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公开(公告)号：CN117940619A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059231.2
申请日：2022-09-01
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26 , G01F23/292
摘要： 本发明提供一种无论炉内结构如何都能够稳定地测量液面水平的单晶的制造方法及装置。本发明为基于从坩埚内的熔液中提拉单晶的切克劳斯基法的单晶的制造方法，其中，设置覆盖除单晶的提拉路径以外的坩埚的上方的热遮蔽体；利用第1摄像机拍摄热遮蔽体的实像(17R)及映射在熔液面(2a)的热遮蔽体的镜像(17M)；设定检测线(L1)，所述检测线(L1)在相对于的提拉轴倾斜的倾斜方向上延伸且与热遮蔽体的实像边缘(ER)及镜像边缘(EM)这两者相交；根据从检测线(L1)与实像边缘(ER)的第1交点(P1)至检测线(L1)与镜像边缘(EM)的第2交点(P2)的距离即检测线(L1)上的实像‑镜像间距离(D)求出热遮蔽体的下端与熔液面(2a)之间的距离即间隙值。
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公开(公告)号：CN114134559B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111003259.8
申请日：2021-08-30
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 下崎一平
摘要： 提高基于F环法的间隙测量精度。单晶制造装置具备从融液提拉单晶的单晶提拉部、处理照相机的拍摄图像的运算部、基于运算部的处理结果控制晶体提拉条件的控制部。运算部具有第1运算部和第2运算部，第1运算部根据照相机的拍摄图像中映现的隔热部件的开口的实像与映入融液面的隔热部件的开口的镜像的大小算出隔热部件的下端与融液面之间的第1间隙测量值，第2运算部根据晶体中心位置的高度方向的变化量将隔热部件的下端与融液面之间的第2间隙测量值相对地算出，晶体中心位置的高度方向的变化量根据在照相机的拍摄图像中映现的单晶和融液的边界产生的融合环求出。第2运算部用预先准备的间隙修正量表格修正第2间隙测量值。
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公开(公告)号：CN115461500B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202180029654.5
申请日：2021-01-06
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明的课题在于提高晶体提拉工序中测量的单晶直径的测量精度。本发明的单晶制造装置(10)具备：从熔液(13)提拉单晶(15)的单晶提拉部、拍摄在熔液(13)与单晶(15)的边界部产生的熔合环的相机(18)及处理相机(18)的拍摄图像的演算部(24)。演算部(24)根据相机(18)的设置角度(θC)及焦距，将显现于相机(18)的拍摄图像中的熔合环投影转换至相当于熔液的液面的基准平面上，并根据基准平面上的熔合环的形状来计算单晶(15)的直径。
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公开(公告)号：CN114134559A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111003259.8
申请日：2021-08-30
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 下崎一平
摘要： 提高基于F环法的间隙测量精度。单晶制造装置具备从融液提拉单晶的单晶提拉部、处理照相机的拍摄图像的运算部、基于运算部的处理结果控制晶体提拉条件的控制部。运算部具有第1运算部和第2运算部，第1运算部根据照相机的拍摄图像中映现的隔热部件的开口的实像与映入融液面的隔热部件的开口的镜像的大小算出隔热部件的下端与融液面之间的第1间隙测量值，第2运算部根据晶体中心位置的高度方向的变化量将隔热部件的下端与融液面之间的第2间隙测量值相对地算出，晶体中心位置的高度方向的变化量根据在照相机的拍摄图像中映现的单晶和融液的边界产生的融合环求出。第2运算部用预先准备的间隙修正量表格修正第2间隙测量值。
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公开(公告)号：CN114318511A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111152966.3
申请日：2021-09-29
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明涉及用于制造无缺陷单晶硅晶体的方法和设备。一种晶体提拉机设备包括提拉组件，其用以以提拉速度从硅熔体提拉晶体；坩埚，其装纳硅熔体；在硅熔体的表面上方的热屏蔽件；升降器，其用以改变热屏蔽件和硅熔体的表面之间的间隙；以及一个或多个计算装置，其用以响应于提拉速度的变化在晶体的给定长度下使用Pv‑Pi容限来确定对间隙的调节。由计算装置进行的计算机实施的方法包括确定提拉速度命令信号以控制晶体的直径；确定升降器命令信号以控制热屏蔽件和从其生长晶体的硅熔体的表面之间的间隙；以及响应于不同的提拉速度使用Pv‑Pi容限来确定对间隙的调节。
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公开(公告)号：CN111809230A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010273289.X
申请日：2020-04-09
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 下崎一平
摘要： 单晶硅的间隙尺寸决定方法，其中，模拟单晶硅的缺陷分布和提拉速度的关系，基于模拟结果来确定得到只具有无缺陷区域的单晶硅的提拉速度的裕度，基于将通过模拟得到的缺陷分布数值化得到的值、通过模拟得到的提拉速度的裕度和间隙尺寸的第1关系，以及将评价用单晶硅的缺陷分布数值化得到的值和制备评价用单晶硅时的间隙尺寸的第2关系，推断制备评价用单晶硅时的提拉速度的裕度，决定使得比该推断的提拉速度的裕度更为增大的间隙尺寸。
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公开(公告)号：CN118984892A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202380032892.0
申请日：2023-02-01
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： [课题]提供能够定量评价石英坩埚的变形、偏心的有无或变形、偏心的大小的硅单晶的制造方法和装置。[解决方案]本发明是从石英坩埚11内的硅熔液2提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其中以规定的时间间隔取得包含反映在硅熔液2的熔液面2a上的石英坩埚11的镜像11M的影像，根据在石英坩埚11至少旋转一圈期间取得的多张影像所映现的石英坩埚11的镜像11M的位置的时间变化来评价石英坩埚11的变形或偏心。
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公开(公告)号：CN116324049A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180068532.7
申请日：2021-09-22
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： C30B15/20
摘要： 本发明提供一种单晶的制造方法，准确地测量晶种与熔液面的间隔，由此减少晶种的预热位置的偏差。所述单晶的制造方法具备如下步骤：测量在熔液的上方设置的晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(LS)；基于间隔使晶种(5)下降而着液于熔液；一边维持与熔液的接触状态一边提拉晶种(5)来生长单晶。在测量间隔(LS)的步骤中，使用在熔液面(2a)的斜上方设置的相机(20)拍摄晶种(5)和熔液面(2a)，对在拍摄图像中拍到的晶种(5)的实像(5R)的直体部(5a)的下端的边缘图案进行圆形近似来生成实像边缘近似圆，并且，对在熔液面(2a)中映入的晶种(5)的镜像(5M)的直体部(5a)的上端的边缘图案进行圆形近似来生成镜像边缘近似圆，根据从实像边缘近似圆的中心坐标到镜像边缘近似圆的中心坐标的距离算出晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(Ls)。
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公开(公告)号：CN115461500A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180029654.5
申请日：2021-01-06
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明的课题在于提高晶体提拉工序中测量的单晶直径的测量精度。本发明的单晶制造装置(10)具备：从熔液(13)提拉单晶(15)的单晶提拉部、拍摄在熔液(13)与单晶(15)的边界部产生的熔合环的相机(18)及处理相机(18)的拍摄图像的演算部(24)。演算部(24)根据相机(24)的设置角度(θC)及焦距，将显现于相机(18)的拍摄图像中的熔合环投影转换至相当于熔液的液面的基准平面上，并根据基准平面上的熔合环的形状来计算单晶(15)的直径。
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