公开(公告)号：CN117878623A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410113700.5

申请日：2024-01-26

申请人： 西安电子科技大学 ,  陕西天翌科技股份有限公司

发明人： 沈元君 ,  罗梁钦 ,  韩红波 ,  周伟 ,  张天龄 ,  陈蕾

IPC分类号： H01Q21/00 ,  H01Q21/06 ,  H01P5/12

摘要： 一种低副瓣低剖面高增益平板天线阵列，包括由上至下依次连接的介质层、缝隙层、腔体层和馈电层；介质层位于天线上方完整覆盖天线；缝隙层中设有周期排布的领结形缝隙形状，领结形缝隙上方有长槽结构加载改善天线增益；腔体层内部具有矩形腔体，矩形腔体中有金属台阶、脊形结构与销钉结构加载，改善天线的阻抗匹配和增益，各腔体通过馈电层中的6级一分二功分器和一分六功分器级联馈电，使用不等幅功分器实现低副瓣性能；本发明实现了低副瓣高增益辐射，具有结构简单、性能稳定、易加工的优点。

公开(公告)号：CN115332333A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211010681.0

申请日：2022-08-23

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 许晟瑞 ,  王雨佳 ,  韩红波 ,  刘旭 ,  王若冰 ,  胡琳琳 ,  吴前龙 ,  贠博祥 ,  张涛 ,  张雅超 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，主要解决现有HEMT器件中异质结界面处由于极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：GaAs衬底(1)、AlGaAs沟道层(2)、ScAlN势垒层(3)；该ScAlN势垒层的两端设有漏极(4)和源极(5)，中间设有栅极(6)，其漏、栅电极之间和源、栅电极之间淀积有Si3N4钝化层(7)。本发明选用AlGaAs材料作为沟道层并选用ScAlN超宽禁带材料作为势垒层，增大了ScAlN/AlGaAs异质结中的极化效应和带隙差，使整体二维电子气2DEG密度能维持在较高水平，可用来制备高频、大功率微波器件。

公开(公告)号：CN115763606A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211029746.6

申请日：2022-08-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 许晟瑞 ,  王若冰 ,  韩红波 ,  王雨佳 ,  刘旭 ,  胡琳琳 ,  贠博祥 ,  吴前龙 ,  张涛 ,  张雅超 ,  周弘 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法，主要解决现有三结GaInP/GaAs/Ge电池入射光波长的利用率低及光电转换效率有限的问题。其自下而上包括：Ge吸收层、Si吸收层、GaAs吸收层、InGaN吸收层、GaN吸收层、AlGaN吸收层、金刚石吸收层。该InGaN吸收层采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料；该AlGaN吸收层采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料；该所有吸收层采用材料的禁带宽度从上至下依次减小，以提高入射光波长的吸收效率。本发明采用多结光电转换结构，增加了P‑N结数，降低了能量损耗，提升了光电转换效率，可用于制作高光电转化效率的太阳能电池。