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公开(公告)号：CN114826855A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210261599.9
申请日：2022-03-17
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明属于通信技术领域，公开了一种ZP‑OFDM系统、控制方法、介质、设备及终端，对发送端原始频域信号进行FWFT反变换；在经过FWFT反变换的信号后添加零后缀ZP，并过信道；时域信号经过信道后，在接收端对信号进行FFT变换得到频域信号；对经过FFT变换的信号采用ZP‑OFDM‑FAST‑MMSE算法进行频域均衡，得到原始频域信号的估计值。本发明将ZP‑OFDM系统中原有的IFFT和FFT变换替换为IFWFT和FWFT变换，在不增加系统复杂度的情况下，降低了传输信号的峰均比和系统的误码率，减小系统峰均比，提高系统误码性能，为无线通信的工作奠定有利基础，可用于多径信道下的通信传输。
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公开(公告)号：CN114826855B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210261599.9
申请日：2022-03-17
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明属于通信技术领域，公开了一种ZP‑OFDM系统、控制方法、介质、设备及终端，对发送端原始频域信号进行FWFT反变换；在经过FWFT反变换的信号后添加零后缀ZP，并过信道；时域信号经过信道后，在接收端对信号进行FFT变换得到频域信号；对经过FFT变换的信号采用ZP‑OFDM‑FAST‑MMSE算法进行频域均衡，得到原始频域信号的估计值。本发明将ZP‑OFDM系统中原有的IFFT和FFT变换替换为IFWFT和FWFT变换，在不增加系统复杂度的情况下，降低了传输信号的峰均比和系统的误码率，减小系统峰均比，提高系统误码性能，为无线通信的工作奠定有利基础，可用于多径信道下的通信传输。
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公开(公告)号：CN107658362B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710675630.2
申请日：2017-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L29/16 , H01L29/15
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷的p‑n光电检测器，包括衬底，位于衬底上的掩埋氧化物层及位于掩埋氧化物层上的有源区结构，有源区结构包括：源极、漏极以及黑磷(BP)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)组成的栅极。衬底是P型衬底，掩模氧化物层所用材料是SiO2材料，厚度为50nm。应用拉伸或压缩聚二甲基硅氧烷(PDMS)，分别沿着锯齿形和扶手椅方向向黑磷(BP)引入不同的应变，放置在掩模氧化物层的顶部。黑磷(BP)层是五层的。源极和漏极接触，利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来进行电子束光刻定义。电极材料所选为Ti和Au。可给衬底施加电压调节器件。本发明设计并模拟了基于BP的p‑n光电检测器，对不同应变方向的黑磷和能量结构进行分析，考虑了暗电流效应，系统的优化了吸收系数和响应度，响应度高达66.29A/W。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107658362A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710675630.2
申请日：2017-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L29/16 , H01L29/15
CPC classification number: H01L31/103 , H01L29/151 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷的p-n光电检测器，包括衬底，位于衬底上的掩埋氧化物层及位于掩埋氧化物层上的有源区结构，有源区结构包括：源极、漏极以及黑磷(BP)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)组成的栅极。衬底是P型衬底，掩模氧化物层所用材料是SiO2材料，厚度为50nm。应用拉伸或压缩聚二甲基硅氧烷(PDMS)，分别沿着锯齿形和扶手椅方向向黑磷(BP)引入不同的应变，放置在掩模氧化物层的顶部。黑磷(BP)层是五层的。源极和漏极接触，利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来进行电子束光刻定义。电极材料所选为Ti和Au。可给衬底施加电压调节器件。本发明设计并模拟了基于BP的p-n光电检测器，对不同应变方向的黑磷和能量结构进行分析，考虑了暗电流效应，系统的优化了吸收系数和响应度，响应度高达66.29A/W。
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公开(公告)号：CN115332079A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210959972.8
申请日：2022-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H01L27/11517 , H01L27/11521
Abstract: 本发明公开了一种二维浮栅光电晶体管的制备方法及应用，可以利用自身的物理属性在单个器件内同时实现光传感器、存储元件和计算单元的功能。其结构自下而上包括衬底、氧化层、电荷俘获层、隧穿层、二维半导体沟道层、源极及漏极。电荷俘获层采用单层石墨烯材料，二维半导体沟道采用二维过渡金属硫化物材料，源极和漏极分别位于二维半导体沟道的两侧。本发明通过堆叠单层石墨烯电荷俘获层/隧穿层/二维过渡金属硫化物沟道层形成浮栅光电晶体管将光信号传感、数据存储和逻辑运算功能集成在单个晶体管中，并可以实现“与”“或”“与非”“或非”的可重构逻辑计算和光电突触模拟，为视觉信息的传感器内计算提供了一个有前景的硬件平台。
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公开(公告)号：CN112768527A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110001652.7
申请日：2021-01-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了基于不定形ZrOx的负电容晶体管，包括：顶部栅极层、类铁电栅介质层、源漏电极层和N型Ge平台。其中顶部栅极层、类铁电栅介质层、源漏电极层在N型Ge平台上依次分布，其中顶部栅极采用TaN材料、类铁电栅介质层采用不定形ZrOx材料、源漏电极层采用金属B和金属Ni材料。基于不定形ZrOx的负电容晶体管在1V栅压下实现了45.06mV/decade的亚阈值摆幅和小于60mV的回滞。不定形ZrOx对器件铁电性能的影响可以用氧空位偶极子解释。该设计有助于推动未来低功耗晶体管的发展。
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公开(公告)号：CN109786439A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811547635.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于BP材料的微波谐振器，包括：吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极和SOI平台层。其中吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极在SOI平台层上依次分布，其特征在于：吸收层采用二维材料黑磷、光电子纳米腔采用Si材料、总线波导采用Si材料，源漏栅电极采用金属Au材料。将微盘中形成的传统WGM与BP的光物质相互作用的增强相结合，并且使得共振波长能够在近红外范围，应用耦合模理论，可以分析BP腔系统与Si微盘谐振腔的相互作用，这有助于推动结合有光学微谐振器的新型近红外(NIR)BP光电器件的发展。
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公开(公告)号：CN109786439B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811547635.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于BP材料的微波谐振器，包括：吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极和SOI平台层。其中吸收层、光电子纳米腔、总线波导、源漏栅电极在SOI平台层上依次分布，其特征在于：吸收层采用二维材料黑磷、光电子纳米腔采用Si材料、总线波导采用Si材料，源漏栅电极采用金属Au材料。将微盘中形成的传统WGM与BP的光物质相互作用的增强相结合，并且使得共振波长能够在近红外范围，应用耦合模理论，可以分析BP腔系统与Si微盘谐振腔的相互作用，这有助于推动结合有光学微谐振器的新型近红外(NIR)BP光电器件的发展。
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