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公开(公告)号:CN109794849A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201811372364.7
申请日:2018-11-16
Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供一种适用于抛光集成电路晶片的抛光垫。聚氨基甲酸酯抛光层具有顶表面和所述聚氨基甲酸酯抛光层中的至少一个凹槽。位于所述聚氨基甲酸酯抛光层内的至少一个共聚物磨损检测器检测邻近所述至少一个凹槽的所述抛光层的磨损。所述至少一个磨损检测器包括两个区域,第一区域是与UV可固化连接基团和第二非荧光区域连接的荧光丙烯酸酯/氨基甲酸酯共聚物。所述磨损检测器允许检测所述抛光层的磨损。
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公开(公告)号:CN109794849B
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN201811372364.7
申请日:2018-11-16
Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC: B24B37/22 , B24B37/26 , B24B37/005 , B24B49/12
Abstract: 本发明提供一种适用于抛光集成电路晶片的抛光垫。聚氨基甲酸酯抛光层具有顶表面和所述聚氨基甲酸酯抛光层中的至少一个凹槽。位于所述聚氨基甲酸酯抛光层内的至少一个共聚物磨损检测器检测邻近所述至少一个凹槽的所述抛光层的磨损。所述至少一个磨损检测器包括两个区域,第一区域是与UV可固化连接基团和第二非荧光区域连接的荧光丙烯酸酯/氨基甲酸酯共聚物。所述磨损检测器允许检测所述抛光层的磨损。
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公开(公告)号:CN109794850B
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201811372365.1
申请日:2018-11-16
Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种适用于抛光集成电路晶片的抛光垫。其包括上抛光层,所述上抛光层具有抛光表面和所述上抛光层中的至少一个凹槽。至少一个透明窗口位于所述上层内。所述至少一个透明窗口的厚度大于所述至少一个凹槽的所期望磨损深度。所述至少一个透明窗口包括非荧光透明聚合物;和荧光透明聚合物。所述透明窗口允许通过在足以激发所述荧光透明聚合物的波长下用活化源活化所述荧光透明聚合物来测量凹槽深度,并允许通过经由所述荧光透明聚合物和所述非荧光透明聚合物发送光来进行终点检测。
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公开(公告)号:CN118123702A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202311615797.1
申请日:2023-11-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC: B24B37/26
Abstract: 抛光垫具有聚合物基质,用于抛光半导体、磁性和光学基材中的至少一种的抛光表面以及底表面;粘附到该抛光垫的该底表面的多孔子垫。该多孔子垫包括用于将该抛光垫固定到该多孔子垫的无孔微层。多孔聚合物网络含有i)与该无孔微层相邻的单层闭孔微孔,用于将压缩力从该抛光垫的该底表面转移到该多孔子垫;以及ii)与该单层闭孔微孔相邻的多层闭孔、开孔或闭孔和开孔微孔的混合物。
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公开(公告)号:CN109794850A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201811372365.1
申请日:2018-11-16
Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种适用于抛光集成电路晶片的抛光垫。其包括上抛光层,所述上抛光层具有抛光表面和所述上抛光层中的至少一个凹槽。至少一个透明窗口位于所述上层内。所述至少一个透明窗口的厚度大于所述至少一个凹槽的所期望磨损深度。所述至少一个透明窗口包括非荧光透明聚合物;和荧光透明聚合物。所述透明窗口允许通过在足以激发所述荧光透明聚合物的波长下用活化源活化所述荧光透明聚合物来测量凹槽深度,并允许通过经由所述荧光透明聚合物和所述非荧光透明聚合物发送光来进行终点检测。
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公开(公告)号:CN118123703A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202311622590.7
申请日:2023-11-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC: B24B37/26
Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光垫的多孔子垫,该化学机械抛光垫包含抛光层,该抛光层具有聚合物基质,用于抛光半导体、磁性和光学基材中的至少一种的抛光表面以及底表面。该多孔子垫包括具有聚合物基质的无孔层和具有该抛光垫的底表面的微米级负压痕的多层。该多层是充气的闭孔、开孔或闭孔和开孔微孔的混合物;并且该多层在该抛光垫的整个抛光寿命期间保持充气。
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