公开(公告)号：CN107919394A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711012975.6

申请日：2017-10-26

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张金风 ,  徐佳敏 ,  任泽阳 ,  陈万娇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明公开了MoO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术导通电阻大，输出电流和跨导低，击穿特性差的问题。其包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)、源漏电极(3)、栅介质(4)和栅电极(5)。源、漏电极(3)位于氢终端表面(2)的两侧。栅介质(4)位于源、漏电极之间的氢终端表面上并覆盖源、漏电极的部分表面，且采用MoO3/Al2O3双层结构。其上方的栅电极下半部分镶嵌在源、漏极之间，上半部分隔着栅介质覆盖在源、漏极之上，形成T型栅结构。该栅电极与源、漏极之间的间距都为零。本发明导通电阻小，饱和电流和跨导高，击穿特性好，可用于功率器件、电力电子器件等。

公开(公告)号：CN107919390A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711017935.0

申请日：2017-10-26

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张金风 ,  苏凯 ,  徐佳敏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04

摘要： 本发明公开了一种基于WO3栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决了现有金刚石场效应晶体管跨导低和稳定性差的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)和栅介质层(3)，栅介质层(3)的上面是栅电极(4)，栅介质层(3)的两侧分别设有源电极(5)和漏电极(6)，栅、源和漏电极的表面覆盖有钝化层(7)，钝化层(7)与栅、源和漏电极的键合处分别设有通孔(8)。其中栅介质层采用具有转移掺杂作用的WO3材料，钝化层采用WO3材料，源、漏电极材料为Au，栅电极材料为Al。本发明具有导通电阻低，跨导高的优点，用于微波电路或高温数字电路。

公开(公告)号：CN110042464A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910262477.X

申请日：2019-04-02

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  徐佳敏 ,  张进成 ,  苏凯 ,  郝跃

IPC分类号： C30B25/20 ,  C30B29/04

摘要： 本发明公开了一种多片单晶金刚石同时扩径生长的方法，包括：在金属托盘上分开固定设置N片第一单晶金刚石；使N片第一单晶金刚石同时生长至第一厚度，以对应形成若干N片第二单晶金刚石，且N片第二单晶金刚石的上表面所处的高度小于等于设置高度处；降低N片第二单晶金刚石的高度，使N片第二单晶金刚石的上表面所处的高度始终小于等于设置高度处，直至N片第二单晶金刚石的厚度为第二厚度。本发明将多片单晶金刚石分开固定设置在金属托盘上，避免了相邻两个单晶金刚石由于扩径生长而产生挤压的情况，避免了多晶的产生，提高了单晶金刚石的结晶质量，同时由于能够同时使多片单晶金刚石扩径生长，因此提高了生长效率，缩短了生长周期，且降低了生长成本。