公开(公告)号：CN108962749A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810575915.3

申请日：2015-06-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  V·范特里克

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7396

摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件。一种绝缘栅双极晶体管器件包括半导体衬底，其包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域。第一鳍结构从半导体衬底的漂移区域开始并且垂直于半导体衬底的主表面延伸。绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构沿着第一鳍结构的至少一部分延伸。

公开(公告)号：CN108550619A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810491009.5

申请日：2014-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  H-J·舒尔策 ,  J·G·拉文 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  H-P·菲尔斯尔

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

摘要： 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN106024871A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610180420.1

申请日：2016-03-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·耶格 ,  R·巴布斯克 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  H-J·舒尔策 ,  A·维莱

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66333

摘要： 公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。

公开(公告)号：CN108550619B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810491009.5

申请日：2014-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  H-J·舒尔策 ,  J·G·拉文 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  H-P·菲尔斯尔

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

摘要： 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN105226086B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510354289.1

申请日：2015-06-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  V·范特里克

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7396

摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法。绝缘栅双极晶体管器件100包括半导体衬底，该半导体衬底包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管器件100包括第一纳米线结构120和第一栅极结构130。绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构120被连接至漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构130沿着第一纳米线结构120的至少一部分延伸。

公开(公告)号：CN104518017B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410514781.6

申请日：2014-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  H-J·舒尔策 ,  J·G·拉文 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  H-P·菲尔斯尔

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

摘要： 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN105226086A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510354289.1

申请日：2015-06-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  V·范特里克

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7395

摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法。绝缘栅双极晶体管器件100包括半导体衬底，该半导体衬底包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管器件100包括第一纳米线结构120和第一栅极结构130。绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构120被连接至漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构130沿着第一纳米线结构120的至少一部分延伸。

公开(公告)号：CN104518017A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410514781.6

申请日：2014-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  H-J·舒尔策 ,  J·G·拉文 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  H-P·菲尔斯尔

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

摘要： 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN108962749B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810575915.3

申请日：2015-06-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·P·桑道 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  V·范特里克

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

摘要： 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件。一种绝缘栅双极晶体管器件包括半导体衬底，其包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域。第一鳍结构从半导体衬底的漂移区域开始并且垂直于半导体衬底的主表面延伸。绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构沿着第一鳍结构的至少一部分延伸。

公开(公告)号：CN106024871B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610180420.1

申请日：2016-03-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C·耶格 ,  R·巴布斯克 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  H-J·舒尔策 ,  A·维莱

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331

摘要： 公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。