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公开(公告)号：CN115188809A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110362209.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/205 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结及其制备方法，该异质结包括：具有若干凹槽的金刚石衬底、位于凹槽内的AlN层以及位于金刚石衬底表面的GaN外延层和AlN外延层。本发明提供的多槽式金刚石衬底环绕的AlN/GaN异质结采用多槽式的金刚石衬底作为散热材料，极大地增加了器件的散热能力，提高了器件性能；且金刚石衬底化学性质稳定，有利于提高器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN113471343A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110802199.X
申请日：2021-07-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及其制备方法，其自下而上包括：c面蓝宝石衬底、高温AlN成核层、非故意掺杂GaN层、第一n型GaN层、第二n型GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型GaN层和p型电极，两个n型GaN层之间增设有超强极化n型层，第一n型GaN层上部的一侧设有n型电极，该超强极化n型层采用ScAlGaN/GaN多层结构，每个ScAlGaN层和它上面的GaN层组合为一个周期。本发明增大了n型层中掺杂Si的电离率同时缓解了电流拥挤效应，提高了器件的发光效率和可靠性，可用于制作高效率的GaN基绿光发光设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113078207A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110325174.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种多晶金刚石衬底上的AlN/GaN异质结及其制备方法，主要解决现有GaN基微波功率器件工艺复杂、散热能力差和成本高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN外延层(4)和AlN外延层(5)。其中，衬底采用多晶金刚石材料，用以增强异质结的散热能力，改善器件在大功率下的工作性能；衬底(1)与GaN外延层(4)之间增设有h‑BN层(2)和磁控溅射AlN层(3)，用以为GaN的外延生长提供成核位点，提高外延层的晶体质量。本发明改善了AlN/GaN异质结的散热能力，降低了生产成本，提高了器件的工作寿命和稳定性，从而为器件在大功率下的工作奠定了基础，可用于制作高频、大功率微波功率器件。
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公开(公告)号：CN113471343B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110802199.X
申请日：2021-07-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及其制备方法，其自下而上包括：c面蓝宝石衬底、高温AlN成核层、非故意掺杂GaN层、第一n型GaN层、第二n型GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型GaN层和p型电极，两个n型GaN层之间增设有超强极化n型层，第一n型GaN层上部的一侧设有n型电极，该超强极化n型层采用ScAlGaN/GaN多层结构，每个ScAlGaN层和它上面的GaN层组合为一个周期。本发明增大了n型层中掺杂Si的电离率同时缓解了电流拥挤效应，提高了器件的发光效率和可靠性，可用于制作高效率的GaN基绿光发光设备。
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公开(公告)号：CN115763606A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211029746.6
申请日：2022-08-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法，主要解决现有三结GaInP/GaAs/Ge电池入射光波长的利用率低及光电转换效率有限的问题。其自下而上包括：Ge吸收层、Si吸收层、GaAs吸收层、InGaN吸收层、GaN吸收层、AlGaN吸收层、金刚石吸收层。该InGaN吸收层采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料；该AlGaN吸收层采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料；该所有吸收层采用材料的禁带宽度从上至下依次减小，以提高入射光波长的吸收效率。本发明采用多结光电转换结构，增加了P‑N结数，降低了能量损耗，提升了光电转换效率，可用于制作高光电转化效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN115332333A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211010681.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，主要解决现有HEMT器件中异质结界面处由于极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：GaAs衬底(1)、AlGaAs沟道层(2)、ScAlN势垒层(3)；该ScAlN势垒层的两端设有漏极(4)和源极(5)，中间设有栅极(6)，其漏、栅电极之间和源、栅电极之间淀积有Si3N4钝化层(7)。本发明选用AlGaAs材料作为沟道层并选用ScAlN超宽禁带材料作为势垒层，增大了ScAlN/AlGaAs异质结中的极化效应和带隙差，使整体二维电子气2DEG密度能维持在较高水平，可用来制备高频、大功率微波器件。
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公开(公告)号：CN113193040A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110447695.8
申请日：2021-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法，主要解决传统的AlGaN/GaN基双沟道异质结极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：[111]晶向金刚石衬底层；低温GaN成核层；高温GaN成核层；GaN底层沟道层；ScAlN势垒层；GaN顶层沟道层；AlN势垒层；GaN帽层。本发明选用极化效应很强的ScAlN和AlN，能在异质结界面处产生大量极化电荷，使整体二维电子气浓度能维持在较高水平，且采用金刚石衬底可有效提高散热能力，从而提高AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道HEMT器件的电流密度和功率密度，可用来制作高电子迁移率晶体管。
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