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公开(公告)号：CN116743173A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310244970.5
申请日：2023-03-09
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有第一比较器装置的设备，其中所述第一比较器装置具有用于提供第一参考电流的第一参考电流提供机构和用于提供第一比较电流的第一比较电流提供机构，并且其中所述第一比较器装置被构造用于将所述第一参考电流与所述第一比较电流进行比较，以便获得第一比较结果并且基于所述第一比较结果输出表征所述第一比较结果的第一输出信号。
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公开(公告)号：CN118800290A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410434250.X
申请日：2024-04-11
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： G11C11/4063
摘要： 用于处理输入变量的方法，例如计算机实现的方法，包括：将第一输入变量加载到第一晶体管的控制电极，将第二输入变量加载到电流导出装置，其中该电流导出装置被设计为，基于第二输入变量而将第一晶体管的负载路径选择性地与第一电路节点或第二电路节点连接。
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公开(公告)号：CN118038937A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311498923.X
申请日：2023-11-10
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412
摘要： 本发明涉及一种用于运行存储设备的方法，所述存储设备具有至少一个存储单元、例如存储单体，其中，所述至少一个存储单元具有双稳态的触发器和两个存取晶体管，两个存取晶体管用于将双稳态的触发器与两条次级控制线、例如位线可控地连接起来，次级控制线和至少一个存储单元关联，其中，例如所述双稳态的触发器与两条次级控制线的连接借助第一初级控制线、例如字线是可控的，其中，所述方法具有：用控制信号、例如控制电压这样加载所述两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头，使得所述至少一个存取晶体管的负载路径例如相对所述至少一个存取晶体管的负载路径的高欧姆的状态至少部分是能导电的；求出第一参量，所述第一参量表征至少一个流过所述至少一个存取晶体管的负载路径的电流。
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公开(公告)号：CN118800287A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410126078.1
申请日：2024-01-30
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： G11C11/402 , G11C11/4096 , G11C11/22
摘要： 借助于具有至少两个场效应晶体管、例如铁电场效应晶体管的处理设备来处理输入变量的方法，其中所述至少两个场效应晶体管的负载路径各自连接到第一电路节点，其中该方法包括：将第一操控信号加载到第一场效应晶体管的栅极电极，其中所述第一操控信号表征与第一场效应晶体管相关联的第一输入变量；将第二操控信号加载到第二场效应晶体管的栅极电极，其中所述第二操控信号表征与第二场效应晶体管相关联的第一输入变量，其中所述第一操控信号和/或第二操控信号中的至少一个至少暂时具有非恒定幅度。
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公开(公告)号：CN115989492A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052033.9
申请日：2021-08-12
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于矩阵运算电路的电流计数电路，所述电流计数电路具有用于输入电流的电路输入端，所述输入电流是所述矩阵运算电路的输出电流。所述电流计数电路被设立为：在所述电路输入端处提供接地电位；将在所述电路输入端处的所述输入电流在时间上进行积分；对储存电荷进行储存，所述储存电荷与积分后的输入电流成比例地按照比例常数来被增加直至预定最大储存电荷；以电荷计量单位来量化所述积分后的输入电流，其中所述电荷计量单位在考虑所述比例常数的情况下对应于所述最大储存电荷；而且将向下舍入到最接近的整数的电荷计量单位的积分后的输入电流确定为计数和。本发明还涉及：一种求和电路，所述求和电路包括矩阵运算电路和多个与所述矩阵运算电路的电流输出端连接的电流计数电路；一种用于运行求和电路的方法、一种用于执行该方法的计算单元和一种包括求和电路和计算单元的计算模块。
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公开(公告)号：CN115605881A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180037983.4
