一种来源于腺苷脱氨酶的胞嘧啶碱基编辑系统

    公开(公告)号:CN118185908A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410237383.8

    申请日:2024-03-01

    Applicant: 西南大学

    Abstract: 本发明属于基因工程技术领域,具体涉及一种来源于腺苷脱氨酶的胞嘧啶碱基编辑系统。本发明的目的是为了拓展植物中的CBE工具库,发掘具有更优编辑效率和编辑特异性的CBE编辑器。本发明的技术方案是具备胞嘧啶碱基编辑功能的融合蛋白TadCBEa,包括TadA‑CDa脱氨酶与Cas蛋白;所述TadA‑CDa脱氨酶为将具有腺苷脱氨酶作用的TadA‑8e改造为行使胞苷脱氨酶作用。本发明还提供了来源于腺苷脱氨酶的胞嘧啶碱基编辑系统,包含TadA‑CDa脱氨酶与Cas蛋白融合构建成的融合蛋白TadCBEa。TadCBEa能够实现从C到T的碱基编辑功能,是一种高活性、高特异性的胞嘧啶碱基编辑工具。

    一种适用于植物的双碱基编辑系统

    公开(公告)号:CN118497179A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410237367.9

    申请日:2024-03-01

    Applicant: 西南大学

    Abstract: 本发明属于基因工程技术领域,具体涉及一种适用于植物的双碱基编辑系统。本发明要解决的技术问题是提供适用于植物的双碱基编辑器。本发明的技术方案是一种适用于植物的双碱基编辑系统,包含TadA‑dual脱氨酶与Cas蛋白融合构建成的双碱基编辑器TadDE;所述TadA‑dual脱氨酶为将具有腺苷脱氨酶活性的TadA‑8e改造为行使胞苷脱氨酶和腺苷脱氨酶双重作用。本发明提供的双碱基编辑系统拓展了植物的碱基编辑工具库,只需要一种脱氨酶即可行使两种碱基编辑功能,且其分子量更小、编辑效率和编辑特异性更高,更适用于精准编辑。

    功能层为单层有机材料的有机太阳能电池

    公开(公告)号:CN101882664B

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201010200494.X

    申请日:2010-06-13

    Applicant: 西南大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明提出一种功能层为单层有机材料的有机太阳能电池,其按连接顺序包括透明或不透明阳极、阳极界面改性层、单层有机材料功能层、阴极界面改性层、透明或不透明阴极,本发明提出的有机太阳能电池完全有别于P-N节型有机太阳能电池中利用两种有机半导体材料(受体材料和给体材料)来进行激子拆分,采用一种全新的工作原理:通过单层有机材料激子在经过改性的电极表面的拆分来实现光电转化,利用激子中的电子和空穴在界面的动力学差异过程进行光电转化,其中的单层有机半导体材料可以是小分子也可以是聚合物。

    功能层为单层有机材料的有机太阳能电池

    公开(公告)号:CN101882664A

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN201010200494.X

    申请日:2010-06-13

    Applicant: 西南大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明提出一种功能层为单层有机材料的有机太阳能电池,其按连接顺序包括透明或不透明阳极、阳极界面改性层、单层有机材料功能层、阴极界面改性层、透明或不透明阴极,本发明提出的有机太阳能电池完全有别于P-N节型有机太阳能电池中利用两种有机半导体材料(受体材料和给体材料)来进行激子拆分,采用一种全新的工作原理:通过单层有机材料激子在经过改性的电极表面的拆分来实现光电转化,利用激子中的电子和空穴在界面的动力学差异过程进行光电转化,其中的单层有机半导体材料可以是小分子也可以是聚合物。

    一种高磁场响应的有机发光二极管

    公开(公告)号:CN102290530A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110269411.7

    申请日:2011-09-13

    Applicant: 西南大学

    Abstract: 一种高磁场响应的有机发光二极管,其特征在于其由下至上包括以下相连的结构层:正电极、与阳极相连的空穴注入层、空穴传输层、器件发光层、与阴极相连的电子传输层、负电极;所述器件发光层的材料是Rubrene(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene),器件发光层的HOMO和LUMO分别是-5.5eV和-3.1eV;所述有机发光二极管在垂直一维方向上的总厚度为375nm;正电极的厚度为120nm;与阳极相连的空穴注入层的厚度为15nm;空穴传输层的厚度为60nm、器械发光层的厚度为10nm,与阴极相连的电子传输层的厚度为70nm、负电极的厚度为100nm。本有机发光二极管器件对磁响应值相对较高,对温度不敏感,可以通过所述有机发光二极管的磁效应特性曲线来感应外界弱小磁场的存在及其变化等特性。

Patent Agency Ranking