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公开(公告)号：CN116169104A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111588570.3
申请日：2021-12-23
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/15
摘要： 本发明公开一种封装散热结构及包含其的芯片，其中该封装散热结构包含外框以及散热载座。外框包含陶瓷框体。散热载座附着于外框的陶瓷框体。散热载座为陶瓷材料，且散热载座的热传导系数为陶瓷框体的热传导系数的十倍以上。
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公开(公告)号：CN108530065B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810171220.9
申请日：2018-03-01
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 一种介电陶瓷组合物，包括具有三方复三正方锥面晶体结构的第一无机成分、具有六八面体晶体结构的第二无机成分以及所述三方复三正方锥面晶体结构与所述六八面体晶体结构的固溶体部，其形成于所述第一无机成分与所述第二无机成分之间。
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公开(公告)号：CN111383842B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201910332704.1
申请日：2019-04-24
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开一种电容器，其包含：一第一电极层及一第二电极层；以及一第一介电层及一第二介电层，设置于该第一电极层及该第二电极层之间。该第一介电层包含一第一介电粉体及一第一有机树脂，而该第二介电层由一第二介电粉体及一第二有机树脂所组成。其中，该第一介电粉体与该第一有机树脂的重量比值大于该第二介电粉体与该第二有机树脂的重量比值。
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公开(公告)号：CN106793484B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510958146.1
申请日：2015-12-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H05K1/09
摘要： 本发明公开一种金属导体结构及线路结构。所述金属导体结构，包括第一金属导体层、第二金属导体层以及第三金属导体层。其中第一金属导体层由第一高分子材料与第一金属粒子所组成；第二金属导体层覆盖在第一金属导体层上，且第二金属导体层是由第二金属粒子所组成的具有孔隙的结构；第三金属导体层覆盖在第二金属导体层上，且第三金属导体层的金属材料填充在第二金属导体层的孔隙中。所述线路结构包括绝缘基板或高分子基板以及上述金属导体结构，其中上述金属导体结构形成在绝缘基板上或内埋在所述高分子基板。
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公开(公告)号：CN111383842A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910332704.1
申请日：2019-04-24
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开一种电容器，其包含：一第一电极层及一第二电极层；以及一第一介电层及一第二介电层，设置于该第一电极层及该第二电极层之间。该第一介电层包含一第一介电粉体及一第一有机树脂，而该第二介电层由一第二介电粉体及一第二有机树脂所组成。其中，该第一介电粉体与该第一有机树脂的重量比值大于该第二介电粉体与该第二有机树脂的重量比值。
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公开(公告)号：CN108530065A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810171220.9
申请日：2018-03-01
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 一种介电陶瓷组合物，包括具有三方复三正方锥面晶体结构的第一无机成分、具有六八面体晶体结构的第二无机成分以及所述三方复三正方锥面晶体结构与所述六八面体晶体结构的固溶体部，其形成于所述第一无机成分与所述第二无机成分之间。
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公开(公告)号：CN106793484A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510958146.1
申请日：2015-12-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H05K1/09
CPC分类号： H01B3/30 , B32B3/26 , B32B3/263 , B32B3/30 , B32B7/04 , B32B15/01 , B32B15/04 , B32B15/043 , B32B15/092 , B32B15/16 , B32B15/20 , H01B1/20 , H01B1/22 , Y10T428/12389 , Y10T428/12396 , Y10T428/12438 , Y10T428/12451 , Y10T428/12472 , Y10T428/12479 , Y10T428/12486 , Y10T428/12493 , Y10T428/12535 , Y10T428/12569 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , Y10T428/12944 , Y10T428/12993 , H05K1/09 , H05K2201/0344 , H05K2201/0352
摘要： 本发明公开一种金属导体结构及线路结构。所述金属导体结构，包括第一金属导体层、第二金属导体层以及第三金属导体层。其中第一金属导体层由第一高分子材料与第一金属粒子所组成；第二金属导体层覆盖在第一金属导体层上，且第二金属导体层是由第二金属粒子所组成的具有孔隙的结构；第三金属导体层覆盖在第二金属导体层上，且第三金属导体层的金属材料填充在第二金属导体层的孔隙中。所述线路结构包括绝缘基板或高分子基板以及上述金属导体结构，其中上述金属导体结构形成在绝缘基板上或内埋在所述高分子基板。
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公开(公告)号：CN216648283U
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202123268736.1
申请日：2021-12-23
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/15
摘要： 本实用新型公开一种封装散热结构及包含其的芯片，其中该封装散热结构包含外框以及散热载座。外框包含陶瓷框体。散热载座附着于外框的陶瓷框体。散热载座为陶瓷材料，且散热载座的热传导系数为陶瓷框体的热传导系数的十倍以上。
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公开(公告)号：CN206652487U
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201720191381.5
申请日：2017-03-01
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： B01J19/088 , B01J19/129 , B01J2219/0809 , B01J2219/0875 , B01J2219/0898
摘要： 本实用新型公开一种无机粉体制作装置以及无机粉体制作与分级装置，其中的无机粉体制作装置包括绝缘管、至少一对环状射频电极与气体供应装置。所述对环状射频电极环绕于绝缘管的外周配置，以于通电后在绝缘管外产生第一电场区并于绝缘管内产生具有等离子体焰炬的第二电场区。气体供应装置则对绝缘管内供应反应雾体与惰性气体，以使反应雾体通过上述等离子体焰炬而被热裂解及氧化成无机粉体。
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