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公开(公告)号：CN116888712A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280016459.3
申请日：2022-01-28
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 宫崎裕司
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 加工条件设定装置(20)具备从多个参数集选择应用于晶圆加工装置(1)的参数集的控制部(22)。控制部(22)关于各参数集，基于加工对象晶圆的加工前特性和加工数据，推定假定成应用各参数集对加工对象晶圆进行加工时的加工后特性。控制部(22)关于各加工后特性算出两种以上的指标，取得与指标相关的限制条件。控制部(22)从参数集中的指标满足限制条件的适当参数集中选择在对加工对象晶圆进行加工时应用于晶圆加工装置(1)的参数集。
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公开(公告)号：CN117769477A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280040078.9
申请日：2022-03-08
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , H01L21/304 , B24B49/12 , B24B49/04 , B24B37/08
摘要： 提供一种在双面研磨中能够在工件整体及工件外周部的形状成为作为目标的形状的时间点使双面研磨结束的工件的双面研磨装置。运算部(13)根据由工件厚度计测器计测出的工件的厚度数据，求出工件的形状成分、工件的形状成分的工件上的工件径向的位置、工件的形状分布及工件整体的形状指标；将所求出的每个工件的工件整体的形状指标成为工件整体的形状指标的设定值的时间点设为将双面研磨结束的时间点，在该时间点将双面研磨结束，所述工件整体的形状指标的设定值，基于本次的批次中的工件整体的形状指标的目标值与前次的批次中的工件整体的形状指标的实际值的差、以及前次的批次中的工件外周部的形状指标的实际值从本次的批次中的工件外周部的形状指标的目标范围的偏差决定。
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公开(公告)号：CN111295740B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201880062429.X
申请日：2018-10-23
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 宫崎裕司
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B49/12
摘要： 本发明提供能够抑制是研磨后的晶圆的GBIR值的批次间的不均的晶圆的双面研磨方法。本发明的晶圆的双面研磨方法的特征在于，在现批次具有测定研磨前的晶圆的中心厚度的工序(S100)、从既定的范围设定目标GBIR值的工序(S110)、基于下述(1)式算出现批次的研磨时间的工序(S120)、以该算出的研磨时间将晶圆的双面研磨的工序(S130)。(1)式为，现批次的研磨时间＝前批次的研磨时间＋A1×(前批次的研磨前的晶圆的中心厚度‑现批次的研磨前的晶圆的中心厚度)＋A2×(前批次的研磨后的晶圆的GBIR值‑目标GBIR值)＋A3，其中，A1、A2及A3为既定的系数。
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公开(公告)号：CN110004487B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811502962.1
申请日：2018-12-10
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明涉及外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法。提供能够改善外延层形成时的膜厚均匀性控制的鲁棒性的外延生长装置。根据本发明的外延生长装置（100）是，一种外延生长装置，其特征在于，具有：载置半导体晶片（W）的基座（20）、向半导体晶片（W）的上表面供给第1工艺气体（G1）的第1气体供给部（150）、以及供给对半导体晶片（W）的周缘部中的第1工艺气体（G1）的气流进行控制的第2工艺气体（G2）的第2气体供给部（170），配设第2气体供给部，以使同时供给第1和第2工艺气体（G1）、（G2）时的第2工艺气体（G2）的气流的主流路（F）流入到基座（20）上并且该主流路与半导体晶片（W）的周缘隔离。
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公开(公告)号：CN113573843A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980094479.0
申请日：2019-12-26
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 宫崎裕司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/08 , B24B49/03 , H01L21/304
