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公开(公告)号:CN117559956A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311614044.9
申请日:2023-11-29
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明涉及滤波器技术领域,具体涉及一种低成本调频FBAR滤波器,在输入端和输出端依次连接的第一串联谐振器、第二串联谐振器、第三串联谐振器、第四串联谐振器和第五串联谐振器;所述第一串联谐振器与第二串联谐振器之间连接有一端接地的第一并联谐振器,所述第二串联谐振器与第三串联谐振器之间连接有一端接地的第二并联谐振器,所述第三串联谐振器与第四串联谐振器连接有一端接地的第三并联谐振器,所述第四串联谐振器和第五串联谐振器连接有一端接地的第四并联谐振器,所述第一并联谐振器、第二并联谐振器、第三并联谐振器和第四并联谐振器中的任一并联谐振器上串联有且仅有一个电容。本发明能够减少调频的次数从而降低滤波器的制作难度和成本。
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公开(公告)号:CN115632629A
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202211289499.3
申请日:2022-10-20
申请人: 重庆大学 , 江苏卓胜微电子股份有限公司
摘要: 本发明涉及通信电路元件技术领域,具体涉及一种实现横波抑制的弹性波装置及制造方法,所述装置包括压电衬底层和叉指换能器电极结构,所述叉指换能器电极结构包括汇流条、真指电极和假指电极;所述汇流条倾斜角度θ设置,所述真指电极或假指电极与汇流条的连接角度α和倾斜角度θ互余;同一汇流条上的假指电极端部的与相邻真指电极之间设有质量负载调节条;所述真指电极的端部上设有质量负载调节块,所述真指电极靠近汇流条的中下部位置也设有质量负载调节块,一真指电极端部上的质量负载调节块与相邻真指电极中下部位置的质量负载调节块的连线与汇流条平行。本发明能有效抑制禁带区域内的横波杂散且不在反谐振点高频端出现杂散波纹。
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公开(公告)号:CN114793103B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202210471093.0
申请日:2022-04-28
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明涉及声波谐振器技术领域,具体涉及一种适用于多参量传感的声波谐振器,包括衬底层和压电薄膜层,所述压电薄膜层上设有电极,还包括在衬底层和压电薄膜层之间依次设置的二氧化硅层、底电极层和种子层,所述电极为图形化的叉指换能器结构。本发明能够同时激励多种声波信号,且声波信号对压力和温度物理量敏感性质不同的单通道压电声波谐振器,从而实现温度和压力参数的高精度同步传感。
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公开(公告)号:CN117233246A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311182114.8
申请日:2023-09-13
申请人: 重庆大学
IPC分类号: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N29/24 , G01N29/32
摘要: 本发明涉及气体传感器技术领域,具体涉及一种多模式声表面波气体传感器及加工方法,所述气体传感器的结构包括压电基板,所述压电基板上设有作为电极的叉指换能结构IDT,所述叉指换能结构IDT的占空比为0.5,所述叉指换能结构IDT中指条周期λ为3.96um,所述指换能结构IDT中叉指层金属膜的膜厚为0.0835λ,孔径和间隙分别设置为20λ和2λ,所述压电基板的厚度为2λ。本发明能够激发X方向纵向模式的谐振频率以外,还能同时激发多个横向模式的谐振频率,以提供更多的参考和补充,相比普通的SAW气体传感器具有更高的准确度和更好的气体选择性。
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公开(公告)号:CN115102523A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210518358.8
申请日:2022-05-12
申请人: 重庆大学
IPC分类号: H03H9/72
摘要: 本发明涉及集成电路制造与封装技术领域,具体涉及一种高隔离度双工器,包括公共端子、发送端子和接收端子,以及连接在公共端子和发送端子之间的发送滤波器,连接在公共端子和接收端子之间的接收滤波器;所述发送滤波器包括若干依次串联的声学谐振器和若干连接在相邻声学谐振器之间的并联谐振臂;所述并联谐振臂均包括一接入至地电势的声学谐振器;靠近发送端子的两声学谐振器之间设有两条并联谐振臂;靠近发送端子的若干并联谐振臂中声学谐振器的自由端均并联在一起,且与地电势之间连接有电感。本发明可提升双工器的隔离度性能,以及实现双工器的小型化及芯片集成。
