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公开(公告)号：CN114518081B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111622145.1
申请日：2021-12-28
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： G01B11/27
摘要： 本发明属于光电探测器芯片贴装工艺技术领域，具体涉及一种单元类器件同心度辅助贴装装置，包括：对位平台和视觉显微镜；所述对位平台用于管座的装夹和位置调节，视觉显微镜用于器件图案和参考模板显示；对位平台包括：管座夹具、X‑Y‑R微动台和固定底板，三者之间连接；本发明基于对位平台和同心圆参考模板进行对位贴装，相比传统手动贴装方法，对位精度和一致性更高，贴装后无需再次进行同心度测试。本发明采用显示器进行图像显示，相比肉眼在显微镜视场下观察更加便捷，同时有利于缓解作业疲劳。本发明的载盘可沿圆周装夹多只管座，通过X‑Y‑R微动台调节可实现不同管座的位置切换，载盘和避空底座采用套合式装配，有利于快速更换，提升周转效率。
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公开(公告)号：CN117594464A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311668113.4
申请日：2023-12-07
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种用于多面立体结构器件引线键合的工装夹具，结构为：底座中心开大U形槽、小U形槽，U形板布置在大U形槽中，两根连杆I对称穿过U形板侧壁和相邻的大U形槽侧壁上的连杆安装孔，一根连杆I的端部设第一把手；U形板的两侧壁上对称布置第一滑块，螺丝安装孔内安装波珠螺丝；连杆II中部穿过U形板底部中心，连杆II上端设置支撑块，支撑块上布置多面立体结构器件，连杆II下端安装第二把手，第二把手位于小U形槽中；支撑块侧壁上突出有滑块座，滑块座中安装第二滑块；U形板底部中心的四周均匀间隔安装四组波珠螺丝。本发明具有较强的实用性，器件装夹及翻转便捷，可有效提升多面立体结构器件引线键合效率。
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公开(公告)号：CN104634447B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410851812.7
申请日：2014-12-31
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明提出的一种光电探测器寿命评估试验系统，旨在提供一种实时自动监测、采集数据，能同时对探测器施加三种任意组合应力进行寿命试验的评估试验系统。本发明通过下述技术方案予以实现：光控制试验系统通过光纤分路器将来自半导体激光器脉冲光信号分流到每个光电探测器受试样品上；温度控制试验系统通过温度试验箱对安装在测试工装各个区域的受试样品进行温度控制；电源控制系统通过电源控制模块根据测试工装各个区域的电压分别进行控制，试验监测控制系统通过控制面板对不同区域受试样品进行控制，实时监测受试样品参数，实现对样品参数测试数据的实时采集，监测受试样品的正常状态，FPGA模块将采集到的信息传递给计算机，进行寿命大小和置信度参数的评估。
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公开(公告)号：CN109817753A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811604333.X
申请日：2018-12-26
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L31/18
摘要： 本发明属于光电二极管领域，具体涉及一种提高PIN光电二极管响应度的方法，通过在PIN光电二极管底部粘接加热元件以提高PIN光电二极管的温度，进而提高PIN光电二极管响应度。同时涉及一种PIN光电二极管，所述PIN光电二极管底部粘有加热元件。本发明PIN光电二极管通过在底部粘结加热元件的方式提高了响应度，提升效果显著且不会增加额外的噪声。利用闭环或者开环反馈的方式，实现PIN二极管在指定温度的恒定，从而达到提高PIN光电二极管响应度的目的。
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公开(公告)号：CN105222392B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510673928.0
申请日：2015-10-16
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： F25B21/02
摘要： 本发明提出的一种半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法，利用本发明可以显著提高半导体制冷器的抗过载冲击能力。本发明通过以下技术方案予以实现：首先对半导体制冷器三周边碲化铋晶粒用环氧胶进行包边保护，在底边留出排气孔；将半导体制冷器灌胶口向上，竖直放置在专用工装内加热；用注胶针筒，采用压缩空气将环氧胶从灌胶口注入半导体制冷器内；灌封完毕，对灌封环氧胶的半导体制冷器及其制冷片持续加热，使环氧胶在制冷片内部充分流动浸润所有碲化铋晶粒及陶瓷板内壁，并排出半导体制冷器内的空气泡；最后将制冷片从专用工装中取出，竖直放置自然固化至少24h。本发明解决了现有技术高过载环境下碲化铋晶粒受力易碎或陶瓷板破损的问题。
