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公开(公告)号：CN1158704C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN98107770.6
申请日：1998-04-29
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/76819 , H01L21/31051 , H01L21/31053
摘要： 一种使半导体结构平面化的方法，半导体结构包括一具有高外观比率外形的第一表面区和一具有低外观比率外形的第二表面区。一流动材料沉积在结构的第一和第二表面区上。材料的一部分填入高外观比率外形的间隙内，从而在高外观比率外形上形成一基本上是平的表面。一掺杂层形成于流动材料之上。掺杂层沉积在高外观比率区和低外观比率区上。低外观比率区的上表面部分比流动材料的上表面部分高。第一和第二表面部分的上部被移去。
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公开(公告)号：CN1218989A
公开(公告)日：1999-06-09
申请号：CN98119187.8
申请日：1998-09-15
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K3/4644 , H05K3/4676 , H01L2924/00
摘要： 一种有复合介质层的多层集成电路金属化系统,包括金刚石或蓝宝石层。在半导体衬底上配置多层构图的金属化层。复合介质层配置在一对金属化层间。复合介质层包括金刚石或蓝宝石层。金刚石或蓝宝石层配置在构图的金属化层之一表面上。导电通路穿过复合层,且其一端与金刚石或蓝宝石层接触。构图的金刚石或蓝宝石层,在第二金属化层淀积中构成掩模。下一层金属化层的引线将直接淀积到在金属刻蚀工艺中将用作刻蚀中止的金刚石或蓝宝石层上边。
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公开(公告)号：CN1214549A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN98116278.9
申请日：1998-08-11
发明人： 彼得·韦甘德 , 爱德华·W·基威拉 , 钱德拉塞克哈·纳拉扬 , 肯尼思·C·阿恩特 , 戴维·拉赫特鲁普 , 理查德·A·吉尔摩 , 安东尼·M·帕拉戈尼亚
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 一种在硅衬底上的动态随机存取存储器集成电路,包括有主存储器阵列元件的主存储器阵列,和耦合到主存储器阵列的冗余存储器阵列;耦合到冗余存储器阵列的多根激光熔丝连接,其中第一激光熔丝连接形成在制造动态随机存取存储器集成电路期间被用激光束修改,以设置冗余存储器阵列元件中第一冗余元件地址熔丝的值;激光熔丝连接下的多个掩蔽部分,构成该掩蔽部分以显著减少用激光束设置第一激光熔丝连接时,激光对掩蔽部分下的第一区的激光损伤。
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公开(公告)号：CN1212363A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98118558.4
申请日：1998-09-03
IPC分类号： G01K17/00
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32522 , H01J37/3299 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 测量和控制半导体晶片温度的装置和方法。该装置包括处理中固定晶片的夹盘、冷却剂气体源、测量和控制处理中晶片温度的温度传感装置。晶片夹盘上表面有许多孔,氦冷却剂气体以控制速率和压力流进该孔。冷却剂气体流过夹盘上表面与晶片下侧间狭窄空间,被加热到晶片温度后通过排放管排出。温度传感装置连续测量刚被加热的冷却剂气体温度,温度传感装置产生控制到晶片的冷却剂气体流的压力和流量信号。处理过程中精确控制晶片温度,使之维持在所需的值。
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公开(公告)号：CN1208956A
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN98107766.8
申请日：1998-04-29
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31051 , H01L21/76801 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76837
摘要： 一种填充半导体结构的相邻栅电极之间的间隙的方法,包括以下步骤:在此结构上方沉积自平面化材料,该材料的第一部分在栅电极之间流动以填充其间的间隙,该材料的第二部分沉积在栅电极顶部和所填间隙的上方,形成基本上为平面的表面层;在自平面化材料的第二部分中提供磷掺杂剂。
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公开(公告)号：CN1139986C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN98125600.7
申请日：1998-12-18
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/3212 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 用镶嵌法形成集成电路器件的导电互连网，在绝缘层(20A，20B)中的较宽沟槽(21)中设置绝缘栓22的阵列，以防止用化学机械抛光平面化表面时在金属导电路径中产生凹坑。
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公开(公告)号：CN1134837C
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN98120707.3
申请日：1998-09-23
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种在集成电路上形成多层导体结构的方法。该方法包括形成第一导体层和在第一导体层之上形成第一介电层。该方法还包括在第一介电层之上形成第二导体层。还包括蚀刻穿过第二导体层并至少部分进入第一介电层，在第二导体层和第一介电层中形成槽，从而去除至少一部分所述介电层，在第二导体层中形成第一导体线和第二导体线。而且，该方法包括把低电容材料淀积进入槽。低电容材料代表其介电常数低于第一介电层介电常数的材料。
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公开(公告)号：CN1212457A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98118680.7
申请日：1998-08-25
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 在半导体衬底上制造电可熔断熔丝的方法,包括在半导体衬底上形成熔丝部分。熔丝部分构成在超过预定电流流过熔丝部分时能变为不导电。还包括在熔丝部分上淀积保形的第一介质材料层和在第一层上淀积第二介质材料层,以在熔丝部分上形成介质材料的凸出部分。还包括对凸出部分上进行化学机械抛光,以在凸出部分上形成穿过第二层的开口。还包括通过开口以各向同性方式腐蚀部分第一层,在熔丝部分形成微腔。还包括在第二层上淀积保形的第三介质材料层606,以封闭第二层中的开口。
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公开(公告)号：CN1188908C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN98119187.8
申请日：1998-09-15
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K3/4644 , H05K3/4676 , H01L2924/00
摘要： 一种有复合介质层的多层集成电路金属化系统，包括金刚石或蓝宝石层。在半导体衬底上配置多层构图的金属化层。复合介质层配置在一对金属化层间。复合介质层包括金刚石或蓝宝石层。金刚石或蓝宝石层配置在构图的金属化层之一表面上。导电通路穿过复合层，且其一端与金刚石或蓝宝石层接触。构图的金刚石或蓝宝石层，在第二金属化层淀积中构成掩模。下一层金属化层的引线将直接淀积到在金属刻蚀工艺中将用作刻蚀中止的金刚石或蓝宝石层上边。
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公开(公告)号：CN1154186C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN98105194.4
申请日：1998-03-31
申请人： 西门子公司
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H05K3/061 , H01L21/32139 , H01L21/76838 , H05K1/0284 , H05K2201/09018 , H05K2203/0585
摘要： 一种用于在一个基片上形成多条导线的方法，包括步骤：在基片的表面形成一个相对非平面的金属层；在该金属层的表面上沉积自平面化材料，以形成与相对非平面的金属层相比具有相对平面的表面的平面化层；在平面化层的表面沉积一个光致抗蚀层；对光致抗蚀层构图，使其形成掩模，以便选择性地暴露平面化层；在平面化层的暴露部分和平面化层暴露部分之下的非平面的金属层上蚀刻出沟槽，以形成导线，其中这些导线被沟槽隔离开。
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