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公开(公告)号：CN110622301A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14
摘要： 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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公开(公告)号：CN110622301B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880031217.5
申请日：2018-05-10
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14
摘要： 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
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公开(公告)号：CN109005670B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201780021453.4
申请日：2017-03-31
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 功率模块(100)具备：第1绝缘基板(10)，其具备第1导电层(14D)；第1半导体器件(Q4)，其配置在第1导电层(14D)上，且主电极的一方与第1导电层(14D)连接；第2绝缘基板(20)，其在第1绝缘基板(10)上方与第1半导体器件(Q4)对置地配置，且在表面以及背面具备第2导电层(6U)以及第3导电层(14U)；第1柱状电极(16)，其连接第1导电层(14D)和第2导电层(6U)；以及第2柱状电极(17)，其连接第1半导体器件(Q4)的主电极的另一方和第3导电层(14U)。这里，第2导电层(6U)连接于向第1半导体器件(Q4)供给电源的正极图案或者负极图案的任意一方，第3导电层(14U)连接于另一方。本发明提供能够小型化且可靠性高的功率模块及其制造方法。
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公开(公告)号：CN116598263A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310804059.5
申请日：2018-05-10
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 本发明提供功率半导体装置和半导体功率模块。该功率半导体装置具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下。
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公开(公告)号：CN109005670A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201780021453.4
申请日：2017-03-31
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H02M7/48 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 功率模块(100)具备：第1绝缘基板(10)，其具备第1导电层(14D)；第1半导体器件(Q4)，其配置在第1导电层(14D)上，且主电极的一方与第1导电层(14D)连接；第2绝缘基板(20)，其在第1绝缘基板(10)上方与第1半导体器件(Q4)对置地配置，且在表面以及背面具备第2导电层(6U)以及第3导电层(14U)；第1柱状电极(16)，其连接第1导电层(14D)和第2导电层(6U)；以及第2柱状电极(17)，其连接第1半导体器件(Q4)的主电极的另一方和第3导电层(14U)。这里，第2导电层(6U)连接于向第1半导体器件(Q4)供给电源的正极图案或者负极图案的任意一方，第3导电层(14U)连接于另一方。本发明提供能够小型化且可靠性高的功率模块及其制造方法。
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