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公开(公告)号：CN119507030A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411682836.4
申请日：2024-11-22
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，包括底座，底座顶部侧壁可拆卸式连接有炉体，底座内部开设有底槽，底槽内顶部侧壁放置有气罐，气罐靠近定端的一侧侧壁可拆卸式连接有承接板，承接板顶部且远离气罐的一侧侧壁可拆卸式连接有泵箱，泵箱顶部侧壁穿插连接有输送柱，输送柱的顶端可拆卸式连接有分流柱，分流柱远离输送柱的一侧侧壁均匀的贯通开设有气孔，且每个气孔内均可拆卸式连接有支流管，本发明具有以下优点：在分流柱上连接多个支流管，通过多个支流管形成多通道功能，这样就能将气体通过多个支流管进行分开独立输送，同时能将支流管环绕在坩埚的四周，避免了单一供气口导致的气体上升速率不同而产生紊流。
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公开(公告)号：CN115354390B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210792365.7
申请日：2022-07-05
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性铸锭单晶热场结构，包括炉壳、保温层、加热器、坩埚组件、载物台、底部热门装置、冷却铜板和铜板升降机构，所述炉壳包括上炉壳和下炉壳，且保温层包括上部保温层和下部保温层，同时，加热器包括顶部加热器、侧部加热器和底部加热器，且底部热门装置包括导向盖板、开合叶片、导向销和驱动转盘。该高均匀性铸锭单晶热场结构及使用方法，相对于传统技术，具有以下优点：保温层、坩埚、加热器、散热装置等均为圆形，对称性、均匀性均较方形热场明显提升，有利于生长高品质的铸锭单晶，特殊的圆形热门装置和冷却铜板结合，可根据工艺需求调整散热速率、且散热均匀性更好。
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公开(公告)号：CN113373515A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110632333.6
申请日：2021-06-07
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了大单晶比例铸锭单晶制备方法，首先制备籽晶并且进行籽晶熔接，籽晶熔接完成后，通过缓慢降温，使得籽晶先进行横向生长，即从籽晶的四个侧面向外进行生长，当晶体横向长满整个坩埚底部达到四面的坩埚壁时，筑基阶段完成后，晶体开始向上的垂直生长，直到晶体长到距顶部还有20～50mm时，保持顶部的正向温度梯度，以确保顶部硅液不会发生先行凝固成壳的情况，保持顶部温度1550℃，实现顶部定向加热，晶体开始生长，整个长晶过程会持续24小时左右；在1356℃退火2小时、并冷却10小时即得大单晶硅锭；本发明能够提高保证在用铸锭法进行单晶生长时，结合特定的坩埚结构，不会产生多晶形核，从源头上消除了铸锭单晶的多晶形核的可能性。
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公开(公告)号：CN115198253A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210846684.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种石墨基体表面碳化钽涂层的制备方法，其制备方法包括以下步骤：①、制备碳化钽有机先驱体溶液；②、化学试剂均采用分析纯级别；③、将制备好的碳化钽有机先驱体溶液倒入特质器皿中，将需要涂敷的清洗干净的石墨基材浸入溶液中。该石墨基体表面碳化钽涂层的制备方，相对于传统技术，具有以下优点：本发明采用化学液相浸渗法和高温热处理结合的工艺方法，相对CVD法成本更低、周期更短、设备简单、较易实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN113403674A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110632346.3
申请日：2021-06-07
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法，包括以下步骤：(1)在石英坩埚底部铺设籽晶；(2)使用第一热电偶和第二热电偶获取石英坩埚底部边角部位的温度信号，温度信号为坩埚底部边角部位的温度和温度变化率的数值；(3)根据获取到的所述温度信号，判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时，表示籽晶熔化至设定高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段；本发明将热电偶安装在坩埚底部边角部位，避开了侧部加热器对温度信号的影响，监测结果更准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113637953A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110900778.8
