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公开(公告)号：CN118109785A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410230895.1
申请日：2024-02-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/06 , C23C14/35 , C25B11/036 , C25B11/04 , H01M8/0228 , H01M8/0206
Abstract: 本发明公开了一种PEM电解池双极板用多层强耐蚀涂层及其制备方法，属于涂层制备技术领域，通过直流反应磁控溅射技术在钛板基体表面交替沉积TaN层和Ta层，最外层覆盖PtTaN层，形成Ta/TaN/PtTaN多层涂层，其中的TaN层和Ta层，利用其界面打断柱状晶生长，制备出致密耐蚀的涂层，最外层包覆PtTaN涂层后表面致密光滑，因为少量贵金属Pt的加入，使得最外层的涂层具有良好的耐腐蚀性、导电性和疏水性，在PEM双极板涂层开发方面具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN114314563B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111661232.8
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/16 , C01B32/168 , C01B32/205 , C01B32/21 , C01B32/914 , C01B32/05 , B22F9/20 , B22F1/16
Abstract: 本发明公开了一种基于木质碳化多孔结构的竹节状碳纳米管复合材料及其制备方法。通过氧等离子处理亲水性及石墨炉石墨化处理，竹节状碳纳米管顶端包覆过渡金属Fe、Co、Ni及其衍生物活性颗粒，原位锚定在木质多孔结构上。该结构具有天然序构，由纳米孔、中孔和微孔组成的各向异性和多级纤维结构。包覆颗粒的碳纳米管显示优异的金属导电性和电子存储容量可以增加比表面积和负载活性物质的活性位点。同时，很好地解决了高温下金属和碳不可避免地聚集，碳和活性纳米颗粒接触不良等问题。利用本方法制备的复合材料可应用于锂离子电池电极、电容器、柔性电子、热管理、光电催化等领域。本发明制备工艺简单，原料来源丰富，环境友好，生产成本廉价。
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公开(公告)号：CN116334711A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310288934.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种锡终端半导体材料及其制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面形成氢终端，此时半导体材料和氢原子形成了碳氢键，半导体表面多为氢原子；然后通过高压电解含锡的水溶液对半导体表面进行锡化处理，锡化处理过程中，足够的锡原子替换大量的氢原子，使得在半导体表面能够形成碳锡键，进而在半导体材料锡终端；本发明的制备方法借助于氢原子作为中间介质，使得锡原子能够复合在半导体材料的表面。方法首次实现了半导体锡终端表面的制备，并且是一种高效、清洁且安全的表面锡化方法，获得的锡终端半导体表面锡化程度高，同时具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN115775721A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211425646.5
申请日：2022-11-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导相变石墨电极金刚石电子器件的制备方法，该方法首先制备出图形化的电极掩模层，然后激光诱导金刚石相变为石墨，然后去除掩模层形成电极。本制备方法通过激光诱导金刚石产生特定区域的石墨相变，石墨与金刚石界面处晶格失配程度低，有效降低了石墨电极与金刚石接触界面的态密度，从而显著提升器件的频率特性，可以有效降低电极与金刚石接触界面的缺陷密度，从而显著提升金刚石电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN114059022A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111322836.X
