公开(公告)号：CN109319729B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810845999.8

申请日：2018-07-27

申请人： 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

发明人： S·普雷格尔 ,  U·鲁道夫

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02

摘要： 本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体；在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度；以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离，并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。

公开(公告)号：CN109319729A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810845999.8

申请日：2018-07-27

申请人： 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

发明人： S·普雷格尔 ,  U·鲁道夫

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02

摘要： 本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体；在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度；以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离，并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。

公开(公告)号：CN105895501A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510222369.1

申请日：2015-05-04

申请人： 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

发明人： T·考茨施 ,  A·塞瑞 ,  S·比塞尔特 ,  U·鲁道夫 ,  M·米勒 ,  B·宾德

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7806 ,  Y10T156/1057 ,  Y10T156/11 ,  Y10T428/13 ,  H01L21/02035

摘要： 本发明的各个实施例涉及晶片、用于处理晶片的方法、以及用于处理载体的方法。根据各个实施例，用于处理晶片的方法可以包括：在晶片内形成至少一个中空腔室和支撑结构，该至少一个中空腔室限定了载体的位于该至少一个中空腔室之上的帽区域、载体的位于该至少一个中空腔室之下的底部区域、以及围绕了载体的帽区域的边缘区域，其中帽区域的表面面积大于边缘区域的表面面积，并且其中帽区域由支撑结构连接至底部区域；从底部区域和边缘区域成一整块地移除帽区域。