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公开(公告)号：CN117594484A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311433933.5
申请日：2023-10-31
申请人： 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 , 至微半导体(上海)有限公司
摘要： 本申请涉及晶圆清洗领域，公开了一种处理液混合装置及晶圆清洗系统，包括：混合罐，所述混合罐的底部设有注水孔，所述混合罐的侧面底部设有进气孔，所述混合罐的顶部设有处理液的出孔；设于所述混合罐中的支撑件，所述支撑件包括多个由下至上层叠的腔体，相邻所述腔体之间的连接处，所述腔体的侧壁之间呈螺旋式连接；最下方的所述腔体的开口对应所述注水孔，最上方的所述腔体的开口对应所述出孔；设于所述腔体内的吸收膜，用于附着注入的水。该装置可以增大水与二氧化碳在混合时的接触面积，同时使得在单位时间内混合的更加充分，同时提高二氧化碳的溶解效率。
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公开(公告)号：CN117329804A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311322183.4
申请日：2023-10-12
申请人： 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 , 至微半导体(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于气体流场优化的IPA置换干燥装置及方法，应用于半导体制备领域，该装置包括干燥槽体，容纳载有若干晶圆的晶圆盒进行晶圆干燥工艺；抽排气出口，设置在干燥槽体的侧面的上方区域；控制部件，排气过程中控制干燥槽体内的气体分段式的通过抽排气出口排出。本发明通过将抽排气出口设置在干燥槽体的侧面的上方区域，以将晶圆表面的异丙醇与加热氮气形成的共沸物向上移动排出，防止晶圆盒等与晶圆接触的盲区形成水分堆积，提高了晶圆干燥的效率。
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公开(公告)号：CN117059558A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311020025.3
申请日：2023-08-14
申请人： 至微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及晶圆清洗技术领域，具体涉及一种升降装置以及多腔体可升降的晶圆清洗装置。升降装置包括，外壳体，外壳体内设有一可移动的顶杆；包覆管件组件，设于外壳体和顶杆之间；腔体结合块，设于外壳体上，腔体接合结构连接集液腔体基于顶杆移动带动集液腔体升降；气缸，设于外壳体的底部连接顶杆，本发明提供的升降装置可以根据需要将集液腔体移动到合适的位置，本发明的包覆管件组件可以有效阻隔阻挡顶杆移动过程中产生的颗粒，保护集液腔体和其他部件的正常运行，保证晶圆片所需的洁净度。
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公开(公告)号：CN116417330A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111677796.0
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏启微半导体设备有限公司 , 至微半导体(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶圆的清洗方法，包括如下步骤：将待清洗的晶圆采用第一清洗液进行清洗，第一清洗液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，晶圆在第一清洗液中的处理时间为10‑60分钟；将经过第一清洗液处理后的晶圆进行冲洗后，采用第二清洗液进行清洗，第二清洗液为氨水和双氧水的混合溶液，晶圆在第二清洗液中的处理时间为5‑15分钟；将经过第二清洗液处理后的晶圆进行炉管加热，以形成氧化层，降温后采用第三清洗液进行清洗，第三清洗液为氢氟酸和盐酸混合溶液，晶圆在第三清洗液中的处理时间为10‑20分钟；将经过第三清洗液处理后的晶圆用水进行清洗，干燥，结束清洗。本发明使晶圆表面的污染物拔除干净，并有效消除了除钨CMP工艺后晶圆表面的缺陷。
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公开(公告)号：CN112736017B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011630238.4
申请日：2020-12-30
申请人： 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 , 至微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , B08B3/02 , B08B13/00
摘要： 本发明公开了一种用于单晶圆片背面清洁机构，涉及到半导体技术领域，包括清洗液回收机构、晶圆承载平台、晶圆正面清洗机构、晶圆背面清洗机构、转动轴组和晶圆定位器，其中，清洗液回收机构的内部设有一容纳腔，晶圆承载平台可升降地设于容纳腔内，在晶圆承载平台的上端还设有晶圆定位器，晶圆承载平台的下端设有转动轴组，晶圆承载平台的上端设有晶圆背面清洗机构，且晶圆背面清洗机构连接转动轴组，晶圆承载平台的上侧设有晶圆正面清洗机构。本发明能够保证晶圆片的正面以及背面的清洗的一致性，能够实现晶圆片的双面的清洗，同时也能够实现不同类型的清洗液的回收，能够提升洁净度。
