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    光电收发器组件
    1.
    发明授权
    光电收发器组件 有权

    公开(公告)号：CN108780789B

    公开(公告)日：2023-08-01

    申请号：CN201780014423.0

    申请日：2017-02-28

    申请人： 英特尔公司

    发明人： M·J·严 ,  Q·A·德兰 ,  李承宰 ,  S·拉兹丹 ,  Y·O·伊尔马泽 ,  P·斯里尼瓦桑 ,  王锦程 ,  A·刘

    IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07

    摘要： 本文公开了包括集成电路(IC)光学组件的装置和用于制造IC光学组件的工艺。在一些实施例中，该IC光学组件包括电耦合到封装衬底的第一部分的光发射器部件。该IC光学组件还包括述光发射器部件和封装衬底的第二部分之间的光发射器驱动器部件，其中，所述光发射器驱动器部件的第一侧电耦合到所述光发射器部件。该IC光学组件还包括光发射器驱动器部件的第二侧和接近封装衬底的第二部分之间的多个凸块，其中多个凸块不直接耦合到光发射器驱动器部件。

    利用晶片键合技术的光调制器
    4.
    发明授权
    利用晶片键合技术的光调制器 有权

    公开(公告)号：CN102033332B

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201010294306.4

    申请日：2010-09-21

    申请人： 英特尔公司

    发明人： H·荣 ,  A·刘

    IPC分类号： G02F1/015 ,  H01L29/94 ,  H01L21/334

    CPC分类号： H01L29/94 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2202/105 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/66181

    摘要： 利用晶片键合技术的光调制器。一种方法的实施例包括：蚀刻绝缘体上硅(SOI)晶片以在所述SOI晶片的第一表面上制造硅波导结构的第一部分，以及制备第二晶片，所述第二晶片包括晶体硅层，所述第二晶片包括晶体硅的第一表面。该方法还包括：利用晶片键合技术将具有薄氧化物的所述第二晶片的所述第一表面键合到所述SOI晶片的所述第一表面，其中在所述晶体硅层中蚀刻所述硅波导结构的第二部分。

    利用半导体衬底中的激光器和布拉格光栅进行可调波长转换的方法和装置
    7.
    发明授权
    利用半导体衬底中的激光器和布拉格光栅进行可调波长转换的方法和装置 失效

    公开(公告)号：CN100344034C

    公开(公告)日：2007-10-17

    申请号：CN03813770.4

    申请日：2003-05-15

    申请人： 英特尔公司

    发明人： A·刘

    IPC分类号： H01S5/0625 ,  H01S5/34

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0608 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/5054

    摘要： 本文中公开了利用设置在半导体衬底(107)中的布拉格光栅(115)和增益媒质(113)来进行可调波长转换的方法和装置的实施例。在一个实施例中，可以将对应于第一波长(λ1)并且利用数据成分调制的输入光信号(121)导入增益媒质(例如量子级联子带间激光器)中，从而发射具有至少一种不同于第一波长的波长的光(123)并且利用输入光信号(121)的数据成分对该波长的光进行调制。然后，所发出的光的至少一部分(125)可以从已知的布拉格光栅(115)反射，从而引起选定布拉格波长(λc)的模拟发射，从而产生对应于不同于第一波长的波长并利用输入光信号(121)的数据成分调制的输出光信号(129)。

    用于在硅光子芯片与光纤之间有效耦合的方法和设备
    9.
    发明授权
    用于在硅光子芯片与光纤之间有效耦合的方法和设备 有权

    公开(公告)号：CN102159975B

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：CN200980136198.3

    申请日：2009-09-11

    申请人： 英特尔公司

    发明人： A·刘

    IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/38

    CPC分类号： G02B6/305 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223 ,  G02B2006/12061

    摘要： 描述了一种在硅光子芯片与光纤之间有效耦合的方法和设备。在一个实施例中，根据本发明的实施例的设备包括：第一光波导，具有光耦合至第一外部器件的第一端，并具有第二端，第二端具有在所述第二端带尖端的锥形；第二光波导，光耦合至所述第一光波导的所述锥形，并具有在第二端带尖端的锥形；以及第三光波导，光耦合至所述第二光波导的所述锥形，所述第三光波导光耦合至第二外部器件，所述第二外部器件的横截面面积比所述第一外部器件的横截面面积大。