基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法

    公开(公告)号:CN106972056A

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201710261115.X

    申请日:2017-04-20

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明公开了一种基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件加工方法,包括以下步骤:A、准备InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片,并进行清洗和干燥;B、通过光刻和腐蚀在InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片上形成有源区隔离台面;C、通过光刻和金属蒸发在高掺杂InGaAs帽层上形成源、漏电极,在InAlAs缓冲层上形成栅引线;D、通过电子束光刻、栅槽腐蚀和金属蒸发在高掺杂InGaAs帽层上形成T型栅;E、在InP基HEMT器件表面旋涂覆盖BCB材料,通过高温固化形成BCB钝化层;F、采用深反应离子刻蚀设备对BCB钝化层进行接触孔刻蚀;G、通过光刻和金属蒸发在接触孔上部的BCB钝化层形成测试电极。本发明有效提高了InP基HEMT器件抗质子辐照能力,并创造了平坦化的布线环境,为抗辐照集成电路发展奠定了良好的基础。

    基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法

    公开(公告)号:CN106972056B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201710261115.X

    申请日:2017-04-20

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明公开了一种基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件加工方法,包括以下步骤:A、准备InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片,并进行清洗和干燥;B、通过光刻和腐蚀在InP基InAlAs/InGaAs HEMT外延片上形成有源区隔离台面;C、通过光刻和金属蒸发在高掺杂InGaAs帽层上形成源、漏电极,在InAlAs缓冲层上形成栅引线;D、通过电子束光刻、栅槽腐蚀和金属蒸发在高掺杂InGaAs帽层上形成T型栅;E、在InP基HEMT器件表面旋涂覆盖BCB材料,通过高温固化形成BCB钝化层;F、采用深反应离子刻蚀设备对BCB钝化层进行接触孔刻蚀;G、通过光刻和金属蒸发在接触孔上部的BCB钝化层形成测试电极。本发明有效提高了InP基HEMT器件抗质子辐照能力,并创造了平坦化的布线环境,为抗辐照集成电路发展奠定了良好的基础。