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公开(公告)号：CN112736018B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011630249.2
申请日：2020-12-30
申请人： 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 , 至微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , B08B3/02 , B08B13/00
摘要： 本发明公开了一种单晶圆清洗系统，属于半导体技术领域，包括清洗装置、多个供酸系统和集成系统，清洗装置包括晶圆承载平台、第一旋转机构、第一升降机构、喷射模组、多个回收环、驱动控制机构；控制机构根据清洗指令控制第一旋转机构带动晶圆承载平台旋转，以及控制第一升降机构带动晶圆承载平台升降至与相应的防溅板持平；集成系统根据供应指令输出一控制指令至相应的供酸系统，并将各供酸系统提供的清洗液进行处理后输出至清洗装置。本技术方案的有益效果在于：将一个腔体内所需的化学品集成在一起；对晶圆进行清洗时，根据不同的清洗液选择对应的腔室，有效避免交叉污染。
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公开(公告)号：CN112768397B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202011637040.9
申请日：2020-12-31
申请人： 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 , 至微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , B08B3/02 , B08B5/02
摘要： 本发明公开了一种半导体湿法工艺的前道混液系统，包括混酸装置和湿法清洗设备，所述混酸装置用于向湿法清洗设备提供特定浓度的清洗液；湿法清洗设备包括设备外壳、设置在设备外壳内的复合腔体结构、以及设置在复合腔体结构内的晶圆支撑结构；所述设备外壳上安装有与复合腔体结构相连通的用以抽出复合腔体结构内废气的抽气装置和至少一种用于向晶圆表面喷射清洗液或气体的喷淋管；晶圆支撑结构用于使晶圆悬浮在其上方并向晶圆背面喷射清洗液；复合腔体结构用以使不同工作模式下晶圆表面和背面的清洗液从其不同引流腔流至设备外部。本发明的洁净能力大大提升，提高了清洗效率和清洗效果，有效地保证了晶圆品质。
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公开(公告)号：CN112750688B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011632162.9
申请日：2020-12-31
申请人： 至微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗方法，包括以下步骤：利用晶圆夹取装置将晶圆放置在晶圆清洗设备内；根据当前工作模式，调整复合腔体结构内各层引流腔的腔室大小，使晶圆与其其中一层引流腔相对应；晶圆支撑结构在圆周方向旋转；利用喷淋管向晶圆上表面喷射清洗液，同时利用晶圆支撑结构向晶圆下表面喷射清洗液，晶圆上、下表面的清洗液会从其外围扩散流入当前工作的引流腔，从该引流腔排至晶圆清洗设备外部；待清洗完毕后，喷淋管和晶圆支撑结构停止喷液，晶圆支撑结构停止转动，通过晶圆夹取装置将晶圆转移至下一道工序。本发明能够同时清洗晶圆的上、下表面，不仅提高了晶圆的清洗效率，也提高了清洗效果，有效保证了晶圆品质。
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公开(公告)号：CN111081616B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201911088268.4
申请日：2019-11-08
申请人： 至微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种晶圆导片机构及应用该晶圆导片机构的湿法设备，所述晶圆导片机构包括安装壳体、夹持组件、以及用以调整夹持组件使夹持组件进行弧形对开运动的联杆调节模组，所述联杆调节模组包括固定在安装壳体上的气缸、与气缸的活塞杆相连的联动组件、以及转动曲柄，所述转动曲柄的一端固定在联动组件上、另一端与夹持组件的从安装壳体内伸出的端部相连。本发明通过联动调节模组带动夹持组件进行弧形对开运动，以实现夹持晶圆片的目的，可以避免晶圆片在垂直升降后因夹持晶圆片的动作所带来的各方向的冲击与撞击而使晶圆破裂的问题，避免晶圆片表面出现磨损，保持工艺环境的洁净度。
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公开(公告)号：CN115172215A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210794981.6
申请日：2022-07-07
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗系统及其工作方法，其中，晶圆清洗系统包括：清洗腔；晶圆承载平台，晶圆承载平台设置于清洗腔内；液膜生成喷淋装置；功能水供应装置，功能水供应装置的输出端与液膜生成喷淋装置的输入端连接，功能水供应装置用于供应一混合有功能性气体的液体；清洗喷淋装置，清洗喷淋装置用于喷淋一清洗液。通过对本发明的应用，通过液膜生成喷淋装置晶圆片在进行主要的清洗作业前先喷淋功能水供应系统中混合有功能性气体的液体，从而在带走部分污染物的同时，使得晶圆表面形成有一易于化学清洗液披覆的湿润界面，进而提高了后续清洗喷淋装置喷淋处的化学清洗液对晶圆片表面的清洗效果，进一步地提高了晶圆的清洗质量。
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