申请日：2021-11-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法，该系统在现有的脉冲激光沉积系统(PLD)的真空腔体中设置等离子体放电系统，只需将现有的PLD系统中的气路不锈钢管中间部分更换为氧化铝绝缘陶瓷管，一端连接电源，另一端连接气路，即形成放电装置。该装置可以使氧等离子体负辉区重叠，电子与气体原子的碰撞次数增加，电离效果显著提高，有效提高脉冲激光沉积腔体中氧等离子体的浓度，降低ITO薄膜中氧空位的含量，改善非晶ITO薄膜晶体管阈值电压偏负的问题，一定程度上优化了器件的亚阈值摆幅和迁移率，有利于改善薄膜晶体管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113737243A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110997286.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种阀金属表面微弧氧化/水热处理制备耐磨涂层的方法，将钼酸钠与铝酸钠加入到水中，得到混合溶液；或将钼酸钠与氢氧化钠加入到水中，得到混合溶液；以混合溶液作为电解液，以阀金属试样为阳极，以不锈钢槽体为阴极；将阀金属试样置于电解液中进行微弧氧化，得到含钼微弧氧化试样；将含钼微弧氧化试样加入到水热反应釜中，进行水热处理，在阀金属试样表面制得耐磨涂层。本发明由于采用含有钼酸钠的电解液，先通过微弧氧化形成具有微观多孔结构的微弧氧化涂层，再经过水热处理后形成二硫化钼纳米结构层，二硫化钼的附着使得涂层具有极为优良的耐磨性能。
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公开(公告)号：CN110697696B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911013432.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明公开一种大面积单层石墨烯的制备技术，利用插层技术对缓冲层进行In原子插层，原来只有缓冲层的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间并使缓冲层转变为石墨烯，一方面制备出单层大面积的石墨烯，另一方面降低了石墨烯的制备温度。原缓冲层与单层外延石墨烯共存的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间，缓冲层变为石墨烯并与原有的外延石墨烯完美相连，形成大面积的单层石墨烯。此外，插层形成的石墨烯与衬底的相互作用较弱，为分离态的石墨烯，达到了离化的效果。用这种技术不仅可以制备出大面积的石墨烯，还可以控制石墨烯的层厚，这对于相关微电子、超导以及应变工程等领域的应用提供重要的指导与借鉴价值。
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公开(公告)号：CN108906097B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810653537.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: B01J27/236 , B01J35/10 , H01M4/90 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米梭形羟基碳酸铈/石墨烯复合材料及其制备方法。本发明将氧化石墨烯溶液作为石墨烯载体的前驱体，硝酸铈·六水合物作为羟基碳酸铈的前驱体，加入尿素以提供碳酸根，使用NaOH以提供OH‑离子，与硝酸铈·六水合物共同生成Ce(CO3)OH；通过一步水热法，实现了纳米梭形羟基碳酸铈的可控制备，并均匀分散在石墨烯表面。本发明提供的方法，制备工艺简单，生产成本低，所用原料易得，生产效率高，适合工业化生产。制备出的复合材料兼具羟基碳酸铈和石墨烯两者的优异性能，羟基碳铈矿裂解水生成吸附态羟基的同时，提升了贵金属催化剂的稳定性，石墨烯具有高导电能力。
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公开(公告)号：CN111378970A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010339305.0
申请日：2020-04-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于微弧氧化法制备高频电刀绝缘涂层的方法，通过粉末包埋渗铝在表面得到渗铝层，再依次进行阳极微弧氧化，阴极微弧电沉积，在表面的得到铁铝过渡层-微弧氧化铝-氧化锆复合绝缘涂层；利用微弧氧化法制备高频电刀绝缘涂层，制备效率高；制得的绝缘涂层与基体结合良好，具有良好的生物相容性，有望医疗行业得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN109455774B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201811609878.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni‑Fe‑OH/MoS2/Ni3S2的复合纳米片/碳纤维布的制备方法，包括以下步骤：1)配置前驱体溶液；2)放入碳纤维布，进行水热反应，水热反应生成Ni(OH)2纳米片/碳纤维布；3)将Ni(OH)2纳米片/碳纤维布与(NH4)2MoS4水溶液进行水热反应，得到MoS2/Ni3S2复合纳米片/碳纤维布；4)将MoS2/Ni3S2复合纳米片/碳纤维布置于预设温度的FeCl3和NaNO3的水溶液内，取出清洗干燥后得到最终产物。该制备工艺简单，生产成本低，具有稳定的结构，规则的形貌，较低的过电势和优异的析氢和析氧双重电催化性能，在电催化分解水领域具有很大的应用潜力。
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