公开(公告)号：CN103985676B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410048477.7

申请日：2014-02-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.贝格尔 ,  W.莱纳特 ,  A.毛德 ,  G.鲁尔 ,  R.鲁普 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L29/1075 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及复合晶片及其制造方法。一种复合晶片包括衬底和SiC基功能层。衬底包括多孔碳衬底芯和包装衬底芯的包装层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成。在功能层的厚度上积分的碳化物和硅化物形成金属的数量是10‑4mg/cm2到0.1mg/cm2。

公开(公告)号：CN104241093A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410274878.4

申请日：2014-06-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.普吕格尔 ,  G.鲁尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02524 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0405 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/7685 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/778

摘要： 公开了一种用于处理载体的方法和电子部件。在各个实施例中，提供一种处理载体的方法。所述用于处理载体的方法包括：在载体上形成第一催化金属层；在第一催化金属层上形成源层；在源层上形成第二催化金属层，其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度；和随后进行退火，以使得能够进行源层的材料的扩散，以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。

公开(公告)号：CN103985676A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410048477.7

申请日：2014-02-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.贝格尔 ,  W.莱纳特 ,  A.毛德 ,  G.鲁尔 ,  R.鲁普 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L29/1075 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及复合晶片及其制造方法。一种复合晶片包括衬底和SiC基功能层。衬底包括多孔碳衬底芯和包装衬底芯的包装层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成。在功能层的厚度上积分的碳化物和硅化物形成金属的数量是10-4mg/cm2到0.1mg/cm2。

公开(公告)号：CN105716734B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201510967259.8

申请日：2015-12-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.克格勒 ,  J.G.拉文 ,  J.马勒 ,  G.鲁尔 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： G01K7/16 ,  G01K7/34

摘要： 本发明涉及温度传感器。提供了温度传感器器件和对应的方法。温度传感器可以包含在温度范围内本质上是非传导的第一层以及在所述温度范围内具有变化的电阻的第二层。

公开(公告)号：CN107302026A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710711881.1

申请日：2014-06-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.普吕格尔 ,  G.鲁尔

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/02524 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0405 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/7685 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/778

摘要： 公开了一种用于处理载体的方法和电子部件。在各个实施例中，提供一种处理载体的方法。所述用于处理载体的方法包括：在载体上形成第一催化金属层；在第一催化金属层上形成源层；在源层上形成第二催化金属层，其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度；和随后进行退火，以使得能够进行源层的材料的扩散，以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。

公开(公告)号：CN104425336B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410436003.X

申请日：2014-08-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G.鲁尔 ,  M.沃佩尔

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/673 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有带有不同反射率的相对侧的半导体管芯。提供加工半导体管芯的方法。每个半导体管芯具有带有一个或多个端子的第一侧、与第一侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延伸的侧墙。通过在支撑衬底上放置该半导体管芯来加工半导体管芯以便每个半导体管芯的第一侧面向该支撑衬底并且第二侧背对该支撑衬底。施加涂层到放置在支撑衬底上的半导体管芯。该涂层具有比半导体管芯的第一侧更低的反射率。该涂层覆盖第二侧以及最接近每个半导体管芯的第二侧的侧墙的至少一个区。在施加该涂层之后从该支撑衬底去除半导体管芯用于进一步加工作为散装的管芯诸如编带。

公开(公告)号：CN107017152A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710134266.9

申请日：2014-02-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.贝格尔 ,  W.莱纳特 ,  A.毛德 ,  G.鲁尔 ,  R.鲁普 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16

摘要： 本发明涉及复合晶片及其制造方法。一种复合晶片包括衬底和SiC基功能层。衬底包括多孔碳衬底芯和包装衬底芯的包装层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成。在功能层的厚度上积分的碳化物和硅化物形成金属的数量是10‑4mg/cm2到0.1mg/cm2。

公开(公告)号：CN104425336A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410436003.X

申请日：2014-08-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G.鲁尔 ,  M.沃佩尔

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/673 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有带有不同反射率的相对侧的半导体管芯。提供加工半导体管芯的方法。每个半导体管芯具有带有一个或多个端子的第一侧、与第一侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延伸的侧墙。通过在支撑衬底上放置该半导体管芯来加工半导体管芯以便每个半导体管芯的第一侧面向该支撑衬底并且第二侧背对该支撑衬底。施加涂层到放置在支撑衬底上的半导体管芯。该涂层具有比半导体管芯的第一侧更低的反射率。该涂层覆盖第二侧以及最接近每个半导体管芯的第二侧的侧墙的至少一个区。在施加该涂层之后从该支撑衬底去除半导体管芯用于进一步加工作为散装的管芯诸如编带。

公开(公告)号：CN107302026B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201710711881.1

申请日：2014-06-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.普吕格尔 ,  G.鲁尔

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 公开了一种用于处理载体的方法和电子部件。在各个实施例中，提供一种处理载体的方法。所述用于处理载体的方法包括：在载体上形成第一催化金属层；在第一催化金属层上形成源层；在源层上形成第二催化金属层，其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度；和随后进行退火，以使得能够进行源层的材料的扩散，以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。

公开(公告)号：CN104241093B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201410274878.4

申请日：2014-06-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.普吕格尔 ,  G.鲁尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02524 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0405 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/7685 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/778

摘要： 公开了一种用于处理载体的方法和电子部件。在各个实施例中，提供一种处理载体的方法。所述用于处理载体的方法包括：在载体上形成第一催化金属层；在第一催化金属层上形成源层；在源层上形成第二催化金属层，其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度；和随后进行退火，以使得能够进行源层的材料的扩散，以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。