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公开(公告)号：CN103346172B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310228162.6
申请日：2013-06-08
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法。其中异质结太阳能电池包括TCO，以及形成在TCO上的栅极，栅极部分延伸进入TCO中。异质结太阳能电池的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上方形成TCO；以及在TCO上形成栅极，在TCO上形成栅极的步骤中，栅极部分延伸进入TCO中。本发明中异质结太阳能电池及其制备方法，通过将栅极部分延伸进入TCO的内部，增加栅极和TCO的接触面积，减小了接触电阻；同时，通过栅极与TCO之间的侧向接触在一定程度上改善了载流子输运，进而提高了太阳能电池的填充因子，提升电池的能量转化效率。
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公开(公告)号：CN103346211B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310261120.2
申请日：2013-06-26
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022441 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制作方法，此种背接触太阳能电池的制作方法提供了包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区的第一模具载片舟和包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区的第二模具载片舟，且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应，所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应；然后通过上述模具载片舟在单晶硅衬底形成有钝化层的表面形成掺杂类型相反，呈交叉排列的第一掺杂非晶硅指区和第二掺杂非晶硅指区。此种制作方法以非常简单低成本的方式实现了背接触太阳能电池背场的叉指状结构，而且无需进行额外的形成钝化层的制作工艺，简化了背接触太阳能电池的制作方法。
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公开(公告)号：CN104600142A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410820306.1
申请日：2014-12-24
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/054
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 本发明提供了一种光伏组件。其中，该光伏组件包括：太阳能电池和设置于太阳能电池入光侧的透明背板，光伏组件还包括设置于太阳能电池和透明背板之间的选择光线透射膜，其中，选择光线透射膜由至少一层介质增反膜层组成。由于选择光线透射膜由至少一层介质增反膜层组成，从而可利用介质增反膜能够反射特定波长光这一性质，使光通过介质增反膜层调节反射回太阳能电池中，进而提高了太阳能电池的光电转换效率，并且使光伏组件对特定波长光的透过率得以下降，实现了光伏组件对特定波长光的选择性透过作用。
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公开(公告)号：CN104600142B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410820306.1
申请日：2014-12-24
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/054
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 本发明提供了一种光伏组件。其中，该光伏组件包括：太阳能电池和设置于太阳能电池入光侧的透明背板，光伏组件还包括设置于太阳能电池和透明背板之间的选择光线透射膜，其中，选择光线透射膜由至少一层介质增反膜层组成。由于选择光线透射膜由至少一层介质增反膜层组成，从而可利用介质增反膜能够反射特定波长光这一性质，使光通过介质增反膜层调节反射回太阳能电池中，进而提高了太阳能电池的光电转换效率，并且使光伏组件对特定波长光的透过率得以下降，实现了光伏组件对特定波长光的选择性透过作用。
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公开(公告)号：CN103367539B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310260260.8
申请日：2013-06-26
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明所提供的IBC太阳能电池的制作方法，采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区，采用丝网印刷工艺形成第二导电指区，无需丝网印刷阻挡层、刻蚀、再次丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤，简化了IBC太阳能电池的制作方法，提高了生产效率，且降低了生产成本。另外本发明所提供的IBC太阳能电池的第二导电指区与硅片基体结合形成电池的发射极，不需要掺杂硼，因此第二导电指区处的硼氧复合作用较弱，光致衰减作用更小，从而电池的转换效率更高。
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公开(公告)号：CN204289486U
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201420832637.2
申请日：2014-12-24
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司 , 河北流云新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/054
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 本实用新型提供了一种光伏组件。其中，该光伏组件包括：太阳能电池和设置于太阳能电池入光侧的透明背板，光伏组件还包括设置于太阳能电池和透明背板之间的选择光线透射膜，其中，选择光线透射膜由至少一层介质增反膜层组成。由于选择光线透射膜由至少一层介质增反膜层组成，从而可利用介质增反膜能够反射特定波长光这一性质，使光通过介质增反膜层调节反射回太阳能电池中，进而提高了太阳能电池的光电转换效率，并且使光伏组件对特定波长光的透过率得以下降，实现了光伏组件对特定波长光的选择性透过作用。
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公开(公告)号：CN103762279A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410046279.7
申请日：2014-02-10
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括：S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽，以形成磷扩散槽区；以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散，以使磷扩散槽区内形成重掺杂，从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层，仅利用沉积形成的减反射膜，就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散，仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓度不同的选择性背场，避免了在高温下制作氧化层的步骤，减少了损伤，降低了能耗和成本，提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103762279B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410046279.7
申请日：2014-02-10
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括：S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽，以形成磷扩散槽区；以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散，以使磷扩散槽区内形成重掺杂，从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层，仅利用沉积形成的减反射膜，就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散，仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓度不同的选择性背场，避免了在高温下制作氧化层的步骤，减少了损伤，降低了能耗和成本，提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103762278A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410043556.9
申请日：2014-01-29
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/022425
摘要： 本发明公开了一种MWT太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：提供一电池片；形成贯穿所述电池片的过孔，其中，所述过孔的直径由所述硅片的背光表面到所述硅片的受光表面逐渐增大；由所述背光表面印刷浆料，在所述过孔内形成过孔电极。所述制作方法避免了由于过孔侧面垂直导致的过孔开口处浆料较薄的问题，进而避免了过孔电极电阻较大的问题，提高了电池的转换效率。因此采用所述制作方法制备的MWT太阳能电池具有较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN102569519B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210018071.5
申请日：2012-01-19
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，包括步骤在硅片的第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜；在硅片第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿第一表面至第二表面的过料孔；在硅片上与指定位置相对的第一指定区域由第二激光去除第一预设深度的硅层；对去硅层后的硅片进行印刷、烧结工序，形成MWT太阳能电池片。通过在硅片的第一表面和第二表面形成SiNX膜，有激光生成打料孔和去除背场上硅层的工作，实现了对背场的去除，同时生成打料孔和去除背场的工艺过程均通过激光来实现，简化了带有背场的MWT电池的去除背场工艺。
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