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公开(公告)号：CN103367539B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310260260.8
申请日：2013-06-26
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明所提供的IBC太阳能电池的制作方法，采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区，采用丝网印刷工艺形成第二导电指区，无需丝网印刷阻挡层、刻蚀、再次丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤，简化了IBC太阳能电池的制作方法，提高了生产效率，且降低了生产成本。另外本发明所提供的IBC太阳能电池的第二导电指区与硅片基体结合形成电池的发射极，不需要掺杂硼，因此第二导电指区处的硼氧复合作用较弱，光致衰减作用更小，从而电池的转换效率更高。
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公开(公告)号：CN103346172B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310228162.6
申请日：2013-06-08
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法。其中异质结太阳能电池包括TCO，以及形成在TCO上的栅极，栅极部分延伸进入TCO中。异质结太阳能电池的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上方形成TCO；以及在TCO上形成栅极，在TCO上形成栅极的步骤中，栅极部分延伸进入TCO中。本发明中异质结太阳能电池及其制备方法，通过将栅极部分延伸进入TCO的内部，增加栅极和TCO的接触面积，减小了接触电阻；同时，通过栅极与TCO之间的侧向接触在一定程度上改善了载流子输运，进而提高了太阳能电池的填充因子，提升电池的能量转化效率。
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公开(公告)号：CN103346211B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310261120.2
申请日：2013-06-26
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022441 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制作方法，此种背接触太阳能电池的制作方法提供了包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区的第一模具载片舟和包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区的第二模具载片舟，且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应，所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应；然后通过上述模具载片舟在单晶硅衬底形成有钝化层的表面形成掺杂类型相反，呈交叉排列的第一掺杂非晶硅指区和第二掺杂非晶硅指区。此种制作方法以非常简单低成本的方式实现了背接触太阳能电池背场的叉指状结构，而且无需进行额外的形成钝化层的制作工艺，简化了背接触太阳能电池的制作方法。
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公开(公告)号：CN106024917B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610375274.8
申请日：2016-05-31
申请人： 保定天威英利新能源有限公司 , 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池片及太阳能电池组件，涉及太阳能技术领域；包括衬底、衬底上下表面的钝化层、位于上表面钝化层上的前场掺杂层、位于前场掺杂层上的减反射层、位于下表面钝化层下的叉指结构、TCO薄膜和金属电极，钝化层为氢化非晶氧化硅薄膜；结构简单，使用方便，提高入射光的利用率，提高了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112736162A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110125812.9
申请日：2021-01-29
申请人： 英利能源(中国)有限公司 , 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本申请公开了一种晶硅太阳能电池的钝化方法及应用，属于太阳能电池技术领域。所述晶硅太阳能电池的钝化方法，在氧化铝钝化薄膜工序与氮化硅薄膜工序之间，还包括以下步骤：向设备内通入氨气；当通入氨气达到第一预设时长，开启射频放电，对晶硅太阳能电池的氧化铝钝化薄膜进行处理；当射频放电达到第二预设时长，关闭射频放电，停止通入氨气。所述晶硅太阳能电池的钝化方法主要应用于N型隧穿氧化层钝化接触单晶硅电池和P型双面钝化发射极背面接触单晶硅电池。本发明的晶硅太阳能电池的钝化方法，通过在氧化铝薄膜工序和氮化硅薄膜工序之间增加了氨气和射频放电工艺，提高了太阳能电池的钝化效果，从而进一步提升太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN106340557B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201610876049.2
申请日：2016-10-08
申请人： 保定天威英利新能源有限公司 , 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/049
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池片及其组件,涉及太阳能电池技术领域；包括正面电极、背面电极和衬底，还包括导电层、发射极、遂穿层和背场掺杂层；衬底上、下表面都设有遂穿层；发射极位于衬底上表面遂穿层上，且发射极上设有导电层；背场掺杂层位于衬底下表面的遂穿层下，且背场掺杂层下设有导电层；背面电极设在背场掺杂层下的导电层下；提高了电池性能，遂穿层和发射极层宽的带隙，增加了内建电场从而提升开路电压，同时增加了入射光的利用率提升了短路电流。
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公开(公告)号：CN112309849B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
申请人： 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
发明人： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN115207167A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211125312.6
申请日：2022-09-16
申请人： 英利能源发展有限公司 , 英利能源发展(天津)有限公司 , 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112349584A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011157169.X
申请日：2020-10-26
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
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公开(公告)号：CN112309849A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
申请人： 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
发明人： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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