-
公开(公告)号：CN116153765A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310027176.5
申请日：2023-01-09
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取C面单晶蓝宝石衬底；在C面单晶蓝宝石衬底上外延生长具有施主掺杂的氮面极性纤维锌矿结构的硼铝氮，形成硼铝氮外延层；在硼铝氮生长过程中，通过对硼源与铝源的比值进行调控以控制所述硼铝氮外延层的硼与铝的组分；在硼铝氮外延层上生长金刚石外延层，以形成异质结。本发明基于蓝宝石衬底材料制作金刚石异质结器件，异质结所需金刚石层由外延生长所得，突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，同时降低了异质结制造成本，提供了获取大尺寸金刚石异质结的有效方法。
-
公开(公告)号：CN118136722A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410124470.2
申请日：2024-01-29
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/115
摘要： 本发明公开了一种锗终端金刚石核探测器的制备方法及金刚石核探测器，通过在单晶金刚石衬底的第一面磁控溅射第一面二硫化锗薄膜，将单晶金刚石衬底置入MPCVD系统对表面进行氢等离子体处理，以在单晶金刚石衬底的第一面形成第一锗终端金刚石表面层。采用相同的工艺，在单晶金刚石衬底的第二面形成第二锗终端金刚石表面层。然后在第一锗终端金刚石表面层的上表面制备第一电极，在第二锗终端金刚石表面层的下表面制备第二电极，对当前器件表面进行氧等离子体处理形成第一氧终端和第二氧终端。本方案提供的锗终端金刚石具有良好的欧姆接触效果和金属粘附性，相较于现有的制备方法，有效减少了制备步骤，降低了工艺难度。
-
公开(公告)号：CN116313745A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310027177.X
申请日：2023-01-09
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种改善晶格失配的硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取111面单晶硅衬底；在111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层；在单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层；对金刚石外延层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；在氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮，形成硼铝氮外延层，以形成硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结。本发明的制备方法突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，有效缓解了金刚石上硼铝氮在外延过程中的晶格畸变，减少形成的异质结界面处的表面态与悬挂键，提高了金刚石异质结的质量。
-
公开(公告)号：CN115224126A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210821107.7
申请日：2022-07-13
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法，场效应管包括：金刚石衬底、金刚石外延层、氢终端表面、空间隔离层、类受主层、源电极、漏电极和栅电极；源电极和漏电极位于氢终端表面上；空间隔离层位于源电极和漏电极之间的氢终端表面上方，空间隔离层的材料为h‑BN材料；类受主层位于空间隔离层上且覆盖空间隔离层的表面；栅电极位于类受主层上且位于源电极和漏电极之间。本发明通过在氢终端金刚石上方制备空间隔离层和类受主层介质，实现电荷由金刚石转移到类受主层介质，在金刚石表面形成高浓度二维空穴气层，并通过空间隔离层降低二维空穴气的电离杂质散射，从而提高了耗尽型器件载流子迁移率。
-
公开(公告)号：CN116130336A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310028324.5
申请日：2023-01-09
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/267 , C30B29/40 , C30B25/18
摘要： 本发明公开了一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法，包括以下步骤：步骤一、获取金刚石层；步骤二、对金刚石层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；步骤三、在氮终端表面上外延生长Al面极性纤维锌矿结构的单晶氮化铝或硼铝氮，形成氮化铝外延层或硼铝氮外延层，以形成基于氮终端金刚石的二维电子气异质结结构。本发明能够形成高质量的氮化铝/氮终端金刚石异质结或硼铝氮/氮终端金刚石异质结，能够产生高电子迁移率、高载流子浓度的二维电子气，显著提升该异质结基器件在高压、高频和大功率方面的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN113130697B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201911414678.3
申请日：2019-12-31
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体工艺领域，具体涉及一种赝竖式氢氧终端金刚石核探测器及其制备方法，制作金刚石衬底；利用氢等离子体在所述金刚石衬底上分别形成由碳‑氢键覆盖的第一氢终端和第二氢终端；在所述第一氢终端和所述第二氢终端表面分别形成第一金属膜和第二金属膜，并对所述第一金属膜和所述第二金属膜分别进行刻蚀得到第一电极和第二电极；在未被所述第一电极和所述第二电极覆盖的金刚石衬底表面形成钝化层，得到所述金刚石核探测器。具有提高电荷收集效率、改善电场分布、减少死区、提高载流子收集和提升金刚石核探测器的性能的有益效果。
-
公开(公告)号：CN113725075B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202110789451.8
申请日：2021-07-13
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/04 , H01L29/45 , C23C16/22 , C23C16/505
摘要： 本发明提供的一种金刚石混合终端表面电导的制备方法，利用C‑Si代替氢终端金刚石表面空气吸附层，采用原位刻蚀硅的方法作为Si的来源，在金刚石表面形成混合终端，制备C‑H/C‑Si混合终端金刚石，本发明操作简单，成本低廉，不需要复杂的工艺设备及步骤，就可以解决C‑H表面金刚石电导不稳定的问题，提高金刚石表面电导特性。
-
公开(公告)号：CN117352587A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311340111.2
申请日：2023-10-16
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/115
摘要： 本发明公开了一种氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器及制备方法，方法包括：根据预设杂质含量要求和预设位错密度要求选取金刚石，并进行清洗，得到金刚石衬底；在金刚石衬底上表面形成第一硅膜；在MPCVD中对含硅膜金刚石进行氢等离子体高温处理，形成第一硅终端掺杂金刚石层和第一氢钝化硅终端金刚石层；在金刚石衬底下表面形成第二硅膜；下表面采用相同的工艺形成第二硅终端掺杂金刚石层和第二氢钝化硅终端金刚石层；在第一氢钝化硅终端金刚石层表面制备第一电极，在第二氢钝化硅终端金刚石层表面制备第二电极，得到金刚石核探测器。本发明的氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器的制备方法，可通过改善接触特性来提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN115966598A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211691889.3
申请日：2022-12-27
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种增强型金刚石场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在本征金刚石层上生长p型掺杂金刚石层；对p型掺杂金刚石层的器件表面进行氢终端处理，以在p型掺杂金刚石层的器件表面形成氢终端导电层；去除栅极位置区域的氢终端导电层，并在栅极位置区域两侧的氢终端导电层上分别淀积源电极和漏电极；在p型掺杂金刚石层上的栅极位置区域生长栅介质层，并在栅介质层上淀积栅电极。本发明中的方法，能够制备得到大电流增强型金刚石场效应晶体管器件。
-
公开(公告)号：CN112030226B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010774593.2
申请日：2020-08-04
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长流程控制方法及装置，该控制方法包括步骤：根据抽气流程启动信号、抽气系统中各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行抽气流程控制，使真空腔体内的压力达到目标压力；根据工艺流程启动信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行工艺流程控制，实现金刚石生长控制；根据工艺停止信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空计压力模拟量信号进行排气流程控制，使真空腔体内的压力恢复至常压。该控制方法可以使得每个阶段中各个元件保持最后的状态，除流程外的元件闭锁，从而避免人为误操作导致的危险事故发生，进而提高金刚石生长的稳定性和安全性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
33 条记录 (耗时 0.033 秒)
