一种高振型稳定性的宽频响硅微机械加速度计

    公开(公告)号:CN112881755B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110071869.5

    申请日:2021-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种具有高振型稳定性、宽频率响应特征的电容式硅微机械加速度计结构,属于惯性技术和微机电系统(MEMS)领域。该加速度计依次包括基底硅体3、锚点2和器件层1。器件层1通过锚点2悬置于基底硅体3上方;所述器件层1由框架式结构4和弹性梁组5构成;所述框架式结构4为方形外围框架结构4‑2和连接中央横梁4‑1组成的“日”字形结构。该加速度计结构具有易于加工、结构误差免疫工艺误差等特点,八爪构型特征的结构显著提高面内振型稳定性,内框架的弹性梁和锚点约束抑制面外振动,该器件结构能够有效压缩有用振型至一阶模态,将多个有害振型排挤至二阶及以上的高阶模态,有效隔离高阶有害振型对一阶有用振型的影响,显著提升了加速度计结构在高频响应范围的振型稳定性,提高了器件精度。

    一种高振型稳定性的宽频响硅微机械加速度计

    公开(公告)号:CN112881755A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110071869.5

    申请日:2021-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种具有高振型稳定性、宽频率响应特征的电容式硅微机械加速度计结构,属于惯性技术和微机电系统(MEMS)领域。该加速度计依次包括基底硅体3、锚点2和器件层1。器件层1通过锚点2悬置于基底硅体3上方;所述器件层1由框架式结构4和弹性梁组5构成;所述框架式结构4为方形外围框架结构4‑2和连接中央横梁4‑1组成的“日”字形结构。该加速度计结构具有易于加工、结构误差免疫工艺误差等特点,八爪构型特征的结构显著提高面内振型稳定性,内框架的弹性梁和锚点约束抑制面外振动,该器件结构能够有效压缩有用振型至一阶模态,将多个有害振型排挤至二阶及以上的高阶模态,有效隔离高阶有害振型对一阶有用振型的影响,显著提升了加速度计结构在高频响应范围的振型稳定性,提高了器件精度。

    一种高振型稳定性的MEMS环形谐振器

    公开(公告)号:CN113753843A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110753958.8

    申请日:2021-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种高振型稳定性的新型微环形谐振器,属于惯性技术和微机电系统(MEMS)领域。该谐振器由基底层1、器件层2和锚点3构成;所述器件层2由环形谐振子4与包括长梁9、短梁10在内的四组约束梁构成;所述环形谐振子4由4组约束梁分别沿0°、90°、180°、270°方向连接到锚点上,每组梁均沿径线方向与环形谐振子连接;一组约束梁分为轴对称的两支,每支由N支单折叠梁首尾相接构成。本发明使用品质因数和灵敏度较高的圆环作为谐振结构,关键特征在于在其正交方向设置多组约束梁,使谐振器在沿短梁平行方向的刚度远小于其他方向,约束结构沿此方向振动,从而抑制了由加工工艺误差产生的环形质量分布不均所导致的模态振型失稳,显著提高了MEMS环形谐振器模态振型稳定性。

    一种高振型稳定性的MEMS环形谐振器

    公开(公告)号:CN113753843B

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202110753958.8

    申请日:2021-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种高振型稳定性的新型微环形谐振器,属于惯性技术和微机电系统(MEMS)领域。该谐振器由基底层1、器件层2和锚点3构成;所述器件层2由环形谐振子4与包括长梁9、短梁10在内的四组约束梁构成;所述环形谐振子4由4组约束梁分别沿0°、90°、180°、270°方向连接到锚点上,每组梁均沿径线方向与环形谐振子连接;一组约束梁分为轴对称的两支,每支由N支单折叠梁首尾相接构成。本发明使用品质因数和灵敏度较高的圆环作为谐振结构,关键特征在于在其正交方向设置多组约束梁,使谐振器在沿短梁平行方向的刚度远小于其他方向,约束结构沿此方向振动,从而抑制了由加工工艺误差产生的环形质量分布不均所导致的模态振型失稳,显著提高了MEMS环形谐振器模态振型稳定性。

