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公开(公告)号：CN117904703A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410082199.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B15/10 , C03B20/00 , G01N21/59 , G01N21/3563
Abstract: 本发明涉及石英玻璃坩埚及使用该石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。本发明提供可提高氧浓度低的单晶硅的制造成品率的石英玻璃坩埚。本发明的石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(10a)、底部(10b)和连接侧壁部(10a)与底部(10b)的角部(10c)，所述石英玻璃坩埚(1)具备：透明层(11)，由不含气泡的石英玻璃构成；气泡层(12)，形成在透明层(11)的外侧，由包含多个气泡的石英玻璃构成；以及半熔融层(13)，形成在气泡层12的外侧，原料二氧化硅粉在半熔融的状态下凝固而成。去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率为25～51％，去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率比侧壁部(10a)的红外线透射率低，去除半熔融层(13)的状态下的侧壁部(10a)的红外线透射率比底部(10b)的红外线透射率低。
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公开(公告)号：CN107532325A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025582.6
申请日：2016-04-21
Applicant: 胜高股份有限公司
Inventor： 片野智一
IPC: C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3225 , B28D1/08 , C30B15/00 , C30B15/203 , C30B25/18 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/16 , H01L29/34
Abstract: 将晶体的氮浓度设为1×1011～2×1013atoms/cm3，将晶体冷却速度设为在硅熔点～1350℃时为4.2℃/min左右并在1200～1000℃时为3.1℃/min左右，将晶圆的氧浓度设为9.5×1017～13.5×1017atoms/cm3，从而提拉单晶硅，对从该单晶硅切取的晶圆实施处理条件为875℃、30min左右的热处理之后，进行外延层生长，从而制造出维持规定的氧浓度的同时不增加外延缺陷且不产生滑移的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN113348275A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980086251.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够提高氧浓度低的单晶硅的制造成品率的石英玻璃坩埚。本发明的石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(10a)、底部(10b)、以及连接侧壁部(10a)与底部(10b)的角部(10c)，所述石英玻璃坩埚(1)具备：透明层(11)，由不含气泡的石英玻璃构成；气泡层(12)，形成在透明层(11)的外侧，由包含多个气泡的石英玻璃构成；以及半熔融层(13)，形成在气泡层12的外侧，原料二氧化硅粉在半熔融的状态下凝固而成。去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率为25～51％，去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率比侧壁部(10a)的红外线透射率低，去除半熔融层(13)的状态下的侧壁部(10a)的红外线透射率比底部(10b)的红外线透射率低。
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公开(公告)号：CN107709634B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201680036860.8
申请日：2016-07-06
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B29/06
Abstract: 本发明的目的在于在多段拉晶法中，防止单晶硅的针孔不良，并且降低第2根以后的单晶硅中的碳浓度。通过反复进行以加热器（15）将填充于腔室（10）中石英坩埚（12）内的硅原料加热熔融的工序及从石英坩埚（12）内的硅熔液（3）提拉单晶硅（2）的工序，使用同一个石英坩埚（12）制造多根单晶硅（2）。将用于提拉第2根以后的单晶硅（2）而追加供应于石英坩埚（12）内的硅原料熔融时的腔室（10）内的炉内压设定为高于将用于提拉第1根单晶硅（2）而供应于石英坩埚（12）内的硅原料熔融时的腔室（10）内的炉内压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110983439A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910922845.9
申请日：2019-09-27
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供原料供给方法，具备以下工序：调整加热石英坩埚的加热器的功率以使硅熔液的表面固化的固化工序；向表面的固化部分投入固体原料的投入工序；以及熔解固化部分和固体原料的熔解工序，其中，固化工序是基于在以往单晶硅的制造时实施使籽晶着液于硅熔液的着液工序时的加热器的功率值，来调整该固化工序的加热器的功率。
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公开(公告)号：CN109666968A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811203581.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 使用提拉装置来制造硅单晶的硅单晶的制造方法，所述提拉装置具备室、在室内设置的石英坩埚(3A)和以包围石英坩埚(3A)的方式配置并加热石英坩埚(3A)的加热器(5)，其中，在提拉装置中形成有：将导入至提拉装置内的气体从加热器(5)的上部排气的上部排气口(16A)、和从加热器(5)的下部排气的下部排气口(16B)，且使1:3≤从上部排气口(16A)的气体排气量:从下部排气口(16B)的气体排气量≤6:1。
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公开(公告)号：CN113557326B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201980086234.3
申请日：2019-12-16
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够提拉氧浓度低、且提拉轴方向的氧浓度分布稳定的单晶硅的石英玻璃坩埚。本发明的石英玻璃坩埚(1)具有：圆筒状侧壁部(10a)、底部(10b)、以及连接侧壁部(10a)与底部(10b)的角部(10c)，所述石英玻璃坩埚(1)具备：由不含气泡的石英玻璃构成的透明层(11)、由含多个气泡的石英玻璃构成且设置于透明层(11)外侧的气泡层(12)。角部(10c)的壁厚最大位置处的红外线透射率与侧壁部(10a)的红外线透射率之比为0.3以上且0.99以下，从底部(10b)中心朝侧壁部(10a)上端的沿坩埚壁面的高度方向的红外线透射率的变化率绝对值为3％/cm以下。
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公开(公告)号：CN109666968B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811203581.3
申请日：2018-10-16
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 使用提拉装置来制造硅单晶的硅单晶的制造方法，所述提拉装置具备室、在室内设置的石英坩埚(3A)和以包围石英坩埚(3A)的方式配置并加热石英坩埚(3A)的加热器(5)，其中，在提拉装置中形成有：将导入至提拉装置内的气体从加热器(5)的上部排气的上部排气口(16A)、和从加热器(5)的下部排气的下部排气口(16B)，且使1:3≤从上部排气口(16A)的气体排气量:从下部排气口(16B)的气体排气量≤6:1。
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