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公开(公告)号：CN113403597A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110667577.8
申请日：2021-06-16
Applicant: 西安交通大学 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种Zr‑B‑O‑N薄膜、Cu互连体及其制备方法，以ZrB2复合靶为靶材，在N2和Ar混合气氛下进行反应磁控溅射，在基底上沉积得到Zr‑B‑O‑N薄膜在所述的Zr‑B‑O‑N薄膜上沉积Cu层得到Cu互连结构。本发明得到的Zr‑B‑O‑N薄膜为非晶结构，具有扩散阻挡性能，能解决Cu互连结构中Cu扩散的问题。
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公开(公告)号：CN115799197A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211465983.7
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及封装键合工艺，属于半导体技术领域，第一电源转换芯片和第二电源转换芯片非对称设置于上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内侧，第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的集电极分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板的内表面焊接，栅极分别与下双面覆铜基板和上双面覆铜基板内表面焊接。铜夹上端上表面和下表面分别与第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的发射极焊接，下端与下双面覆铜基板内表面焊接；上引脚和下引脚分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内表面焊接，上引脚与第一电源转换芯片的集电极、发射极和栅极电连接；下引脚与第二电源转换芯片的集电极、发射极和栅极电连接。
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公开(公告)号：CN112242350A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011122601.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 西安文理学院 , 西安交通大学苏州研究院
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连线的Al2O3/ZrN双层扩散阻挡层及其制备方法，通过在清洗除杂预处理后的基板上沉积清洗除杂预处理，然后在Al2O3过渡层表面沉积一层ZrN阻挡层形成双层结构，通过在ZrN阻挡层与硅基底之间制备一层超薄Al2O3过渡层，可以有效提高ZrN阻挡层材料的扩散阻挡性能，也有助于减少尺寸效应引起的铜布线电阻增加，利用沉积形成的Al2O3过渡层的非晶结构，可以明显改善ZrN阻挡层与硅基底的界面结合，具有非晶结构的Al2O3/ZrN双层阻挡层具有较高的热稳定性，提高了抗Cu原子扩散的阻挡性能。
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公开(公告)号：CN112186154A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011012760.6
申请日：2020-09-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种氟磷酸钒钠@CNTs复合材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：1)将NH4VO3、NH4H2PO4、NaF和柠檬酸溶解在水中，得到混合液；将CNTs超声分散在水中，得到分散液；将分散液与混合液混合，采用溶胶凝胶工艺制备Na3V2(PO4)2F3@CNTs前驱体；2)制备的Na3V2(PO4)2F3@CNTs前驱体进行烘干、研磨、前热处理、研磨、后热处理阶段，最终得到Na3V2(PO4)2F3@CNTs复合材料。本发明解决了液相法合成的Na3V2(PO4)2F3结晶性较差且在循环过程中的容量衰减的问题，提高了材料在制备过程中的结晶性和在电池循环过程中的稳定性。
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公开(公告)号：CN103866222B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410081498.9
申请日：2014-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种涂覆材料、带有涂覆层的采煤机截齿齿体及制备方法，其中，该涂覆材料由以下重量百分比的组分制备而成：33.0-38.0%碳化钨，2.00-6.00%铼，其余为镍基合金；带有涂覆层的采煤机截齿齿体的涂覆层由上述涂覆材料制备而成，其制备方法包括：使用16#刚玉砂将采煤机截齿齿体表面进行粗化处理，在200-300℃下预热后，利用等离子喷涂技术在采煤机截齿齿体表面涂覆一层Ni60/WC涂层。采用本发明涂覆材料结合等离子喷涂技术制备的带有涂覆层的采煤机截齿齿体，其提高了采煤机截齿齿体的耐磨性和硬度，有效减少工作时产生的火花，从而提高了采煤机截齿齿体的使用寿命，以及提高了经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114807850A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210476639.1
申请日：2022-04-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于新材料技术领域，且公开了一种应用于热锻模具表面的氮化物硬质薄膜，该氮化物硬质薄膜Zr元素的原子百分比为5～55％，Cr元素的原子百分比为5～55％，N元素的原子百分比为35～51％。本发明所制备的氮化物硬质薄膜具有梯度结构，打底层Cr层能够有效提高硬质薄膜与热锻模具钢基体之间的结合强度，过渡层CrN能够起到减缓硬质薄膜与钢基体中硬度、弹性模量及热膨胀系数差异的作用，表层ZrCrN氮化物硬质薄膜为热锻模具在复杂工况下提供表面防护作用，采用ZrCr合金靶相比于采用纯Zr和纯Cr靶共沉积方式，更有利于工艺稳定并扩大元素调节范围。
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公开(公告)号：CN118109785A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410230895.1
申请日：2024-02-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/06 , C23C14/35 , C25B11/036 , C25B11/04 , H01M8/0228 , H01M8/0206
Abstract: 本发明公开了一种PEM电解池双极板用多层强耐蚀涂层及其制备方法，属于涂层制备技术领域，通过直流反应磁控溅射技术在钛板基体表面交替沉积TaN层和Ta层，最外层覆盖PtTaN层，形成Ta/TaN/PtTaN多层涂层，其中的TaN层和Ta层，利用其界面打断柱状晶生长，制备出致密耐蚀的涂层，最外层包覆PtTaN涂层后表面致密光滑，因为少量贵金属Pt的加入，使得最外层的涂层具有良好的耐腐蚀性、导电性和疏水性，在PEM双极板涂层开发方面具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN112186135B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011010524.0
申请日：2020-09-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01M4/1397 , H01M4/04 , H01M4/136 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供一种包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极及其制备方法，通过原子层沉积法在Na3V2(PO4)2F3电极片上沉积金属氧化物层，得到包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极。解决了钠离子电池用正极材料的循环过程脱V、F问题，提高了材料在充放电过程中的循环稳定性，改善材料的容量衰减问题，同时，具有包覆层均匀致密、包覆量易于控制、产量显著提高的优点。
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公开(公告)号：CN104124123B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410131032.5
申请日：2014-04-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法，所述复合介质保护膜包括ZnO纳米线，所述ZnO纳米线的表面设置有一层MgO薄膜。由于在基片上设置ZnO籽晶层，并使得ZnO籽晶层生长出ZnO纳米线后，在ZnO纳米线表面沉积MgO薄膜，因此，提高了复合介质保护膜表面的粗糙度，使得复合介质保护膜的二次电子发射系数提高，二次电子发射系数高的介质保护膜能够有效降低显示器的着火电压，进而从一定程度上降低了PDP显示器的功耗和成本，提高器件的寿命，增强显示器件工作电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN104124123A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410131032.5
申请日：2014-04-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法，所述复合介质保护膜包括ZnO纳米线，所述ZnO纳米线的表面设置有一层MgO薄膜。由于在基片上设置ZnO籽晶层，并使得ZnO籽晶层生长出ZnO纳米线后，在ZnO纳米线表面沉积MgO薄膜，因此，提高了复合介质保护膜表面的粗糙度，使得复合介质保护膜的二次电子发射系数提高，二次电子发射系数高的介质保护膜能够有效降低显示器的着火电压，进而从一定程度上降低了PDP显示器的功耗和成本，提高器件的寿命，增强显示器件工作电压的稳定性。
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