    一种红外传感器模组及制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115574950A

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202211568149.0

    申请日:2022-12-08

    Abstract: 本发明涉及一种红外传感器模组及制备方法,涉及红外传感器领域,红外传感器模组包括:红外传感器外壳、快门装置、热电堆阵列结构和ASIC芯片;所述快门装置与所述红外传感器外壳固定连接;所述热电堆阵列结构设置在所述红外传感器外壳内;所述ASIC芯片设置在所述红外传感器外壳远离所述快门装置的一侧;所述快门装置和所述热电堆阵列结构均与所述ASIC芯片连接;所述快门装置还与所述热电堆阵列结构连接;所述热电堆阵列结构包括依次设置的衬底层、第一氧化硅层、多晶硅条、第二氧化硅层、金属层和掩膜。本发明能够降低红外传感器的尺寸。

    一种芯片级高动态MEMS环形声表面驻波陀螺

    公开(公告)号:CN115855011A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202310192975.8

    申请日:2023-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种芯片级高动态MEMS环形声表面驻波陀螺,包括基底、声波驱动模块、声波敏感模块、环形金属质量点阵,声波驱动模块和声波敏感模块构成环形,环形质量点阵设置于声波驱动模块和声波敏感模块的中央,声波驱动模块包括相对设置的第一扇形叉指换能器和第二扇形叉指换能器,声波敏感模块包括相对设置的第三扇形叉指换能器和第四扇形叉指换能器,每一个叉指的一侧向外延伸出电极,电极上溅射金属电极层。本发明采用上述结构的一种芯片级高动态MEMS环形声表面驻波陀螺,排布了多环嵌套形式的声表面驻波驱动结构和声表面波敏感结构以构成圆环形状,提升陀螺检测的灵敏度和精度。

    一种折叠式多芯片柔性集成封装方法及柔性集成封装芯片

    公开(公告)号:CN115565890B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211560253.5

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明涉及一种折叠式多芯片柔性集成封装方法及柔性集成封装芯片,涉及芯片封装领域,方法包括在衬底基板上旋涂第一柔性聚合物形成柔性聚合物基底层并设置芯片安装槽及加强折痕槽;将待封装芯片安装至芯片安装槽;将加强折痕材料安装至加强折痕槽形成加强折痕;利用第二柔性聚合物将待封装芯片和加强折痕覆盖,得到柔性聚合物中间层;在柔性聚合物中间层上制备导线空腔和柱状凹槽;利用第三柔性聚合物将完成电气互连后的柔性聚合物中间层进行旋涂,得到柔性封装结构;将柔性封装结构与衬底基板拆分并将柔性封装结构按照加强折痕进行折叠,得到柔性集成封装芯片。本发明能实现多芯片柔性集成,具有折叠保形性,提高封装空间利用率,提高寿命。

    一种折叠式多芯片柔性集成封装方法及柔性集成封装芯片

    公开(公告)号:CN115565890A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211560253.5

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明涉及一种折叠式多芯片柔性集成封装方法及柔性集成封装芯片,涉及芯片封装领域,方法包括在衬底基板上旋涂第一柔性聚合物形成柔性聚合物基底层并设置芯片安装槽及加强折痕槽;将待封装芯片安装至芯片安装槽;将加强折痕材料安装至加强折痕槽形成加强折痕;利用第二柔性聚合物将待封装芯片和加强折痕覆盖,得到柔性聚合物中间层;在柔性聚合物中间层上制备导线空腔和柱状凹槽;利用第三柔性聚合物将完成电气互连后的柔性聚合物中间层进行旋涂,得到柔性封装结构;将柔性封装结构与衬底基板拆分并将柔性封装结构按照加强折痕进行折叠,得到柔性集成封装芯片。本发明能实现多芯片柔性集成,具有折叠保形性,提高封装空间利用率,提高寿命。

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