-
公开(公告)号：CN114204846A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111447188.0
申请日：2021-11-30
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器，能量收集器，包括框架、磁体质量块和压电双晶片，压电双晶片的两端与框架连接，磁体质量块套设于压电双晶片上且能够在压电双晶片上滑动；框架在压电双晶片中心的两侧位置对称设有第一磁体和第二磁体，磁体质量块与第一磁体以及与第二磁体相互吸引，框架内侧和磁体质量块的间距为限幅间距。本发明具有非线性振动的特点，合理控制磁力大小和限幅间距能够使系统达到三稳态，将大幅拓展谐振频带，因此在较宽频带有大幅压电输出，适应环境随机宽频的振动特点。同时本发明可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器结构紧凑，可提升压电振动发电功率密度。
-
公开(公告)号：CN114499270B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202111434166.0
申请日：2021-11-29
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开一种可批量化加工的振动能量收集摩擦纳米发电机结构，包括PCB底板以及设置在PCB底板上的若干发电单元，每个发电单元中，下框架设置于PCB底板上，底电极层设置于PCB底板上并位于下框架内侧；介电层设置于底电极层上并填充于下框架内；可动金属层的固定部和可动部连接，固定部的下侧面与下框架的上侧面连接，上框架的下侧面与固定部的上侧面连接，质量块设置于可动部上且位于上框架内，上盖板封装于上框架的上侧面；电源管理PCB设置于PCB底板上并位于下框架的外侧，底电极层和可动金属层均具有引出电极，底电极层和可动金属层的引出电极与电源管理PCB连接。本发明将大力推进振动能量收集摩擦纳米发电机器件的标准化、工业化和实用化。
-
公开(公告)号：CN114499270A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111434166.0
申请日：2021-11-29
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开一种可批量化加工的振动能量收集摩擦纳米发电机结构，包括PCB底板以及设置在PCB底板上的若干发电单元，每个发电单元中，下框架设置于PCB底板上，底电极层设置于PCB底板上并位于下框架内侧；介电层设置于底电极层上并填充于下框架内；可动金属层的固定部和可动部连接，固定部的下侧面与下框架的上侧面连接，上框架的下侧面与固定部的上侧面连接，质量块设置于可动部上且位于上框架内，上盖板封装于上框架的上侧面；电源管理PCB设置于PCB底板上并位于下框架的外侧，底电极层和可动金属层均具有引出电极，底电极层和可动金属层的引出电极与电源管理PCB连接。本发明将大力推进振动能量收集摩擦纳米发电机器件的标准化、工业化和实用化。
-
公开(公告)号：CN114323395B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595510.4
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。
-
公开(公告)号：CN114993520A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210609327.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表压式谐振压力传感器及制备方法，提出了一种适合用于表压式压力测量的谐振式压力传感器设计结构，该传感器采用静电激励电容检测，包括压力膜片层、谐振器层以及真空封装层，压力膜片层主要用于承受载荷压力，当承受载荷压力时，压力膜片产生变形，从而带动压力膜片上的锚点产生轴向位移，进而使谐振梁产生轴向内应力，谐振器层主要将谐振梁轴向应力转化为谐振子谐振频率的变化，从而表征压力的大小，封装层将同时作为结构变形层以及真空封装层，用于形成高真空密封空腔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224682B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910460830.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了CMUTS谐振式生化传感器的低电压阻抗匹配方法及匹配网络，CMUTs谐振式生化传感器的低电压阻抗匹配方法，包括电压源，LC调谐网络，CMUTs等效电路网络以及负载网络。电压源，主要为LC调谐网络，CMUTs等效电路网络以及负载网络提供交流电压。通过LC调谐网络对CMUTs等效电路网络在并联谐振频率处电抗进行阻抗匹配，使其串并联谐振频率过零点。本发明使CMUTs在低电压下具有过零点的串并联谐振频率，所述阻抗匹配方法简单方便，能够使CMUTs在小于30V直流偏置电压下谐振，反射损失S11在谐振工作频率点减小到‑25dB～‑40dB之间，提高回波损耗S21大于‑3dB，降低了CMUTs功耗并提高传输效率。
-
公开(公告)号：CN111504526B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010478838.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了具有应力集中结构的压阻式压力传感器芯片及其制备方法，传感器芯片由浅槽薄膜结构层和背腔结构层组成。浅槽薄膜结构分为浅槽结构和薄膜结构，浅槽结构由沿薄膜边缘分布的四条浅槽和位于薄膜内部分布的正方形浅槽组成，应力集中在两条浅槽结构端部之间，分布的正方形浅槽则进一步集中和调节了应力分布，提高了传感器的灵敏度。在应力集中处均匀布置四个压敏电阻条，金属引线将四个压阻条连接组成半开环惠斯通全桥，并将电桥与布置在基底上的五个焊盘连接实现电信号的输入输出。背腔由半岛和岛屿组成，两者之间的空隙与两条浅槽结构端部相对应；半岛和岛屿提高应力的集中效果，并提高了传感器的刚度，使传感器的线性度得到提高。
-
公开(公告)号：CN108918662B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810468138.2
申请日：2018-05-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N29/036
Abstract: 本发明公开了一种CMUTS流体密度传感器及其制备方法，CMUTs单元结构包括基底、下电极、二氧化硅热应力匹配层、二氧化硅支柱、二氧化硅振动薄膜层、环形金属上电极、二氧化硅绝缘层、声阻抗匹配层和隔声墙。本发明采用环形薄膜作为振动结构，相比于传统的圆形薄膜提高了谐振频率和密度检测灵敏度，同时隔声墙能有效减小CMUTs阵列中单元间的超声互辐射，从而使传感器具有更高的精度，阻抗匹配层的设置能有效提高CMUTs检测信号的强度；对CMUTs的上下电极采用低热膨胀系数的绝缘二氧化硅进行覆盖，使传感器能工作于高温、导电和腐蚀性流体的测量环境中。
-
公开(公告)号：CN111547675A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010323012.3
申请日：2020-04-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性电子器件、微结构柔性电极及其制备方法，包括柔性衬底，所述柔性衬底的上表面设置有若干分割条，每个所述分割条呈倒V形状，每个所述分割条的两侧分别设置有电极单元；每个所述分割条的顶部至所述柔性衬底上表面的距离大于所述电极单元的厚度；记每个所述分割条及其两侧的所述电极单元用于与柔性电子器件接触的区域为被覆盖区域，则每个所述分割条的两端均超出其对应的所述被覆盖区域。本发明可以使用成本较低、技术成熟且粘结性好的各向同性导电胶进行粘接，能够避免相邻电极之间的短路问题。
-
公开(公告)号：CN111498795A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010479167.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片及其制备方法，属于MEMS压阻式压力传感器领域，传感器芯片由浮雕薄膜结构层和背腔结构层组成，浮雕薄膜结构层分为浮雕层和薄膜层，浮雕层由位于薄膜内部带圆角的十字形结构组成，浮雕结构与薄膜边缘相接处布置有压敏电阻条，压敏电阻条的有效长度沿着压阻系数最大的晶向，且每个压敏电阻条内部间隙布置隔离槽阵列结构，使应力集中在制备压敏电阻条的位置上，提高了传感器的灵敏度。金属引线将四个压敏电阻条两两连接形成两个电阻，且将压敏电阻条与布置在基底上的四个焊盘连接，并与外置相同阻值的两个电阻连接组成惠斯通全桥实现电信号的输入输出。背腔是C型腔结构，制作工艺简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.039 seconds)
