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公开(公告)号：CN113218544A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110462410.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院 , 西安航天动力研究所
Inventor： 赵立波 , 李学琛 , 韩香广 , 乔智霞 , 皇咪咪 , 李伟 , 徐廷中 , 杨萍 , 高漪 , 王鸿雁 , 关卫军 , 吴永顺 , 李支康 , 朱瑄 , 王久洪 , 魏于昆 , 山涛 , 蒋庄德
Abstract: 本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
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公开(公告)号：CN114499270A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111434166.0
申请日：2021-11-29
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开一种可批量化加工的振动能量收集摩擦纳米发电机结构，包括PCB底板以及设置在PCB底板上的若干发电单元，每个发电单元中，下框架设置于PCB底板上，底电极层设置于PCB底板上并位于下框架内侧；介电层设置于底电极层上并填充于下框架内；可动金属层的固定部和可动部连接，固定部的下侧面与下框架的上侧面连接，上框架的下侧面与固定部的上侧面连接，质量块设置于可动部上且位于上框架内，上盖板封装于上框架的上侧面；电源管理PCB设置于PCB底板上并位于下框架的外侧，底电极层和可动金属层均具有引出电极，底电极层和可动金属层的引出电极与电源管理PCB连接。本发明将大力推进振动能量收集摩擦纳米发电机器件的标准化、工业化和实用化。
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公开(公告)号：CN114499270B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202111434166.0
申请日：2021-11-29
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开一种可批量化加工的振动能量收集摩擦纳米发电机结构，包括PCB底板以及设置在PCB底板上的若干发电单元，每个发电单元中，下框架设置于PCB底板上，底电极层设置于PCB底板上并位于下框架内侧；介电层设置于底电极层上并填充于下框架内；可动金属层的固定部和可动部连接，固定部的下侧面与下框架的上侧面连接，上框架的下侧面与固定部的上侧面连接，质量块设置于可动部上且位于上框架内，上盖板封装于上框架的上侧面；电源管理PCB设置于PCB底板上并位于下框架的外侧，底电极层和可动金属层均具有引出电极，底电极层和可动金属层的引出电极与电源管理PCB连接。本发明将大力推进振动能量收集摩擦纳米发电机器件的标准化、工业化和实用化。
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公开(公告)号：CN113218544B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110462410.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院 , 西安航天动力研究所
Inventor： 赵立波 , 李学琛 , 韩香广 , 乔智霞 , 皇咪咪 , 李伟 , 徐廷中 , 杨萍 , 高漪 , 王鸿雁 , 关卫军 , 吴永顺 , 李支康 , 朱瑄 , 王久洪 , 魏于昆 , 山涛 , 蒋庄德
Abstract: 本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
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公开(公告)号：CN118443738A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410378521.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/12 , C09D179/02 , C09D7/61
Abstract: 一种基于PANI@Au‑TiO2的室温氨气传感器及其制备方法，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底的两面设有二氧化硅层，一侧的二氧化硅层上设有金叉指电极，二氧化硅层及金叉指电极表面设有气体敏感材料薄膜，气体敏感材料薄膜由PANI@Au‑TiO2复合材料构成；单晶硅衬底、二氧化硅层以及金叉指电极共同构成传感器芯片；气体敏感材料薄膜接触待测气体即氨气前后电阻会发生变化，通过测量金叉指电极间电阻的变化获得传感器响应值的相关性能；本发明传感器具有检测限低、响应高，并且能显著降低基线漂移情况，提高气体传感器的响应恢复能力和速度，传感器制备方法简单便捷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116493234A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310467430.3