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公开(公告)号：CN106772992A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611160931.3
申请日：2016-12-15
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： G02B21/34
CPC分类号： G02B21/34
摘要： 本发明属于显微检测领域，具体涉及一种显微镜下快速定位被观察物的方法。该方法包括在用于承载被观察物的载具上制作多个具有指向性的标记，标记均指向载具上用于承载被观察物的位置；将被观察物放置在载具上的位置，并将载具放置在显微镜下；移动载具，直至在显微镜视野内看到标记；根据标记的指向，移动载具，直至在显微镜视野内看到被观察物。使用本发明的方法，可以实现在显微镜尤其是高倍数显微镜有限视野范围内快速定位被观察物，提高定位效率，同时降低观察时频繁调节焦距的频率，改善观察人员的用眼健康。
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公开(公告)号：CN116093008A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211484790.6
申请日：2022-11-24
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明提出一种平面连杆结构芯片夹持装置，包括装置壳体、可更换的夹持头、平面连杆结构、按钮、弹簧和调节螺丝。本装置采用平行四边形的平面连杆结构，能够使得夹持头的夹持部始终处于平行姿态，在接触元器件时的接触区域为面接触，能够降低接触压力；元器件的夹持力度只受弹簧张紧程度的影响，夹持力度稳定，不会因为使用人熟练度差而损坏芯片；通过调节螺丝改变弹簧的张紧程度，能够改变夹持头的夹持力度；可以根据不同元器件尺寸，更换不同结构的夹持头，具有结构紧凑、可靠、元器件规格适应性强等特点。
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公开(公告)号：CN114518081A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111622145.1
申请日：2021-12-28
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： G01B11/27
摘要： 本发明属于光电探测器芯片贴装工艺技术领域，具体涉及一种单元类器件同心度辅助贴装装置，包括：对位平台和视觉显微镜；所述对位平台用于管座的装夹和位置调节，视觉显微镜用于器件图案和参考模板显示；对位平台包括：管座夹具、X‑Y‑R微动台和固定底板，三者之间连接；本发明基于对位平台和同心圆参考模板进行对位贴装，相比传统手动贴装方法，对位精度和一致性更高，贴装后无需再次进行同心度测试。本发明采用显示器进行图像显示，相比肉眼在显微镜视场下观察更加便捷，同时有利于缓解作业疲劳。本发明的载盘可沿圆周装夹多只管座，通过X‑Y‑R微动台调节可实现不同管座的位置切换，载盘和避空底座采用套合式装配，有利于快速更换，提升周转效率。
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公开(公告)号：CN105222392A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510673928.0
申请日：2015-10-16
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： F25B21/02
摘要： 本发明提出的一种半导体制冷器抗过载冲击能力的提高方法，利用本发明可以显著提高半导体制冷器的抗过载冲击能力。本发明通过以下技术方案予以实现：首先对半导体制冷器三周边碲化铋晶粒用环氧胶进行包边保护，在底边留出排气孔；将半导体制冷器灌胶口向上，竖直放置在专用工装内加热；用注胶针筒，采用压缩空气将环氧胶从灌胶口注入半导体制冷器内；灌封完毕，对灌封环氧胶的半导体制冷器及其制冷片持续加热，使环氧胶在制冷片内部充分流动浸润所有碲化铋晶粒及陶瓷板内壁，并排出半导体制冷器内的空气泡；最后将制冷片从专用工装中取出，竖直放置自然固化至少24h。本发明解决了现有技术高过载环境下碲化铋晶粒受力易碎或陶瓷板破损的问题。
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公开(公告)号：CN102142468A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010593239.6
申请日：2010-12-17
申请人： 西南技术物理研究所
发明人： 王鸥 , 王平秋 , 周红轮 , 郭勇 , 李丰 , 马孜 , 苏洁梅 , 何伟 , 石柱 , 钱煜 , 向秋澄 , 覃文治 , 李潇 , 刘小会 , 周小燕 , 刘从吉 , 柯尊贵 , 胡卫英
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/109
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 本发明提出的一种带光子陷阱的光电探测芯片，旨在提供一种可以解决传统直接光电探测芯片元件在吸收长度较长的波长时响应速度和量子效率的矛盾限制，实现高速和高量子效率的兼容，适合各种半导体材料的芯片，增强波长范围可以覆盖芯片全部工作波长范围的光电探测芯片。本发明通过下述技术方案予以实现：它具有光电探测元件(PD)，在所述PD芯片本体(12)上制有由反射腔体和微透镜阵列构成的光子陷阱，该光子陷阱使到达芯片表面光束经过微透镜阵列进入反射腔体，局限在芯片吸收区中反复反射，直至被完全吸收。
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