公开(公告)号：CN101203947A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680022184.5

申请日：2006-06-21

申请人： 英特尔公司

发明人： J·卡瓦利洛斯 ,  A·卡佩拉尼 ,  J·布雷斯克 ,  S·达塔 ,  M·多奇 ,  M·梅茨 ,  C·巴恩斯 ,  R·曹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体集成电路，其可以形成有PMOS器件，而该PMOS器件可利用替代金属栅极及抬高的源极漏极形成。抬高的源极漏极可以由掺杂了P型的外延沉积锗硅材料形成。替代金属栅极过程产生了金属栅电极，并且可能会涉及到氮化物蚀刻阻止层的去除。

公开(公告)号：CN101203947B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200680022184.5

申请日：2006-06-21

申请人： 英特尔公司

发明人： J·卡瓦利洛斯 ,  A·卡佩拉尼 ,  J·布雷斯克 ,  S·达塔 ,  M·多奇 ,  M·梅茨 ,  C·巴恩斯 ,  R·曹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体集成电路，其可以形成有PMOS器件，而该PMOS器件可利用替代金属栅极及抬高的源极漏极形成。抬高的源极漏极可以由掺杂了P型的外延沉积锗硅材料形成。替代金属栅极过程产生了金属栅电极，并且可能会涉及到氮化物蚀刻阻止层的去除。