公开(公告)号：CN110954842A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910924120.3

申请日：2019-09-24

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 李衡 ,  曾志铭 ,  张道智

IPC分类号： G01R31/40 ,  G01R31/27 ,  G01R31/26

摘要： 本发明提供测试系统、用于测试系统的测试方法以及测试载具。测试系统包括电源供应电路、控制端电路以及控制器。控制器用以控制电源供应电路以及控制端电路以对功率模块进行多个测试项目的测试。电源供应电路反应于控制器的控制提供对应于上述多个测试项目的多个电源路径。控制端电路反应于控制器的控制对应于上述多个测试项目的提供多个控制路径，藉以缩短功率模块的测试时程。

公开(公告)号：CN110954842B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201910924120.3

申请日：2019-09-24

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 李衡 ,  曾志铭 ,  张道智

IPC分类号： G01R31/40 ,  G01R31/27 ,  G01R31/26

摘要： 本发明提供测试系统、用于测试系统的测试方法以及测试载具。测试系统包括电源供应电路、控制端电路以及控制器。控制器用以控制电源供应电路以及控制端电路以对功率模块进行多个测试项目的测试。电源供应电路反应于控制器的控制提供对应于上述多个测试项目的多个电源路径。控制端电路反应于控制器的控制对应于上述多个测试项目的提供多个控制路径，藉以缩短功率模块的测试时程。

公开(公告)号：CN110880529A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910835907.2

申请日：2019-09-05

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 李衡 ,  黄馨仪 ,  张道智

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件包含基板、通道层、第一电极层、第二电极层及栅极结构。基板有第一氧化镓层。通道层设置在该基板上，其中该通道层是第二氧化镓层。第一电极层与第二电极层设置在该通道层上。栅极结构设置在该通道层上且位于该第一电极层与该第二电极层之间。该栅极结构是在该通道层上，或是该栅极结构的底部延伸进入到该通道层中。

公开(公告)号：CN216213447U

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202122467735.3

申请日：2021-10-13

申请人： 财团法人工业技术研究院 ,  文颢电子股份有限公司

发明人： 李衡 ,  韩伟国 ,  张景尧 ,  张道智 ,  邱柏凯 ,  李泰广 ,  张孝民

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

摘要： 本实用新型公开了一种功率模块封装，包括基板、接地图案、多个第一配线图案、多个栅极驱动元件以及多个有源元件。接地图案设置在基板上。第一配线图案设置在基板上且在第一方向上与接地图案间隔开来。第一配线图案在不同于第一方向的第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件分别设置在接地图案上且在第二方向上排列且彼此间隔开来。栅极驱动元件通过接地图案来具有共同接地平面。有源元件分别设置在第一配线图案上且各自包括第一晶体管和第二晶体管。有源元件分别与相对应的栅极驱动元件和相对应的第一配线图案电连接。