公开(公告)号：CN101199042B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200680021817.0

申请日：2006-06-20

申请人： 英特尔公司

发明人： J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  B·多勒 ,  U·沙阿 ,  S·达塔 ,  A·马宗达 ,  R·乔

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684

摘要： 描述了一种图案化半导体膜的方法。根据本发明的一个实施例，在具有全局晶体取向的半导体膜上形成硬掩模材料，其中半导体膜具有第一晶面和第二晶面，其中第一晶面比第二晶面密度高，并且其中硬掩模在第二晶面上形成。接着，将硬掩模和半导体膜图案化成硬掩模覆盖的半导体结构。然后，将硬掩模覆盖的半导体结构暴露于具有足以蚀刻第二晶面的化学强度但不具有足以蚀刻第一晶面的化学强度的湿法蚀刻过程。

公开(公告)号：CN101657903B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN200880010277.5

申请日：2008-03-27

申请人： 英特尔公司

发明人： B·金 ,  A·马宗达 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  S·达塔 ,  R·乔

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/768

CPC分类号： H01L29/161 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/78

摘要： 一种制造量子阱器件的方法包括在量子阱的δ层的侧面上形成扩散阻挡层以将掺杂剂限制到量子阱。

公开(公告)号：CN101657903A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880010277.5

申请日：2008-03-27

申请人： 英特尔公司

发明人： B·金 ,  A·马宗达 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  S·达塔 ,  R·乔

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/768

CPC分类号： H01L29/161 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/78

摘要： 一种制造量子阱器件的方法包括在量子阱的δ层的侧面上形成扩散阻挡层以将掺杂剂限制到量子阱。

公开(公告)号：CN101199042A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021817.0

申请日：2006-06-20

申请人： 英特尔公司

发明人： J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  B·多勒 ,  U·沙阿 ,  S·达塔 ,  A·马宗达 ,  R·乔

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684

摘要： 描述了一种图案化半导体膜的方法。根据本发明的一个实施例，在具有全局晶体取向的半导体膜上形成硬掩模材料，其中半导体膜具有第一晶面和第二晶面，其中第一晶面比第二晶面密度高，并且其中硬掩模在第二晶面上形成。接着，将硬掩模和半导体膜图案化成硬掩模覆盖的半导体结构。然后，将硬掩模覆盖的半导体结构暴露于具有足以蚀刻第二晶面的化学强度但不具有足以蚀刻第一晶面的化学强度的湿法蚀刻过程。