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公开(公告)号：CN110520989B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880025498.3
申请日：2018-05-08
申请人： 美光科技公司
摘要： 本发明提供一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层级。所述存储器单元个别地包含晶体管，所述晶体管包括中间具有沟道区的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区以及可操作地接近所述沟道区的栅极。所述沟道区的至少部分水平地定向以用于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的所述部分中的水平电流流动。所述存储器单元个别地包含电容器，所述电容器包括中间具有电容器绝缘体的第一电极及第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。所述阵列中的多个所述电容器的第二电容器电极彼此电耦合。感测线结构竖向延伸通过所述垂直交替层级。不同存储器单元层级中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述竖向延伸的感测线结构。
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公开(公告)号：CN113169172A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078563.3
申请日：2019-11-19
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11514 , H01L27/11504 , H01L27/11512 , H01L27/11509
摘要： 一种存储器阵列包括绝缘材料和存储器单元的竖直交替层。所述存储器单元个别地包括晶体管，所述晶体管包括其间具有沟道区的第一和第二源极/漏极区，以及以操作方式接近所述沟道区的栅极。所述个别存储器单元包括电容器，所述电容器包括其间具有电容器绝缘体的第一和第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。字线结构竖向地延伸穿过所述竖直交替层的所述绝缘材料和所述存储器单元。所述存储器单元层中的不同者的所述栅极的个别者直接电耦合到所述字线结构的个别者。感测线电耦合到所述晶体管的个别者的所述第二源极/漏极区中的多个。公开了其它实施例。
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公开(公告)号：CN118234226A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410316844.0
申请日：2018-11-19
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及包括存储器单元的存储器阵列。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区与所述数位线耦合，并且所述存储器单元中的每个存储器单元包含与所述相关联的晶体管的所述第二源极/漏极区耦合的电容器。公开了其它实施例。
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公开(公告)号：CN110520989A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880025498.3
申请日：2018-05-08
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11526
摘要： 本发明提供一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层级。所述存储器单元个别地包含晶体管，所述晶体管包括中间具有沟道区的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区以及可操作地接近所述沟道区的栅极。所述沟道区的至少部分水平地定向以用于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的所述部分中的水平电流流动。所述存储器单元个别地包含电容器，所述电容器包括中间具有电容器绝缘体的第一电极及第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。所述阵列中的多个所述电容器的第二电容器电极彼此电耦合。感测线结构竖向延伸通过所述垂直交替层级。不同存储器单元层级中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述竖向延伸的感测线结构。
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公开(公告)号：CN109075166A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024561.7
申请日：2017-04-17
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11529
摘要： 一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。所述导电层上方的层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。在一些实施例中，所述竖直堆叠导电层是NAND存储器阵列内的字线层。一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。竖直堆叠NAND存储器单元在存储器阵列区域内沿着所述导电层。阶梯区域紧接所述存储器阵列区域。所述阶梯区域具有与所述导电层一对一对应的电接触件。层在所述存储器阵列区域及所述阶梯区域上方。所述层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。
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公开(公告)号：CN107706190A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710677023.X
申请日：2017-08-09
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/1157
CPC分类号： H01L27/11556 , H01L27/11519 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/1157
摘要： 本申请案涉及包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间。
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公开(公告)号：CN109075166B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780024561.7
申请日：2017-04-17
申请人： 美光科技公司
摘要： 一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。所述导电层上方的层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。在一些实施例中，所述竖直堆叠导电层是NAND存储器阵列内的字线层。一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。竖直堆叠NAND存储器单元在存储器阵列区域内沿着所述导电层。阶梯区域紧接所述存储器阵列区域。所述阶梯区域具有与所述导电层一对一对应的电接触件。层在所述存储器阵列区域及所述阶梯区域上方。所述层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。
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公开(公告)号：CN110574160A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027812.1
申请日：2018-05-08
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11514 , H01L27/11504 , H01L27/11507 , H01L21/28
摘要： 一种存储器阵列包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级。所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器。(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方。揭示额外实施例及方面。
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公开(公告)号：CN111742409B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201880039837.3
申请日：2018-11-19
申请人： 美光科技公司
摘要： 一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有竖直堆叠的存储器单元。所述存储器单元中的每个存储器单元包含与电荷存储装置耦合的晶体管，并且所述晶体管中的每个晶体管具有能带隙大于2电子伏特的沟道材料。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区与所述数位线耦合，并且所述存储器单元中的每个存储器单元包含与所述相关联的晶体管的所述第二源极/漏极区耦合的电容器。公开了其它实施例。
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