公开(公告)号：CN106206314B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510321483.X

申请日：2015-06-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄国胜 ,  周友华

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/66818 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

摘要： 本发明的一些实施例提供了修整鳍结构的方法，方法包括以下操作：(i)在衬底上形成鳍结构；(ii)外延生长覆盖(cladding)鳍结构的外延结构，其中外延结构具有第一晶格面、第二晶格面和第三晶格面，第一晶格面具有米勒指数(111)、第二晶格面具有米勒指数(100)以及第三晶格面具有米勒指数(110)；以及(iii)去除外延结构和部分鳍结构以获得修整的鳍结构。

公开(公告)号：CN104900521B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410077191.1

申请日：2014-03-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7849 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干凹槽；在所述半导体衬底表面形成缓冲层，所述缓冲层填充满凹槽并覆盖半导体衬底表面；刻蚀部分厚度的缓冲层，形成鳍部；在鳍部周围的缓冲层上形成绝缘层，所述绝缘层的表面低于鳍部的顶部表面；在鳍部表面形成沟道层；在部分绝缘层表面和部分沟道层表面形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的沟道层内形成源漏区。上述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103915316B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201310007063.5

申请日：2013-01-09

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 马小龙 ,  殷华湘 ,  秦长亮

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7853

摘要： 本发明公开了种堆叠纳米线制造方法,包括:步骤a,在衬底上形成硬掩模;步骤b,各向异性刻蚀衬底形成第沟槽与鳍片;步骤c,湿法腐蚀鳍片以及下方衬底,在第沟槽侧面形成第二沟槽;其中,多次重复步骤b至步骤c,形成上下层叠的多个鳍片;步骤d,圆润化鳍片,形成堆叠纳米线。依照本发明的堆叠纳米线制造方法,结合了干法刻蚀与湿法刻蚀,利用双重内切腐蚀形成了高精度堆叠纳米线,有利于器件小型化,降低了成本。

公开(公告)号：CN108206180A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711337430.2

申请日：2017-12-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁正吉 ,  裵金钟 ,  裵东一 ,  宋升珉 ,  朴雨锡

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7853 ,  H01L27/02 ,  H01L29/1033

摘要： 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一区中的第一晶体管和第二区中的第二晶体管。第一晶体管包括：第一纳米线、第一栅电极、第一栅极电介质层、第一源极/漏极区和内绝缘间隔物。第一纳米线具有第一沟道区。第一栅电极围绕第一纳米线。第一栅极电介质层在第一纳米线与第一栅电极之间。第一源极/漏极区连接到第一纳米线的边缘。内绝缘间隔物在第一栅极电介质层与第一源极/漏极区之间。第二晶体管包括第二纳米线、第二栅电极、第二栅极电介质层和第二源极/漏极区。第二纳米线具有第二沟道区。第二栅电极围绕第二纳米线。第二栅极电介质层在第二纳米线与第二栅电极之间。第二源极/漏极区连接到第二纳米线的边缘。

公开(公告)号：CN108122985A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710979640.5

申请日：2017-10-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 官琬纯 ,  庄孟哲 ,  邱意为 ,  翁子展

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

摘要： 提供一种制造一半导体元件的方法，包括形成一长条半导体突出于一基板之上，形成隔离区域于此长条半导体的相对侧，使用一第一蚀刻制程于一第一反应室中将此隔离区域凹陷，以及，使用一第二蚀刻制程于此第一反应室中将此隔离区域的平坦度改善。

公开(公告)号：CN107785430A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710641779.9

申请日：2017-07-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴胜周 ,  李正允 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  洪承秀

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

摘要： 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。

公开(公告)号：CN104979396B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410281068.1

申请日：2014-06-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄玉莲 ,  李东颖

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7853 ,  H01L2029/7858

摘要： 本发明提供了一种集成电路结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的半导体鳍；位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅叠件；位于栅叠件一侧的源极/漏极区；以及环绕源极/漏极区的一部分的接触插塞。本发明还提供了一种形成集成电路结构的方法。

公开(公告)号：CN107680940A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710647541.7

申请日：2017-08-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/41791 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/0886

摘要： 提供了FinFET器件及其形成方法。该方法包括在衬底上方形成图案化的掩模堆叠件，保护衬底的图案化的掩模堆叠件的部件具有均匀的宽度。去除由图案化的掩模堆叠件暴露的衬底的未保护部分以在衬底中形成多个凹槽，插入在邻近的凹槽之间的衬底的未去除部分形成多个鳍。去除多个鳍的部分，多个鳍的第一鳍的宽度小于多个鳍的第二鳍的宽度。

公开(公告)号：CN107680939A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710647365.7

申请日：2017-08-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张哲诚 ,  巫柏奇 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/6681 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7853

摘要： 本发明的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括在衬底上形成第一有源鳍结构和第二有源鳍结构。在衬底上形成伪鳍结构，该伪鳍结构介于第一有源鳍结构和第二有源鳍结构之间。去除伪鳍结构以暴露衬底的第一部分，衬底的第一部分直接设置在伪鳍结构之下。在衬底的第一部分上形成多个突起部件。在衬底的第一部分上方形成浅沟槽隔离(STI)区，该STI区覆盖多个突起部件，第一有源鳍结构的至少部分和第二有源鳍结构的至少部分在STI区的最高表面之上延伸。本发明的实施例还提供了一种半导体结构。

公开(公告)号：CN107230728A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201611105452.1

申请日：2016-12-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 夏英庭 ,  林琨祐 ,  王英名 ,  许立德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 本发明的实施例提供了具有最佳应变的源极漏极凹槽轮廓的半导体器件、FinFET器件及其形成方法。一个半导体器件包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件以及位于衬底的凹槽中和栅极堆叠件旁边的应变层。此外，凹槽的最大宽度处的深度与栅极堆叠件的宽度的比率在从约0.5至0.7的范围。