申请日：2021-05-10
申请人： 罗伯特·博世有限公司(DE)
发明人： A·贡托罗 , C·E·德拉帕拉阿帕利希奥 , T·索里曼
摘要： 用于计算针对两个输入数（2a，2b）的积（3）或者和的近似值的运算部件（1），其包括多个运算模块（4，4a，4b），其中所述运算模块中的至少一个（4a）设置为，计算输入数（2a，2b）的数字的单个积或单个和，并且其中多个运算模块（4b）互连成加法运算部件（5），所述加法运算部件（5）构造为，从单个积中或从单个和中计算所述积（3）或所述和的数字（3a‑3k），其中在运算部件（1）中缺少如下至少一个运算模块（4）：对于计算至少一个单个积或单个和，和/或对于将所述单个积或所述单个和传播到所述积（3）或所述和上，需要所述至少一个运算模块（4）；或者所述至少一个运算模块（4）在那里互连成使得，在运算部件（1）的运行时间期间，可选择性地完全或者部分停用所述至少一个运算模块（4）。
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公开(公告)号：CN115410613A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210574129.8
申请日：2022-05-25
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C5/14 , G11C11/401
摘要： 本发明涉及一种存储器设备，包括布置在第一单元阵列中的大量存储器单元，多个第一位线，其中所述第一单元阵列的多个存储器单元分别与所述多个第一位线中的每个第一位线连接以便能够经由所述位线访问所述存储器单元，以及多个读出放大器对，每个读出放大器对包括第一和第二读出放大器。每个第一位线与一个读出放大器对相关联，其中每个第一位线与相应的第一半导体开关元件连接，通过所述第一半导体开关元件所述位线能够与关联于所述位线的读出放大器对的第一读出放大器导电连接和隔离。每个第一位线与相应的第二半导体开关元件连接，通过所述第二半导体开关元件所述位线能够与关联于所述位线的读出放大器对的第二读出放大器导电连接和隔离。
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公开(公告)号：CN118860331A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410512966.7
申请日：2024-04-26
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 一种用于借助于具有至少一个第一晶体管、例如场效应晶体管的处理装置来处理输入参量的方法，该方法具有：提供第一晶体管和第一忆阻电路装置，该第一忆阻电路装置表征与第一晶体管相关联的第一输入参量，其中，借助于该第一忆阻电路装置，能影响与第一晶体管的控制电极相关联的电容的充电电流；向第一晶体管的控制电极施加第一操控信号，该第一操控信号表征与第一晶体管相关联的第二输入参量，并且该第一操控信号至少暂时具有非恒定幅度；基于对经过第一晶体管的负载路径的电流的随时间的变化过程进行表征的第一参量，确定第一输出参量。
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公开(公告)号：CN118672547A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410306051.0
申请日：2024-03-18
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 用于借助于具有至少一个第一晶体管、例如场效应晶体管的处理设备处理输入参量的方法，包括：提供第一晶体管和第一忆阻元件，所述第一忆阻元件表征与第一晶体管相关联的第一输入参量，其中能够借助于第一忆阻元件影响与第一晶体管的控制电极相关联的电容的充电电流；给第一晶体管的控制电极加载第一操控参量，所述第一操控参量表征与所述第一晶体管相关联的第二输入参量；基于表征流过所述第一晶体管的负载分段的电流的时间变化过程的第一参量确定第一输出参量，所述第一输出参量表征第一输入参量和第二输入参量的至少一个乘积。
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公开(公告)号：CN118467906A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410177302.X
申请日：2024-02-08
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 本发明涉及用于执行向量运算的电路，包括：与列线连接的多个存储单元，每个存储单元都具有输入端子和栅极端子与输入端子连接的半导体开关元件，漏极端子或源极端子分别与列线连接，在栅极端子上的数值上足够高的栅极电压的情况下存储单元被激活，使得在漏极端子和源极端子上合适的电压的情况下从列线传导单元电流或将单元电流传导到列线中；输入电压电路，其与输入端子连接并且被设立用于根据可预先给定的输入值产生输入电压；与列线连接或可连接的检测电路，其被设立用于在预定或可确定的检测时间点检测由模数转换器确定的数字值，以便确定与检测时间点相对应的测量值并将在降低时间点的测量电流降低已经激活的存储单元的单元电流。
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