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公开(公告)号：CN111788685A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015450.9
申请日：2019-02-22
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108 , G11C11/40
摘要： 使用三维存储器器件的系统和方法可用于各种应用中，所述三维存储器器件具有垂直地设置在沿水平方向布置的多个柱中的多个存储器单元。在各种实施例中，存储器单元的柱可设置在分别耦合到不同的读出放大器的下数字线与上数字线之间，以提供读取/写入操作和刷新操作。在各种实施例中，具有垂直地布置在柱中的存储器单元的阵列的三维存储器器件可包含读出放大器和具有静态随机存取存储器高速缓存的数字线，其中静态随机存取存储器高速缓存设置在同一管芯中的存储器单元的阵列下方。公开了附加的设备、系统和方法。
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公开(公告)号：CN110520989B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880025498.3
申请日：2018-05-08
申请人： 美光科技公司
摘要： 本发明提供一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层级。所述存储器单元个别地包含晶体管，所述晶体管包括中间具有沟道区的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区以及可操作地接近所述沟道区的栅极。所述沟道区的至少部分水平地定向以用于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的所述部分中的水平电流流动。所述存储器单元个别地包含电容器，所述电容器包括中间具有电容器绝缘体的第一电极及第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。所述阵列中的多个所述电容器的第二电容器电极彼此电耦合。感测线结构竖向延伸通过所述垂直交替层级。不同存储器单元层级中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述竖向延伸的感测线结构。
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公开(公告)号：CN112397513B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010772493.6
申请日：2020-08-04
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 本申请涉及氧化修整。描述了涉及使用氧气来修整半导体结构的方法、设备和系统。一种示例方法包含形成半导体结构的支撑结构，所述支撑结构具有工作表面上的第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含穿过所述半导体结构形成开口。所述方法进一步包含在所述开口内沉积电极材料。所述方法进一步包含去除所述支撑结构的部分。所述方法进一步包含对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。
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公开(公告)号：CN112397513A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010772493.6
申请日：2020-08-04
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 本申请涉及氧化修整。描述了涉及使用氧气来修整半导体结构的方法、设备和系统。一种示例方法包含形成半导体结构的支撑结构，所述支撑结构具有工作表面上的第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含穿过所述半导体结构形成开口。所述方法进一步包含在所述开口内沉积电极材料。所述方法进一步包含去除所述支撑结构的部分。所述方法进一步包含对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。
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公开(公告)号：CN111095556A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880060496.8
申请日：2018-10-04
申请人： 美光科技公司
发明人： F·D·菲什伯恩
IPC分类号： H01L27/108 , H01L25/065 , H01L23/528
摘要： 一些实施例包含具有交替的第一层级和第二层级的堆叠的组合件。所述第一层级是绝缘层级。所述第二层级是具有集成装置的装置层级。所述集成装置中的每一者具有与相关联电容器耦合的晶体管，并且所述电容器从所述晶体管水平地偏移。所述晶体管具有半导体沟道材料，并且具有沿所述半导体沟道材料的晶体管栅极。所述晶体管中的每一者具有沿所述半导体沟道材料的一侧并且与所述相关联电容器耦合的第一源极/漏极区，并且具有第二源极/漏极区。字线沿所述装置层级水平延伸并且与所述晶体管栅极耦合。数字线垂直地延伸穿过所述装置层级并且与所述第二源极/漏极区耦合。一些实施例包含形成集成结构的方法。
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公开(公告)号：CN111095556B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880060496.8
申请日：2018-10-04
申请人： 美光科技公司
发明人： F·D·菲什伯恩
IPC分类号： H10B12/00 , H10B80/00 , H01L23/528
摘要： 一些实施例包含具有交替的第一层级和第二层级的堆叠的组合件。所述第一层级是绝缘层级。所述第二层级是具有集成装置的装置层级。所述集成装置中的每一者具有与相关联电容器耦合的晶体管，并且所述电容器从所述晶体管水平地偏移。所述晶体管具有半导体沟道材料，并且具有沿所述半导体沟道材料的晶体管栅极。所述晶体管中的每一者具有沿所述半导体沟道材料的一侧并且与所述相关联电容器耦合的第一源极/漏极区，并且具有第二源极/漏极区。字线沿所述装置层级水平延伸并且与所述晶体管栅极耦合。数字线垂直地延伸穿过所述装置层级并且与所述第二源极/漏极区耦合。一些实施例包含形成集成结构的方法。
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公开(公告)号：CN114078857A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110923596.2
申请日：2021-08-12
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本申请案涉及包含半导电支柱结构的微电子装置与相关方法及电子系统。一种微电子装置包括：半导电支柱结构，其包括中央部分、第一末端部分及在所述中央部分的与所述第一末端部分相对的侧上的第二末端部分，所述第一末端部分相对于所述中央部分成一定角度定向且基本上平行于所述第二末端部分延伸；数字线触点，其在所述半导电支柱结构的所述中央部分上；第一存储节点触点，其在所述第一末端部分上；及第二存储节点触点，其在所述第二末端部分上。还描述相关微电子装置、电子系统及方法。
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公开(公告)号：CN111788685B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201980015450.9
申请日：2019-02-22
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108 , G11C11/40
摘要： 使用三维存储器器件的系统和方法可用于各种应用中，所述三维存储器器件具有垂直地设置在沿水平方向布置的多个柱中的多个存储器单元。在各种实施例中，存储器单元的柱可设置在分别耦合到不同的读出放大器的下数字线与上数字线之间，以提供读取/写入操作和刷新操作。在各种实施例中，具有垂直地布置在柱中的存储器单元的阵列的三维存储器器件可包含读出放大器和具有静态随机存取存储器高速缓存的数字线，其中静态随机存取存储器高速缓存设置在同一管芯中的存储器单元的阵列下方。公开了附加的设备、系统和方法。
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公开(公告)号：CN110520989A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880025498.3
申请日：2018-05-08
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11526
摘要： 本发明提供一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层级。所述存储器单元个别地包含晶体管，所述晶体管包括中间具有沟道区的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区以及可操作地接近所述沟道区的栅极。所述沟道区的至少部分水平地定向以用于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的所述部分中的水平电流流动。所述存储器单元个别地包含电容器，所述电容器包括中间具有电容器绝缘体的第一电极及第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。所述阵列中的多个所述电容器的第二电容器电极彼此电耦合。感测线结构竖向延伸通过所述垂直交替层级。不同存储器单元层级中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述竖向延伸的感测线结构。
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