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公开(公告)号：CN111996593B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010773709.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置，控制方法包括步骤：获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置；控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置移动至所述第二生长阶段位置。该控制方法在预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表基础上，根据第一真空腔体温度值确定耔晶载物盘位置，进而实现对耔晶载物盘位置的定位，避免人为根据经验进行调整，定位精度较高，误差较小，降低了耔晶生长的不确定因素，从而可以生长得到质量较好的金刚石耔晶。
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公开(公告)号：CN111996593A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010773709.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置，控制方法包括步骤：获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置；控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置移动至所述第二生长阶段位置。该控制方法在预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表基础上，根据第一真空腔体温度值确定耔晶载物盘位置，进而实现对耔晶载物盘位置的定位，避免人为根据经验进行调整，定位精度较高，误差较小，降低了耔晶生长的不确定因素，从而可以生长得到质量较好的金刚石耔晶。
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公开(公告)号：CN112614880A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011375816.4
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合衬底氮化镓器件的制备方法及其器件，所述方法包括以下步骤：对第一衬底的第一表面进行刻蚀，形成若干凹槽；在具有若干凹槽的第一表面生长金刚石材料，并使所述金刚石材料填满所述凹槽且覆盖所述第一衬底的第一表面，以形成第二衬底；对所述第一衬底的第二表面进行减薄处理使所述金刚石露出，形成复合衬底；在所述复合衬底上选择性的生长氮化物材料，以形成氮化物缓冲层。本发明通过金刚石与氮化物材料直接接触，避免了在氮化物材料与金刚石之间采用介质层，消除了介质层热阻对氮化镓功率器件的影响，有效解决了氮化镓大功率器件的散热问题，提高了器件性能。
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