选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN102983221A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210518052.9

    申请日:2012-12-04

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法。该制备方法包括硅片表面清洁,制绒,扩散制作浅p-n结,制作减反射膜层以及印刷正电极、背电极并烧结的步骤,其中印刷正电极的步骤中采用含磷的银浆进行印刷。由于采用含磷的银浆印刷正电极,印刷后经过烧结炉的烘干,烧结,退火过程,银浆中的磷原子在烧结退火形成正电极时进一步磷扩散,在正电极与硅片相接触的区域形成深扩散区,即在正电极的下方形成深p-n结,未与正电极相接触的硅片区域形成浅扩散区,这样在形成正电极的同时得到了深浅p-n结。该制备方法步骤少,成本低,适合于工业化生产,且印刷过程不需要使用高精印刷系统,大大节约了设备成本。

    一种选择性发射极电池的制作方法

    公开(公告)号:CN103367124A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201110460012.9

    申请日:2011-12-31

    IPC分类号: H01L21/228 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法,包括步骤:1)去除硅片的损伤层,在硅片的表面制备绒面;2)对损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂;3)对经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散,得到正面正电极区以外区域的p-n结;4)去除经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结;5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜;6)在具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极,背电场和正电极,并进行烧结,使电极金属化,得到选择性发射极电池;7)测试选择性发射极电池的各项参数,并按工艺标准将其分档。本方法,有效提高太阳能电池的转换效率,并能方便应用于生产中。

    一种N型背结双面电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105514180A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201510912511.5

    申请日:2015-12-11

    摘要: 本发明公开了一种N型背结双面电池及其制备方法,涉及太阳能电池生产技术领域。双面电池包括硅片衬底,硅片衬底的正面自内向外依次为磷掺杂电池前场、氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、正面银电极,硅片衬底的背面自内向外依次为硼掺杂电池发射极、氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、背面银铝电极;其制备方法包括以下步骤:双面制绒;进行背面抛光;正面磷扩散制备电池前场;背面硼扩散制备发射极;正背面形成二氧化硅钝化层;正背面镀氮化硅减反射层;印刷正背面电极,正面银电极为采用银浆料印刷的栅线结构,背面银铝电极为采用银铝浆料印刷的栅线结构。该电池双面受光,具有较高的光电转化效率,电池的制备工艺简单,稳定性好,适于大规模生产。

    选择性发射极电池的制备方法

    公开(公告)号:CN102881770B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201210369890.4

    申请日:2012-09-28

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种选择性发射极电池的制备方法。该方法依次包括损伤层的去除及绒面制备、扩散制作p-n结、表面PSG的去除及周边p-n结的去除、钝化减反射层的制备、金属化、以及分选,在扩散制作p-n结步骤与表面PSG的去除及周边p-n结的去除步骤之间进一步包括激光掺杂制作选择性发射极的步骤。应用本发明的技术方案,只需在现有的常规太阳能电池的制备工艺基础上添加一步激光掺杂制作选择性发射极的步骤,就可以完成选择性发射极电池的制备,工艺步骤简单,而且操作参数容易控制,适宜大规模的工业化生产。

    一种选择性发射极电池的制作方法

    公开(公告)号:CN103367124B

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201110460012.9

    申请日:2011-12-31

    IPC分类号: H01L21/228 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法,包括步骤:1)去除硅片的损伤层,在硅片的表面制备绒面;2)对损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂;3)对经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散,得到正面正电极区以外区域的p-n结;4)去除经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结;5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜;6)在具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极,背电场和正电极,并进行烧结,使电极金属化,得到选择性发射极电池;7)测试选择性发射极电池的各项参数,并按工艺标准将其分档。本方法,有效提高太阳能电池的转换效率,并能方便应用于生产中。

    选择性发射极电池的制备方法

    公开(公告)号:CN102881770A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210369890.4

    申请日:2012-09-28

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种选择性发射极电池的制备方法。该方法依次包括损伤层的去除及绒面制备、扩散制作p-n结、表面PSG的去除及周边p-n结的去除、钝化减反射层的制备、金属化、以及分选,在扩散制作p-n结步骤与表面PSG的去除及周边p-n结的去除步骤之间进一步包括激光掺杂制作选择性发射极的步骤。应用本发明的技术方案,只需在现有的常规太阳能电池的制备工艺基础上添加一步激光掺杂制作选择性发射极的步骤,就可以完成选择性发射极电池的制备,工艺步骤简单,而且操作参数容易控制,适宜大规模的工业化生产。

    一种N型背结双面电池
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205211766U

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201521024519.X

    申请日:2015-12-11

    CPC分类号: Y02E10/50

    摘要: 本实用新型公开了一种N型背结双面电池,涉及太阳能电池生产技术领域。双面电池包括硅片衬底,硅片衬底的正面自内向外依次为磷掺杂电池前场、二氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、正面银电极,硅片衬底的背面自内向外依次为硼掺杂电池发射极、二氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、背面银铝电极,正面银电极和背面银铝电极均为栅线结构。该电池双面受光,具有较高的光电转化效率,电池的制备工艺简单,稳定性好,适于大规模生产。