公开(公告)号：CN103443924B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

申请人： 通用电气公司

发明人： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

摘要： 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。

公开(公告)号：CN103443924A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280015829.8

申请日：2012-03-28

申请人： 通用电气公司

发明人： S.D.阿瑟 ,  T.L.约翰逊 ,  J.D.迈克尔 ,  J.A.弗兰黑泽 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  K.S.马托查 ,  W.G.豪金斯

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/7802

摘要： 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。