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公开(公告)号:CN114744977A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202210489147.6
申请日:2022-05-06
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明涉及谐振器技术领域,尤其是一种高功率体声波谐振器及制造方法,其中一种高功率体声波谐振器,包括声波谐振器结构,所述声波谐振器结构包括:高热导率层状上电极、压电层、下电极、声反射层和衬底层;所述声反射层、下电极、压电层和高热导率层状上电极从下至上依次加工形成在所述衬底层上;所述高热导率层状上电极包括粘附层和导热金属层。采用本方案,通过双面散热的方式提升声波谐振器的散热性能,进而提高声波谐振器对高功率的承受能力。
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公开(公告)号:CN114726334A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210470547.2
申请日:2022-04-28
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明涉及谐振器技术领域,具体为一种声波谐振器及其制造方法,其中方法包括:在压电层下表面上加工形成第一介电层;对第一介电层的表面进行抛光,通过抛光后的光滑表面和衬底层进行键合形成键合体;在压电层上表面上加工形成叉指换能器上电极结构;在上电极叉指换能器结构上沉积一层第二介电层;在加工第一介电层和第二介电层时,通过加工工艺控制第一介电层和第二介电层的杨氏模量大小。本方案过程简单,易于加工,制造的声波谐振器,能有效提高品质因子,且不影响主要声波模式的性能。
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公开(公告)号:CN114793103A
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202210471093.0
申请日:2022-04-28
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明涉及声波谐振器技术领域,具体涉及一种适用于多参量传感的声波谐振器,包括衬底层和压电薄膜层,所述压电薄膜层上设有电极,还包括在衬底层和压电薄膜层之间依次设置的二氧化硅层、底电极层和种子层,所述电极为图形化的叉指换能器结构。本发明能够同时激励多种声波信号,且声波信号对压力和温度物理量敏感性质不同的单通道压电声波谐振器,从而实现温度和压力参数的高精度同步传感。
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公开(公告)号:CN110118814A
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201910389173.X
申请日:2019-05-10
申请人: 重庆大学
IPC分类号: G01N27/48
摘要: 本发明公开了一种基于MXene/镍基层状双氢氧化物复合材料及其制备方法,用于制备高性能葡萄糖传感器,制备方法通过先制备多层MXene粉末,再制备单层或少层MXene,最后通过水热反应获得三维多孔结构的复合材料MXene/镍基层状双氢氧化物。本发明构造了一种三维多孔结构的复合材料,相较于传统的镍基层状双氢氧化物,加入MXene后为LDH提供了成核位点。其独特的三维多孔结构有利于电解液进入复合结构内部,与表面的活性位点发生更充分的氧化还原反应;另外随着MXene的加入,复合材料的电导率得到了提升,进一步提升了其葡萄糖检测性能。
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公开(公告)号:CN114726334B
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202210470547.2
申请日:2022-04-28
申请人: 重庆大学
摘要: 本发明涉及谐振器技术领域,具体为一种声波谐振器及其制造方法,其中方法包括:在压电层下表面上加工形成第一介电层;对第一介电层的表面进行抛光,通过抛光后的光滑表面和衬底层进行键合形成键合体;在压电层上表面上加工形成叉指换能器上电极结构;在上电极叉指换能器结构上沉积一层第二介电层;在加工第一介电层和第二介电层时,通过加工工艺控制第一介电层和第二介电层的杨氏模量大小。本方案过程简单,易于加工,制造的声波谐振器,能有效提高品质因子,且不影响主要声波模式的性能。
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