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公开(公告)号：CN115714084A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211426686.1
申请日：2022-11-14
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于退火相变的石墨电极金刚石电子器件制备方法，该方法。该方法首先通过退火引起金刚石表面相变为石墨，对石墨进行图形化处理后，在其上制备铂电极作为掩模层，最后通过高压电解水刻蚀暴露的石墨及后处理后形成基于退火相变的石墨电极金刚石电子器件。该方法本可以有效降低电极与金刚石接触界面的界面态密度，即缺陷密度，从而显著提升金刚石电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN116334711A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310288934.9
申请日：2023-03-22
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种锡终端半导体材料及其制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面形成氢终端，此时半导体材料和氢原子形成了碳氢键，半导体表面多为氢原子；然后通过高压电解含锡的水溶液对半导体表面进行锡化处理，锡化处理过程中，足够的锡原子替换大量的氢原子，使得在半导体表面能够形成碳锡键，进而在半导体材料锡终端；本发明的制备方法借助于氢原子作为中间介质，使得锡原子能够复合在半导体材料的表面。方法首次实现了半导体锡终端表面的制备，并且是一种高效、清洁且安全的表面锡化方法，获得的锡终端半导体表面锡化程度高，同时具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN115775721A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211425646.5
申请日：2022-11-14
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种激光诱导相变石墨电极金刚石电子器件的制备方法，该方法首先制备出图形化的电极掩模层，然后激光诱导金刚石相变为石墨，然后去除掩模层形成电极。本制备方法通过激光诱导金刚石产生特定区域的石墨相变，石墨与金刚石界面处晶格失配程度低，有效降低了石墨电极与金刚石接触界面的态密度，从而显著提升器件的频率特性，可以有效降低电极与金刚石接触界面的缺陷密度，从而显著提升金刚石电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN114059022A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111322836.X
申请日：2021-11-09
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法，该系统在现有的脉冲激光沉积系统(PLD)的真空腔体中设置等离子体放电系统，只需将现有的PLD系统中的气路不锈钢管中间部分更换为氧化铝绝缘陶瓷管，一端连接电源，另一端连接气路，即形成放电装置。该装置可以使氧等离子体负辉区重叠，电子与气体原子的碰撞次数增加，电离效果显著提高，有效提高脉冲激光沉积腔体中氧等离子体的浓度，降低ITO薄膜中氧空位的含量，改善非晶ITO薄膜晶体管阈值电压偏负的问题，一定程度上优化了器件的亚阈值摆幅和迁移率，有利于改善薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN104992974A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/044 , H01L29/42364 , H01L29/66969
摘要： 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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公开(公告)号：CN103249248A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310156462.8
申请日：2013-04-28
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种复合基板、制造方法及基于该复合基板的LED垂直芯片结构，所述复合基板其结构由下至上依次为基板、石墨烯。基板为LED垂直芯片中常用基板：CuW、SiC、Si、Mo等。此复合基板，可作为LED垂直芯片制造中键合基板，将LED芯片键合在石墨烯层上。采用此复合基板的LED，相比常用基板(CuW、SiC、Si)，具有更加优异的散热性能。另外，本发明将LED芯片键合在所述复合基板的石墨烯层上，组成LED垂直芯片结构，其散热性能能够得到有效提高。
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公开(公告)号：CN116344331A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310245850.7
申请日：2023-03-14
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提供一种锡终端金刚石及其制备方法和场效应晶体管，包括以下步骤：S1，在氢终端金刚石表面上沉积SnO2或SnO薄膜；S2，将沉积SnO2或SnO薄膜后的氢终端金刚石置入氢等离子体环境中进行氢化处理，得到锡终端金刚石前驱体；S3，利用酸洗去除锡终端金刚石前驱体表面的SnO2或SnO薄膜，获得锡终端金刚石。本发明方法，首先在氢终端金刚石表面沉积SnO2或SnO薄膜，然后利用氢等离子体形成的强还原和热环境，对SnO2或SnO薄膜进行处理，氢终端金刚石表面的碳氢键会转化成碳锡键，从而将氢终端金刚石转化为锡终端金刚石。
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公开(公告)号：CN115786887A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211419846.X
申请日：2022-11-14
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/44 , C01B32/28
摘要： 本发明公开了一种羟基终端半导体材料的制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面有氢终端，然后通过高压电解低产生的氢氧根离子对金刚石表面进行羟基化处理，该方法是一种高效、清洁且安全的金刚石表面羟基化方法，只需在去离子水等离子液体中进行，无需添加任何的化学试剂，保证了样品表面不会引入杂质，并且大幅度降低了处理成本，羟基化程度更高，适用于缺陷密度更低的高质量羟基终端金刚石表面的制备。
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公开(公告)号：CN106711241B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201611192837.6
申请日：2016-12-21
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种石墨烯透明电极金刚石基紫外探测器及其制备方法，探测器从下至上至少包含绝缘衬底、金刚石紫外敏感层、透明石墨烯层和金属电极；金刚石紫外敏感层的表面处形成金刚石表面终端；所述透明石墨烯层设置于金刚石紫外敏感层的金刚石表面终端上；所述金刚石紫外敏感层中均布有若干三维结构。本发明结构利用石墨烯超高的面内电导特性和其对紫外光的全透过特性，以及三维结构金刚石紫外敏感层对紫外光入射增强的特性，提高了金刚石基紫外探测器的响应度及外量子效率。
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公开(公告)号：CN104992974B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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