钯钒精密高阻合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN110438364A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910822075.0

    申请日:2019-09-02

    IPC分类号: C22C5/04 C22C1/02 C22F1/14

    摘要: 本发明公开了钯钒精密高阻合金及其制备方法,该合金的化学成分质量百分比为28~32V,1~4M(M=Cr、Al中至少一种)、0~2Ru,余量为Pd。采用高频感应熔炼制备铸锭,经过均匀化热处理、高温锻造、轧制、粗丝拉拔、中间退火、细丝拉拔、短程有序转变热处理,制备出直径大于Φ0.03mm的丝材。该合金具有较高的电阻率和抗拉强度、较低的电阻温度系数,是综合性能优良的精密高阻合金材料,在高阻或小型精密线绕电位器和电阻器领域具有广泛地应用前景。

    一种高纯金的制备方法

    公开(公告)号:CN114453589A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210151956.6

    申请日:2022-02-18

    IPC分类号: B22F9/30

    摘要: 本发明涉及高纯贵金属的制备方法,具体公开了一种高纯金的制备方法,包括以下步骤:(1)将金原料采用王水溶解,获得氯金酸溶液;(2)往氯金酸溶液中加入氢氧化钾溶液,获得金酸钾溶液;(3)往金酸钾溶液中加入稀硫酸溶液,获得氧化金沉淀;(4)将氧化金沉淀加热分解,获得高纯金。本发明具有工艺流程简单、杂质去除效果好、反应过程易于控制等优点,采用本发明制备的高纯金的纯度大于99.999%。

    一种铂基高温电阻应变合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN112981166A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110175781.8

    申请日:2021-02-06

    IPC分类号: C22C5/04 C22C1/02

    摘要: 本发明公开了一种铂基高温电阻应变合金及其制备方法,可应用于发动机涡轮叶片、火力发电厂、核工业等领域热端部件的高温应力应变测试。该合金是合金成分(wt%,下同)为:1~25Rh、2~10W、0.2~2M,M=Y、Zr、RE中的至少一种,其中RE为稀土元素,余量为Pt;所述M呈氧化物分布在晶界。制备主要采用内氧化法使M转变为氧化物颗粒,并弥散分布于所述的铂基合金中,形成氧化锆、氧化钇等氧化物晶界强化型铂基高温电阻应变合金,该合金具有良好的高温结构稳定性,提高了电阻应变合金的使用温度,拓宽合金的电阻—温度线性度区间,其线性度区间可达0~1140℃。本发明的合金可应用于发动机涡轮叶片、火力发电厂、核工业等领域热端部件的高温应力应变测试,保障其运行安全可靠。

    一种复合层氮化铝陶瓷电路板
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112752414A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202011330087.0

    申请日:2020-11-24

    IPC分类号: H05K3/10 H05K3/18

    摘要: 本发明公开了一种复合层氮化铝陶瓷电路板,该电路板自底向外依次由氮化铝陶瓷基底层、激光分解层和化学镀层组成;所述的激光分解层的厚度为10‑1000nm;所述的化学镀层的厚度为1‑100μm。所述的化学镀层可以是化学镀铜层,也可以说是在所述的化学镀层上的化学镀镍层和/或化学镀银/金层。相比于现有的陶瓷电路板的金属层与陶瓷基板之间存在一个由化学反应层及物理连接层组成的低导热层,本发明采用激光分解直接制得,不存在低导热层,显著提高整个器件系统的导热性。本发明的氮化铝陶瓷电路板不仅具有低介电常数的特点,还具有良好的导热性和导电性,其化学稳定性和焊接性能良好,制备方法简单易行,具有较好的推广价值。

    钯钒精密高阻合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN110438364B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201910822075.0

    申请日:2019-09-02

    IPC分类号: C22C5/04 C22C1/02 C22F1/14

    摘要: 本发明公开了钯钒精密高阻合金及其制备方法,该合金的化学成分质量百分比为28~32V,1~4M(M=Cr、Al中至少一种)、0~2Ru,余量为Pd。采用高频感应熔炼制备铸锭,经过均匀化热处理、高温锻造、轧制、粗丝拉拔、中间退火、细丝拉拔、短程有序转变热处理,制备出直径大于Φ0.03mm的丝材。该合金具有较高的电阻率和抗拉强度、较低的电阻温度系数,是综合性能优良的精密高阻合金材料,在高阻或小型精密线绕电位器和电阻器领域具有广泛地应用前景。

    一种氮化铝陶瓷电路板的制备方法

    公开(公告)号:CN112469199A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011330108.9

    申请日:2020-11-24

    IPC分类号: H05K3/00 H05K3/02

    摘要: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷电路板的制备方法,包括:1)在电路板编辑软件中编辑电路图形,2)将编辑的图形文件转移到激光雕刻机软件中,3)将表面清理好的氮化铝陶瓷片放在激光雕刻机上,设置参数,使用激光雕刻机在氮化铝陶瓷表面扫描出电路图并构成分解层,设置参数包括,扫描功率(0‑100W)、扫描速度(0‑1000mm/s),扫描间距(0.01‑1mm)。其中所述的清理好的氮化铝陶瓷片,包括除油,除杂质,水洗,烘干过程,4)将雕刻好的氮化铝陶瓷片进行化学镀铜,然后化学镀银(或金),5)将镀银或镀金后的电路板清理烘干密封保存待用,同时,本方法从设计到制备,均使用电脑软件和机器完成,自动化程度高,从而保证了电路板的精度,成本低,适用于大规模生产。

    一种高纯金的制备方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111889697A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010743914.2

    申请日:2020-07-29

    IPC分类号: B22F9/24 B22F1/00

    摘要: 本发明公开了一种制备电子行业用高纯贵金属的方法,具体涉及一种高纯金的制备方法,属于电子工业及高纯贵金属材料技术领域。本发明的制备方法是将初级金原料进行氯化溶解造液,采用中和沉淀、离子交换等除杂方法及选择性液相还原相结合的工艺制备电子行业用高纯金。本发明的方法步骤包括:(1)溶解造液;(2)中和沉淀除杂;(3)离子交换除杂;(4)液相还原;(5)酸洗。本发明工艺流程简单,容易实施,制备条件温和,所得的金纯度大于99.999%,适合用作电子行业基础原材料如作为集成电路、半导体器件的膜材料使用。