公开(公告)号：CN111755442A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010128448.7

申请日：2020-02-28

申请人： 英特尔公司

发明人： R.基赫 ,  B.朱-龚 ,  S.拉菲克 ,  D.默里尔 ,  A.阿格拉沃尔 ,  H.肯内尔 ,  曹阳 ,  D.巴素 ,  J.托雷斯 ,  A.墨菲

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/165

摘要： 描述了具有源极或漏极结构和锗N沟道的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下鳍部分和上鳍部分的鳍，上鳍部分包括锗。栅极堆叠位于鳍的上鳍部分之上。第一源极或漏极结构包括在栅极堆叠的第一侧处嵌入鳍中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在栅极堆叠的第二侧处嵌入鳍中的外延结构。每个外延结构包括与上鳍部分接触的第一半导体层、和在第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层包括硅、锗和磷，并且第二半导体层包括硅和磷。

公开(公告)号：CN107636809B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201580080415.7

申请日：2015-06-27

申请人： 英特尔公司(US)

发明人： V.H.勒 ,  G.德维 ,  B.朱-龚 ,  A.阿格拉沃尔 ,  M.V.梅茨 ,  W.拉克马迪 ,  M.C.弗伦奇 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  R.里奥斯 ,  S.金 ,  S.H.宋 ,  S.K.加德纳 ,  J.M.鲍维斯 ,  S.R.塔夫特

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

摘要： 一种方法包括在衬底上的结区之间形成器件的非平面导电沟道，衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在沟道上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括电介质材料和栅极电极。一种方法包括在半导体衬底上形成缓冲材料，缓冲材料包括包含与衬底不同的晶格结构的半导体材料；在缓冲材料上形成阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在衬底上形成晶体管器件。一种装置包括衬底上的非平面多栅极器件，其包括晶体管器件，所述晶体管器件包括设置在衬底上的沟道，所述衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质。

公开(公告)号：CN107636809A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201580080415.7

申请日：2015-06-27

申请人： 英特尔公司

发明人： V.H.勒 ,  G.德维 ,  B.朱-龚 ,  A.阿格拉沃尔 ,  M.V.梅茨 ,  W.拉克马迪 ,  M.C.弗伦奇 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  R.里奥斯 ,  S.金 ,  S.H.宋 ,  S.K.加德纳 ,  J.M.鲍维斯 ,  S.R.塔夫特

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/66977 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 一种方法包括在衬底上的结区之间形成器件的非平面导电沟道，衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在沟道上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括电介质材料和栅极电极。一种方法包括在半导体衬底上形成缓冲材料，缓冲材料包括包含与衬底不同的晶格结构的半导体材料；在缓冲材料上形成阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在衬底上形成晶体管器件。一种装置包括衬底上的非平面多栅极器件，其包括晶体管器件，所述晶体管器件包括设置在衬底上的沟道，所述衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质。