公开(公告)号：CN116310108A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310239475.5

申请日：2023-03-13

申请人： 西安电子科技大学 ,  平湖空间感知实验室科技有限公司

发明人： 徐丹 ,  张金 ,  刘雨鑫 ,  杨其利 ,  张佳文

IPC分类号： G06T17/00 ,  G06T9/00

摘要： 本发明公开了一种基于莫顿码的三维几何模型面元空间划分及BVH树构建方法，包括：获取待测目标模型文件内的点云数据以及面元编号数据，并将点云数据更新成三角面元描述，以获得目标模型的几何描述，同时将面元编号数据存储到对应的子节点中；遍历获得包围目标模型中每个三角面元的包围盒/球，并确定包围盒中心点坐标以及包围球球心、半径；对所有三角面元的中心点坐标进行整数化处理；计算整数化后各三角面元中心点坐标对应的莫顿码，并按照莫顿码大小进行排序，同时记录对应的面元编号数据，记为莫顿空间；基于莫顿空间构建BVH树节点，以形成BVH树。该方法利用一维莫顿码数字索引更利于编程实现，且精度较高，效率较快。

公开(公告)号：CN116879862B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311152930.4

申请日：2023-09-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 邢孟道 ,  薛敏 ,  高悦欣 ,  符吉祥 ,  张金 ,  杨伟超

IPC分类号： G01S7/41 ,  G06T3/40 ,  G06T17/20

摘要： 本发明公开了一种基于分层稀疏迭代的单快拍稀疏阵空间角度超分辨方法，包括：基于单快拍数据获得初始空间角度分辨结果，并估计噪声方差；对空间角度进行网格划分，并计算稀疏约束系数；根据单快拍数据和初始超完备空间角度稀疏基矩阵建立角度超分辨压缩感知模型，并获取该感知模型的代价函数；计算分层迭代加权权系数和分层迭代稀疏基矩阵；根据分层迭代加权权系数、分层迭代稀疏基矩阵以及稀疏约束系数对代价函数进行迭代求解，得到空间角度估计值。该方法可有效利用单快拍数据，突破系统瑞利限，实现单快拍下的空间角度超分辨；且在分层稀疏求解过程中考虑了噪声影响，实现了低信噪比下的高性能空间角度超分辨，提高了雷达探(56)对比文件范剑超等.高分三号SAR影像在国家海域使用动态监测中的应用《.雷达学报》.2017,第6卷(第5期),456-472.Mingyuan Jiu et al..A Deep Primal-Dual Proximal Network for ImageRestoration《.IEEE Journal of SelectedTopics in Signal Processing》.2021,第15卷(第2期),190-203.

公开(公告)号：CN116879862A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202311152930.4

申请日：2023-09-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 邢孟道 ,  薛敏 ,  高悦欣 ,  符吉祥 ,  张金 ,  杨伟超

IPC分类号： G01S7/41 ,  G06T3/40 ,  G06T17/20

摘要： 本发明公开了一种基于分层稀疏迭代的单快拍稀疏阵空间角度超分辨方法，包括：基于单快拍数据获得初始空间角度分辨结果，并估计噪声方差；对空间角度进行网格划分，并计算稀疏约束系数；根据单快拍数据和初始超完备空间角度稀疏基矩阵建立角度超分辨压缩感知模型，并获取该感知模型的代价函数；计算分层迭代加权权系数和分层迭代稀疏基矩阵；根据分层迭代加权权系数、分层迭代稀疏基矩阵以及稀疏约束系数对代价函数进行迭代求解，得到空间角度估计值。该方法可有效利用单快拍数据，突破系统瑞利限，实现单快拍下的空间角度超分辨；且在分层稀疏求解过程中考虑了噪声影响，实现了低信噪比下的高性能空间角度超分辨，提高了雷达探测和识别性能。

公开(公告)号：CN105931946B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201610333373.X

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  朱家铎 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  吕佳骐 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了黑磷和磁控溅射氮化铝，材料质量优异，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105861987B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201610334060.6

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝成核层；(3)热处理；(4)生长氮化铝过渡层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓薄膜。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，具有材料质量好，适用衬底范围大的优点，可用于制作氮化镓外延薄膜及器件。

公开(公告)号：CN105931946A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610333373.X

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  朱家铎 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  吕佳骐 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了黑磷和磁控溅射氮化铝，材料质量优异，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN105861987A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610334060.6

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金 ,  郝跃

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。