申请日：2021-08-06
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种快速冷却的碳化硅涂层沉积装置及使用方法，涉及无机非金属材料装备领域，包括：炉体；保温层，保温层设置于炉体内部，保温层包括侧保温板、顶部保温板和底部保温板；顶部保温板升降装置，顶部保温板升降装置设置于炉体顶部，顶部保温板升降装置输出端与顶部保温板上端固定连接；底部保温板升降装置，底部保温板升降装置设置于炉体底部，底部保温板升降装置输出端与底部保温板下端固定连接；反应室，反应室设置于保温层内部。本发明的优点在于：可节约冷却时间，缩短总周期，提高沉积炉产能、降低生产成本，同时冷却阶段降温速率可控，能很好的满足自动工艺需求，全自动化控制，较易实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN113637953B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110900778.8
申请日：2021-08-06
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种快速冷却的碳化硅涂层沉积装置及使用方法，涉及无机非金属材料装备领域，包括：炉体；保温层，保温层设置于炉体内部，保温层包括侧保温板、顶部保温板和底部保温板；顶部保温板升降装置，顶部保温板升降装置设置于炉体顶部，顶部保温板升降装置输出端与顶部保温板上端固定连接；底部保温板升降装置，底部保温板升降装置设置于炉体底部，底部保温板升降装置输出端与底部保温板下端固定连接；反应室，反应室设置于保温层内部。本发明的优点在于：可节约冷却时间，缩短总周期，提高沉积炉产能、降低生产成本，同时冷却阶段降温速率可控，能很好的满足自动工艺需求，全自动化控制，较易实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN113622028A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110920388.7
申请日：2021-08-11
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/00 , C30B25/12 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种提高CVD法碳化硅沉积炉利用率的热场结构及工艺方法，涉及无机非金属材料技术领域，包括炉壳，所述炉壳底部固定连接有载物旋转机构，炉壳内壁底部两侧均固定连接有底部支撑柱，底部支撑柱顶部固定连接有底部支撑板，底部支撑板顶部固定连接有保温层，保温层内壁下方两侧均固定连接有底部加热系统，载物旋转机构的输出端固定连接有转动轴，转动轴与炉壳和保温层的底部转动连接，转动轴顶部固定连接有载物台，载物台顶部设置有载物盘，载物盘表面开设有若干个限流孔，载物盘的边缘通过限流孔滑动连接支撑杆，支撑杆表面等间距滑动连接有若干个载物盘。本发明通过设置载物旋转机构，提升原料气利用率。
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公开(公告)号：CN113279060A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110497617.9
申请日：2021-05-08
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有防爆泄压结构的准单晶硅铸锭炉，包括顶板、炉体、进料口、减震机构、冷却机构、单片机控制器、第一支撑柱、压力表、承接壁、卡箍、测温点和余热回收机构，卡箍的左侧外壁衔接有承接壁，且承接壁的左侧外壁固定有炉体，炉体的顶端外壁中部开设有进料口，且炉体的底端设置有测温点，第一支撑柱的底端外壁安置有减震机构，顶板的顶端中部设置有单片机控制器，且单片机控制器的右侧外壁安装有冷却机构，所述炉体设置有进水口和出水口，所述出水口连接有过滤箱，所述过滤箱连接有余热回收机构；本发明能够有效的完成对排出气体的处理，避免因铸锭炉温度和压力值超标容易导致爆炸，使得铸锭炉排出液态物体导致事故发生。
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公开(公告)号：CN118548695A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410817950.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 苏州步科斯新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可快速循环利用的超高温真空炉气冷装置，包括真空泵，所述真空泵通过真空管组件分别与压缩机组件和回收瓶组连接，所述压缩机组件的进气口通过管道与第一冷凝器组件的出气口连接，所述回收瓶组的进气口通过管道连通第二冷凝器组件的出气口，所述真空管组件上靠近第一冷凝器组件处设有过滤器；真空泵、压缩机、回收瓶组和炉体通过管道连接组成闭合回路，有利于冷却气体的循环利用，降低冷却气体的消耗，提高生产效率，回收瓶组与过滤器相对应，可以根据工艺需求更换，适用于不同的生产工艺。
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