摘要： 本发明的工件的两面抛光方法，包括：抛光前指标计算工序，在前批次中的两面抛光后，对于进行了该两面抛光的工件计算指标Xp；目标抛光时间计算工序，利用规定预测式，计算现批次中的目标抛光时间；以及两面抛光工序，利用所述目标抛光时间，两面抛光工件。并且，本发明的工件的两面抛光装置，具备：测定部，在前批次中的两面抛光后，测定进行该两面抛光的所述工件厚度工件的厚度；第1计算部，计算指标Xp；第2计算部，利用规定预测式，计算所述现批次中的目标抛光时间Tt；以及控制部，控制成利用所述目标抛光时间Tt两面抛光所述工件。
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公开(公告)号：CN111295740A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880062429.X
申请日：2018-10-23
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 宫崎裕司
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B49/12
摘要： 本发明提供能够抑制是研磨后的晶圆的GBIR值的批次间的不均的晶圆的双面研磨方法。本发明的晶圆的双面研磨方法的特征在于，在现批次具有测定研磨前的晶圆的中心厚度的工序(S100)、从既定的范围设定目标GBIR值的工序(S110)、基于下述(1)式算出现批次的研磨时间的工序(S120)、以该算出的研磨时间将晶圆的双面研磨的工序(S130)。(1)式为，现批次的研磨时间＝前批次的研磨时间＋A1×(前批次的研磨前的晶圆的中心厚度-现批次的研磨前的晶圆的中心厚度)＋A2×(前批次的研磨后的晶圆的GBIR值-目标GBIR值)＋A3，其中，A1、A2及A3为既定的系数。
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公开(公告)号：CN113573843B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201980094479.0
申请日：2019-12-26
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 宫崎裕司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/08 , B24B49/03 , H01L21/304
摘要： 本发明的工件的两面抛光方法，包括：抛光前指标计算工序，在前批次中的两面抛光后，对于进行了该两面抛光的工件计算指标Xp；目标抛光时间计算工序，利用规定预测式，计算现批次中的目标抛光时间；以及两面抛光工序，利用所述目标抛光时间，两面抛光工件。并且，本发明的工件的两面抛光装置，具备：测定部，在前批次中的两面抛光后，测定进行该两面抛光的所述工件厚度工件的厚度；第1计算部，计算指标Xp；第2计算部，利用规定预测式，计算所述现批次中的目标抛光时间Tt；以及控制部，控制成利用所述目标抛光时间Tt两面抛光所述工件。
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公开(公告)号：CN115297997A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202080098991.5
申请日：2020-12-28
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/08 , B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
摘要： 本发明的双面抛光装置中，在上平台或下平台具有从该上平台或该下平台的上表面贯穿至下表面的1个以上的贯穿孔，该双面抛光装置还包括1个以上的工件厚度测量仪器，所述工件厚度测量仪器能够在工件的双面抛光中，从所述1个以上的贯穿孔实时测量所述工件的厚度，在所述上平台或所述下平台的被所述贯穿孔分区的内周面设有金属制的筒状构件，所述双面抛光装置还包括设于设置在所述上平台的所述筒状构件的下部的下侧窗材、及设成覆盖设于所述上平台的所述贯穿孔的上侧的上侧窗材，或者，设于设置在所述下平台的所述筒状构件的上部的上侧窗材、及设成覆盖设于所述下平台的所述贯穿孔的下侧的下侧窗材。
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公开(公告)号：CN110004487A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811502962.1
申请日：2018-12-10
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： 本发明涉及外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法。提供能够改善外延层形成时的膜厚均匀性控制的鲁棒性的外延生长装置。根据本发明的外延生长装置（100）是，一种外延生长装置，其特征在于，具有：载置半导体晶片（W）的基座（20）、向半导体晶片（W）的上表面供给所述第1工艺气体（G1）的第1气体供给部（150）、以及供给对半导体晶片（W）的周缘部中的第1工艺气体（G1）的气流进行控制的第2工艺气体（G2）的第2气体供给部（170），配设第2气体供给部，以使同时供给第1和第2工艺气体（G1）、（G2）时的第2工艺气体（G2）的气流的主流路（F）流入到基座（20）上并且该主流路与半导体晶片（W）的周缘隔离。
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