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公开(公告)号：CN112133800A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010879621.7
申请日：2020-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高温扩散形成p型ScAlN层的高效发光二极管及制备方法，该高效发光二极管包括：衬底层(1)；成核层(2)，设置于所述衬底层(1)上；n型GaN层(3)，设置于所述成核层(2)上；多量子阱层(4)，设置于所述n型GaN层(3)上，所述多量子阱层(4)包括若干AlxGa1‑xN阱层和若干AlyGa1‑yN垒层，且所述若干AlxGa1‑xN阱层和所述若干AlyGa1‑yN垒层依次交替层叠设置于所述n型GaN层(3)上；电子阻挡层(5)，设置于所述多量子阱层(4)上；P型ScmAl1‑mN层(6)，设置于所述电子阻挡层(5)上；若干电极(7)，所述若干电极(7)分别设置于所述P型ScmAl1‑mN层(6)上和所述n型GaN层(3)上。本发明的发光二极管由于P型层采用ScAlN材料，提高了p型层的空穴浓度，从而提高了器件的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107134512B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710206927.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED器件生长步骤繁多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al2O3衬底层、10‑40nm厚的高温AlN成核层、700‑2000nm厚的发光层和电极，其中发光层为一层N面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN材料，分别获得发紫外光、极紫外光和深紫外光不同颜色的发光二极管。本发明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴代替传统LED的量子阱结构发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN111785794B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010697623.4
申请日：2020-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0735 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i‑GaN层、InxAl1‑xN层、n型InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1‑uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1‑xN层与n型InyGa1‑yN层和ScuAl1‑uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
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公开(公告)号：CN112133800B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010879621.7
申请日：2020-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高温扩散形成p型ScAlN层的高效发光二极管及制备方法，该高效发光二极管包括：衬底层(1)；成核层(2)，设置于所述衬底层(1)上；n型GaN层(3)，设置于所述成核层(2)上；多量子阱层(4)，设置于所述n型GaN层(3)上，所述多量子阱层(4)包括若干AlxGa1‑xN阱层和若干AlyGa1‑yN垒层，且所述若干AlxGa1‑xN阱层和所述若干AlyGa1‑yN垒层依次交替层叠设置于所述n型GaN层(3)上；电子阻挡层(5)，设置于所述多量子阱层(4)上；P型ScmAl1‑mN层(6)，设置于所述电子阻挡层(5)上；若干电极(7)，所述若干电极(7)分别设置于所述P型ScmAl1‑mN层(6)上和所述n型GaN层(3)上。本发明的发光二极管由于P型层采用ScAlN材料，提高了p型层的空穴浓度，从而提高了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN111785794A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010697623.4
申请日：2020-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0735 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i-GaN层、InxAl1-xN层、n型InyGa1-yN层、InzGa1-zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1-uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1-xN层与n型InyGa1-yN层和ScuAl1-uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
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公开(公告)号：CN107134512A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710206927.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED器件生长步骤繁多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al2O3衬底层、10‑40nm厚的高温AlN成核层、700‑2000nm厚的发光层和电极，其中发光层为一层N面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN材料，分别获得发紫外光、极紫外光和深紫外光不同颜色的发光二极管。本发明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴代替传统LED的量子阱结构发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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