公开(公告)号：CN103377881A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310141578.4

申请日：2013-04-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 马蒂亚斯·施特歇尔 ,  安雅·吉西博尔 ,  马库斯·梅娜斯 ,  安德烈亚斯·藏克尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/322 ,  H01L21/44 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了制造导线的方法，更具体地讲，公开了制造半导体组件的圆形导线的方法。在该方法中，提供部分完成的半导体组件。所述部分完成的半导体组件具有底面和顶面，所述顶面在垂直方向上与所述底面远距离间隔。还提供蚀刻剂。在所述顶面上设置介电层。所述介电层具有当利用所述蚀刻剂蚀刻时呈现不同蚀刻速率的至少两个不同的区域。随后，在所述介电层中形成沟槽，使得所述沟槽横穿所述不同的区域中的每个区域。然后，通过利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速率蚀刻沟槽来加宽该沟槽。通过用导电材料填充加宽的沟槽，形成导线。

公开(公告)号：CN103377881B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310141578.4

申请日：2013-04-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 马蒂亚斯·施特歇尔 ,  安雅·吉西博尔 ,  马库斯·梅娜斯 ,  安德烈亚斯·藏克尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/322 ,  H01L21/44 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了制造导线的方法，更具体地讲，公开了制造半导体组件的圆形导线的方法。在该方法中，提供部分完成的半导体组件。所述部分完成的半导体组件具有底面和顶面，所述顶面在垂直方向上与所述底面远距离间隔。还提供蚀刻剂。在所述顶面上设置介电层。所述介电层具有当利用所述蚀刻剂蚀刻时呈现不同蚀刻速率的至少两个不同的区域。随后，在所述介电层中形成沟槽，使得所述沟槽横穿所述不同的区域中的每个区域。然后，通过利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速率蚀刻沟槽来加宽该沟槽。通过用导电材料填充加宽的沟槽，形成导线。