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公开(公告)号：CN110622301B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14
摘要： 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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公开(公告)号：CN107924893A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050757.9
申请日：2016-08-17
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 吉原克彦
摘要： 功率模块（100）具备：接合有未图示的半导体芯片的散热器（106c）、以使散热器（106c）的至少一部分露出的方式密封半导体芯片的外围的封装（101）、以及对使用导热材料（120）将散热器（106c）与冷却器（110）接合时的、导热材料（120）的厚度进行限制的厚度控制用突起部（104）。提供一种能够确保充分的冷却性能并且能够抑制由于过热造成的劣化的、可靠性高的功率模块、功率模块的散热构造、以及功率模块的接合方法。
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公开(公告)号：CN108701688B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201680071026.2
申请日：2016-10-17
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 功率模块装置（10）具备：功率模块（100A），具有：进行功率的开关的半导体器件、对半导体器件的外围进行密封的封装（110）、和与封装（110）的一个表面接合的散热器（42）；以及冷却装置（30），具有冷却水流动的冷却水道（33），在设置于冷却水道（33）的中途的开口部（35）装配功率模块（100A）的散热器（42），在冷却装置（30）的开口部（35）装配功率模块（100A）的散热器（42），以使从冷却水道（33）的开口部（35）的最上部（33T）到最下部（33B）的高度ha、与从冷却水道（33）的开口部（35）的最下部（33B）到散热器（42）的与封装（110）的接合面所相对的基端部（PB）的高度hb、实质上相同。提供能够高效率地冷却将散热器装配于在冷却装置的上表面部形成的开口部的功率模块而能够抑制由于过热造成的劣化的功率模块装置。
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公开(公告)号：CN108701688A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680071026.2
申请日：2016-10-17
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01L23/473 , B60K1/00 , B60K6/22 , B60K11/02 , B60K2001/003 , B60Y2200/91 , B60Y2200/92 , F28F3/022 , F28F3/04 , F28F2230/00 , H01L23/10 , H01L23/3672 , H01L24/32 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L2224/32245 , H01L2224/49113 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14252 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H02M7/003 , H02M7/5387 , H02M2001/327 , H05K7/209 , H05K7/20927 , Y10S903/904
摘要： 功率模块装置（10）具备：功率模块（100A），具有：进行功率的开关的半导体器件、对半导体器件的外围进行密封的封装（110）、和与封装（110）的一个表面接合的散热器（42）；以及冷却装置（30），具有冷却水流动的冷却水道（33），在设置于冷却水道（33）的中途的开口部（35）装配功率模块（100A）的散热器（42），在冷却装置（30）的开口部（35）装配功率模块（100A）的散热器（42），以使从冷却水道（33）的开口部（35）的最上部（33T）到最下部（33B）的高度ha、与从冷却水道（33）的开口部（35）的最下部（33B）到散热器（42）的与封装（110）的接合面所相对的基端部（PB）的高度hb、实质上相同。提供能够高效率地冷却将散热器装配于在冷却装置的上表面部形成的开口部的功率模块而能够抑制由于过热造成的劣化的功率模块装置。
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公开(公告)号：CN110622301A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14
摘要： 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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公开(公告)号：CN118633159A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019178.8
申请日：2023-01-23
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 吉原克彦
摘要： 半导体装置具备：第一导电部件；第二导电部件，其在第一方向上与所述第一导电部件分离；第一半导体元件，其与所述第一导电部件接合；第二半导体元件，其与所述第二导电部件接合；第三导电部件；第四导电部件，其将所述第一半导体元件与所述第二导电部件连接；以及第五导电部件，其将所述第二半导体元件与所述第三导电部件连接。所述第三导电部件包括在所述第一方向上位于所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的第一部分，所述第一部分在厚度方向上与所述第一导电部件对置。所述第五导电部件的一端与所述第一部分接合。所述第四导电部件跨越所述第一部分。
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公开(公告)号：CN118414711A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280084122.6
申请日：2022-12-15
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 吉原克彦
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/60 , H01L29/12 , H01L29/739
摘要： 半导体装置具备支撑部件、半导体元件、缓冲层以及导通部件。所述半导体元件具有在第一方向上位于与所述支撑部件相对的一侧的相反侧的第一电极以及栅极电极。所述半导体元件与所述支撑部件接合。所述缓冲层与所述第一电极导电接合。所述导通部件与所述缓冲层导电接合。第一固相扩散结合层位于所述第一电极与所述缓冲层之间。所述半导体元件具有在所述第一方向上位于与所述栅极电极所在的一侧相同的一侧且与所述栅极电极相连的栅极指。所述栅极指包括比所述第一电极更向所述缓冲层突出的凸部。在所述缓冲层形成有在所述第一方向上从与所述半导体元件相对的一侧凹陷的凹部。所述凸部的至少一部分收纳于所述凹部。
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公开(公告)号：CN116598263A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310804059.5
申请日：2018-05-10
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 本发明提供功率半导体装置和半导体功率模块。该功率半导体装置具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下。
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公开(公告)号：CN107924893B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201680050757.9
申请日：2016-08-17
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 吉原克彦
摘要： 功率模块（100）具备：接合有未图示的半导体芯片的散热器（106c）、以使散热器（106c）的至少一部分露出的方式密封半导体芯片的外围的封装（101）、以及对使用导热材料（120）将散热器（106c）与冷却器（110）接合时的、导热材料（120）的厚度进行限制的厚度控制用突起部（104）。提供一种能够确保充分的冷却性能并且能够抑制由于过热造成的劣化的、可靠性高的功率模块、功率模块的散热构造、以及功率模块的接合方法。
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