申请日：2023-04-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于KNN和应力释放凹槽的TFT‑PMUTs及其制备方法和应用，该TFT‑PMUTs包括压电式微机械超声换能器和薄膜晶体管，压电式微机械超声换能器中每个单元的底电极的轴心设有单元中心支柱，每个压电式微机械超声换能器阵元的中心设置阵元中心支柱；KNN压电层在压电式微机械超声换能器阵元的中心位置空白区域设置阵元中心支柱；结构层上设有应力释放凹槽；阵元中心支柱和单元中心支柱与薄膜晶体管的电压开关一一正对连接，每个阵元中心支柱处的顶电极、以及每个单元中心支柱对应的底电极与薄膜晶体管上和他们位置相对的电压开关电连接；单元边界支柱与薄膜晶体管表面键合连接。本发明传感器能够进行触觉感知和轨迹检测，且灵敏度较高，可进行批量化制造。
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公开(公告)号：CN114993520A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210609327.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表压式谐振压力传感器及制备方法，提出了一种适合用于表压式压力测量的谐振式压力传感器设计结构，该传感器采用静电激励电容检测，包括压力膜片层、谐振器层以及真空封装层，压力膜片层主要用于承受载荷压力，当承受载荷压力时，压力膜片产生变形，从而带动压力膜片上的锚点产生轴向位移，进而使谐振梁产生轴向内应力，谐振器层主要将谐振梁轴向应力转化为谐振子谐振频率的变化，从而表征压力的大小，封装层将同时作为结构变形层以及真空封装层，用于形成高真空密封空腔。
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公开(公告)号：CN112179956B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011053124.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于掺铝氧化锌多孔纳米薄膜的MEMS甲醛传感器的制备方法，该传感器自下至上为SiO2‑Si3N4掩蔽层、Si基底、绝缘层为双层SiO2‑Si3N4叠加、加热电极、敏感电极、测温电极、敏感材料和贵金属掺杂剂。采用聚苯乙烯微球作为掩蔽层，利用氧等离子体刻蚀调节微球直径的大小，利用磁控共溅射ZnO及Al2O3在缩小直径的微球间隙沉积复合敏感薄膜，调节ZnO及Al2O3溅射过程中的溅射功率、时间、衬底温度及溅射压力达到调节复合薄膜微观结构的目的。采用Pd贵金属对掺铝氧化锌薄膜进行掺杂和表面改性，加快气体与界面的吸附及脱附，提高传感器的气敏性能，增加薄膜的比表面积，提高气体传感器的响应。
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公开(公告)号：CN110492787B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910730976.7
申请日：2019-08-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开一种均布应力压电简支梁振动能量收集器及能量收集方法，包括外壳以及封装于外壳内的压电简支梁和两个圆弧形质量块，两个圆弧形质量块对称设置于压电简支梁的上下两侧并连接为一体结构，两个圆弧形质量块朝向压电简支梁的一侧均为圆弧面，两个圆弧形质量块圆弧面的顶部将压电简支梁夹紧；两个圆弧形质量块的两端分别延伸至压电简支梁两端的端部。本发明均布应力压电简支梁振动能量收集器的谐振器件在谐振过程中，圆弧形质量块的圆弧面能够限制压电简支梁的最大弯曲振型，压电简支梁能够与圆弧形质量块的圆弧面紧贴，使得压电简支梁形成了等应力弯曲梁。因此能够使压电简支梁整体应力最大化，接近压电材料最大许用应力，提高压电能量输出。
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公开(公告)号：CN112897456A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110082943.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种兼容MEMS工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，在硅片正面制备SiO2和Si3N4，退火、光刻得到敏感材料图形；溅射敏感材料；剥离退火光刻，得到加热丝及引线盘、测试电极及引线盘图形；蒸镀Cr粘接层和Au层，热处理匀涂光刻胶；再在硅片背部悬膜采用干法刻蚀Si3N4—湿法腐蚀SiO2—干法刻蚀Si的工艺制备，完成背部悬膜气体传感器的制备。该方法在背部悬膜结构释放掉导热好的Si，在气体传感器工作时极大的减少了热量散失，低功耗下即可工作，节能环保，降低了使用成本，易于封装，解决低功耗气体传感器与MEMS工艺不兼容的问题。
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