02B26/101 , G02B27/0006
Abstract: 本发明涉及一种用于微镜芯片(12a，12b)的装配体(10)，该装配体部分围绕内空腔(18)，其中，所述装配体(10，40)在两个彼此背离地指向的侧(10a，10b)上包括至少各一个部分外壁(20，22)，其中，所述装配体(10，40)具有至少一个第一外部开口(24a)和第二外部开口(24b)，使得穿过所述第一部分外壁(20)入射的光束(26)通过第一微镜芯片(12a)能偏转到第二微镜芯片(12b)上，并且通过第二微镜芯片(12b)能偏转穿过所述第二部分外壁(22)，在该第一外部开口上能安装第一微镜芯片(12a)，在该第二外部开口上能安装第一微镜芯片(12b)。本发明同样涉及一种镜像装置。本发明还涉及一种用于镜像装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN107039240A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710022554.5
申请日：2017-01-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/0281 , C23C16/26 , H01B1/04 , H01B5/14 , H01L21/02115 , H01L23/13 , H01L23/14
Abstract: 本发明涉及用于层结构(10；20；30；40；50；60；70)的制造方法，其具有步骤：提供(Sl)基底(1；l′)，其中，基底(1；1′)的至少一个上侧(la)包括不能导电的材料；在基底(1；1′)的上侧(la)上沉积(S2)催化结构(2；2')；在催化结构(2；2')上沉积(S3)石墨结构(3)；和至少部分地去除(S4)处于基底(1；1')和石墨结构(3)之间的催化结构(2；2')。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111051839B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201880058020.0
申请日：2018-06-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器设备和一种相应的制造方法。所述微机械传感器设备构型为具有：具有正侧(VS)和背侧(RS)的传感器衬底(2)；设置在正侧(VS)上的传感器区域(1)，所述传感器区域能够与周围环境介质接触；施加在正侧(VS)上的用于覆盖传感器区域(1)的封盖装置(4)。在封盖装置(4)和/或在传感器衬底(2)中形成有用于将周围环境介质传递到传感器区域(1)上的一个或多个毛细管(3)，其中，在毛细管(3)的内壁(I)上至少局部地设有疏液层(5)。
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公开(公告)号：CN110582695A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880029123.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种用于运行颗粒传感器的设备(100)，所述颗粒传感器包括至少一个高电压电极(102)和至少一个接地电极(104)，其中，所述设备(100)具有处理器(106)、测量装置(108)和电压供给单元(110)，其中，在所述至少一个高电压电极(102)与所述至少一个接地电极(104)之间能够产生电场(E)，所述测量装置(108)构造用于测量电荷平衡电流(I)，所述电荷平衡电流在废气流至少部分地在所述至少一个高电压电极(102)与所述至少一个接地电极(104)之间的电场(E)的区域中流动期间流至所述至少一个高电压电极(102)和/或所述至少一个接地电极(104)；所述处理器(106)构造用于控制所述电压供给单元(110)，以便在所述电荷平衡电流(I)的测量期间至少在一个时间段中通过所述至少一个高电压电极(102)与所述至少一个接地电极(104)之间的交流电压(U)来产生所述电场(E)。
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公开(公告)号：CN120057843A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411709089.9
申请日：2024-11-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微电子机械传感器(1)，其具有带有传感器结构(3)和盖基底(4)的传感器基底(2)，在盖基底(4)和传感器基底(2)之间至少在所述传感器结构(3)的区域中构造有第一腔区域(5)，其中，所述盖基底(4)具有至少一个通道(6)，所述至少一个通道(6)从所述盖基底(4)的第一侧(7)出发穿过所述盖基底(4)延伸到第一腔区域(5)中，其中，所述盖基底(4)在所述第一侧(7)上邻接到所述通道(6)地具有一区域(8)，其中，至少所述区域(8)设有疏水的表面涂层(9)。本发明还包括一种用于制造微电子机械传感器的方法(100)。
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公开(公告)号：CN119984579A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411579015.8
申请日：2024-11-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种微电子机械压力传感器(1)，其具有：衬底(2)，该衬底具有布置在其上的层系统(3)；借助于至少一个悬挂结构(4)悬挑式紧固在层系统(3)上的传感器结构(5)，其具有第一膜结构(6)和第二膜结构(7)，在其之间构造空穴区域(8)，布置在空穴区域中的第一测量电极紧固在第一膜结构上以及布置在空穴区域中的第二测量电极紧固在第二膜结构上，第一和第二测量电极在空穴区域中形成测量电容；帽结构(11)，该帽结构限界压力测量室(12)，传感器结构(5)悬挑式布置在该压力测量室中；和至压力测量室的至少一个压力进入通道(13)，该至少一个压力进入通道延伸穿过衬底。一种用于制造这种微电子机械压力传感器的方法。
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公开(公告)号：CN112789240B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201980065389.9
申请日：2019-09-24
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 凸模结构至少部分被所述共晶合金包围。本发明涉及一种用于在第一晶片和第二晶片之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一材料和第二材料以形成共晶合金，‑提供第一晶片，该第一晶片具有用于凸模结构的接收结构，‑用所述第一材料填充所述接收结构，‑提供具有凸模结构的第二晶片，其中，在所述凸模结构上布置所述第二材料，‑提供在第一晶片和/或第二晶片上的止挡结构，使得在这两个晶片接合时提供限定的止挡，‑至少将所述第一材料和第二材料至少加热到所述共晶合金的共晶温度，‑将所述第一晶片和第二晶片接合，使得所述凸模结构至少部分地插入到所述接收结构中，其中，确定所述止挡结构、所述接收结构、所述凸模结构的尺寸以及第一材料和第二材
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