公开(公告)号：CN108511472A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810165284.8

申请日：2018-02-28

申请人： 佳能株式会社

发明人： 河野章宏 ,  中川善之 ,  石冈真男 ,  冈川崇

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

摘要： 本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。

公开(公告)号：CN103426887B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310181422.9

申请日：2013-05-16

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.浦洛斯 ,  H-J.舒尔策 ,  A.苏西蒂 ,  M.聪德尔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及包括硅酸盐玻璃结构的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括包含第一表面的半导体本体。所述半导体器件进一步包括在所述第一表面上的连续硅酸盐玻璃结构。在半导体本体的有源区域上的连续玻璃结构的第一部分包括第一组分的掺杂剂，所述第一组分的掺杂剂不同于在有源区域外部的半导体本体的区域上的连续玻璃结构的第二部分中的第二组分的掺杂剂。

公开(公告)号：CN105575899A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510565985.7

申请日：2015-09-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林毓超 ,  黄明杰 ,  陈昭成

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823437 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66545

摘要： 一种形成半导体集成电路(IC)的方法，该半导体IC在不考虑在IC的不同区中具有不同图案密度的情况下具有基本相等的栅极高度，该方法包括：提供在IC的第一区中具有第一图案密度和在IC的第二区中具有第二图案密度的衬底；在衬底之上形成第一多晶硅层，该第一多晶硅层具有不均匀的上表面；在第一多晶硅层之上形成停止层，处理停止层以改变其相对于第一多晶硅层的蚀刻选择性；在停止层之上形成第二多晶硅层；去除第二多晶硅层、停止层和第一多晶硅层的顶部，第一多晶硅层的剩余部分具有平坦的上表面。本发明涉及用于具有不同图案密度的半导体器件的等栅极高度控制方法。

公开(公告)号：CN1776842A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510113227.8

申请日：2005-07-29

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： M·A·勒扎尼卡

IPC分类号： H01G4/06 ,  H05K1/16

CPC分类号： H01G4/08 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/3115 ,  H01L28/82 ,  H05K1/162 ,  H05K3/181 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09509

摘要： 公开了一种介电结构，特别适合用在具有介电材料层的电容器中，所述介电材料层包括提供正性的外形的掺杂剂。还公开了形成这种介电结构的方法。这种介电结构显示出随后涂敷的导电层的增加了的粘着性。

公开(公告)号：CN1457508A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02800261.X

申请日：2002-02-01

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 江利口浩二

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659

摘要： 利用离子注入等向膜注入原子和热处理，形成高电介质膜。例如，在硅衬底(101)之上形成了热氧化膜即SiO2膜(102)后，从等离子体(105)向SiO2膜(102)内注入Zr离子(Zr+)。然后，通过进行SiO2膜(102)和Zr注入层(103)的退火处理，在Zr注入层(103)内注入的Zr扩散，SiO2膜(102)和Zr注入层(103)全体变为由Zr－Si－O(硅酸盐)构成的介电常数高的高电介质膜(106)。通过把该高电介质膜(106)作为MISFET的栅绝缘膜，能得到栅漏特性好的MISFET。

公开(公告)号：CN106876274A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510926289.4

申请日：2015-12-11

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 周飞

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66545

摘要： 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于衬底表面的伪栅氧化层以及位于伪栅氧化层上的伪栅极；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构的侧壁表面，且所述介质层表面暴露出所述伪栅极结构的顶部表面；去除所述伪栅极，在所述介质层内形成开口，所述开口底部暴露出伪栅氧化层；修复所述开口底部暴露出的伪栅氧化层；在所述开口内形成栅极结构。本发明实施例在去除伪栅极之后，对伪栅氧化层进行修复，以此来减小形成伪栅极过程中对伪栅氧化层造成的损伤，避免形成伪栅极之后，直接对伪栅氧化层进行氧化修复所容易引发的短路问题，提高了所形成的晶体管的性能及可靠性。

公开(公告)号：CN106601665A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610754617.1

申请日：2016-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈昱志 ,  胡弘龙 ,  蔡嘉庆 ,  杨思宏

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/3115 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826

摘要： 本发明的实施例公开了一种其中具有掺杂金属的蚀刻停止层的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成具有互连结构的半导体器件，互连结构中具有介电层和导体，以及在介电层上方形成蚀刻停止层；施加光刻胶层并且图案化光刻胶层，以暴露介电层上方的蚀刻停止层的位于导体的顶面上的部分；以及利用元件掺杂蚀刻停止层的暴露部分，以形成掺杂金属的蚀刻停止层。所形成的掺杂金属的蚀刻停止层具有凹槽结构并且用作导体上方的导电衬垫。

公开(公告)号：CN103377881A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310141578.4

申请日：2013-04-22

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 马蒂亚斯·施特歇尔 ,  安雅·吉西博尔 ,  马库斯·梅娜斯 ,  安德烈亚斯·藏克尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/322 ,  H01L21/44 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了制造导线的方法，更具体地讲，公开了制造半导体组件的圆形导线的方法。在该方法中，提供部分完成的半导体组件。所述部分完成的半导体组件具有底面和顶面，所述顶面在垂直方向上与所述底面远距离间隔。还提供蚀刻剂。在所述顶面上设置介电层。所述介电层具有当利用所述蚀刻剂蚀刻时呈现不同蚀刻速率的至少两个不同的区域。随后，在所述介电层中形成沟槽，使得所述沟槽横穿所述不同的区域中的每个区域。然后，通过利用所述蚀刻剂以不同的蚀刻速率蚀刻沟槽来加宽该沟槽。通过用导电材料填充加宽的沟槽，形成导线。

公开(公告)号：CN101681833B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

摘要： 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN101010783A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029355.2

申请日：2005-08-04

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 詹姆斯·P·格鲁斯 ,  安德烈亚斯·G·海格达斯 ,  萨思诗·库普劳

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144

摘要： 本发明公开了在低物种利用工艺期间，通过停止气体流入反应腔室，可使扩散入衬底的原子数量均匀或者可使薄膜的厚度均匀。停止气体流入反应腔室可能需要关闭阀门(真空泵的阀门)，稳定反应腔室内的压力，以及在停止气体流入腔室时维持稳定的压力。低物种利用工艺包括通过去耦等离子体氮化(DPN)使氮扩散到二氧化硅栅介电层中，通过快速热处理(RTP)或者化学气相沉积(CVD)沉积二氧化硅膜，以及通过CVD沉积硅外延层。